- 与台积电同于1987年成立的新加坡半导体即将走入历史，被全球晶圆(Global Foundries)合并之后将在亚太区以新面貌见人。同样成立将届23年的台积电、新加坡特许面对著截然不同的命运，1个是产业龙头，另1个则是被资金实力雄厚的对手收购，但面对多变诡谲的产业前景，却都各自面临不同的挑战与难题。
新加坡特许被收购之后，还是4大晶圆代工厂各据山头，分别是台积电、联电、全球晶圆与中芯国际，2009年是4大晶圆厂极为特殊的1年，各自发生了影响未来命运的大事件，展望2010年未可知的将来，4大晶圆厂
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- 据台积电公司周一的声明称，受上周台湾地区发生6.4级地震事件的影响，台积电公司半天内产出的晶圆制品均告报废，受到影响的晶圆制品数量大约是台积电每天芯片产能的59%。台积电并称公司的生产线已经恢复正常工作，而这次地震对台积电所造成的财政和业务影响将“非常有限”。
于此同时，台积电的对手联电公司则在一份声明中称公司的财政与业务并未受到这次地震的显著影响;而内存芯片厂商华亚，以及计算机厂商华硕公司则均声明称未受到此次地震事件的显著影响。
据路透社报道，当地时间上周六晚9：
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- 据《韩国时报》报道，内存芯片厂商海力士半导体计划在2010年向芯片生产投入大约2.3万亿韩元(约20亿美元)，比2009年的资本开支增加一倍。
这项开支有1.5万亿韩元(大约13亿美元)用于DRAM内存生产，剩余的8000亿韩元(约7亿美元)用于NAND闪存和逻辑芯片的生产。
这篇报道引述消息灵通人士的话说，海力士看到了1GB DDR3内存的需求超过了预期。这篇报道还预计海力士在2010年将在全球DRAM市场扩大领先于日本的Elpida公司的优势。
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- 北京时间11月24日早间消息，据国外媒体今日报道，市场研究公司iSuppli表示，今年全球芯片业营收将下跌12%，远低于之前预期的20%。
iSuppli高级副总裁德尔·福特(Dale Ford)说，第二季度芯片销售复苏“意味着2009年的情况将好于预期”。今年芯片业境况好于预期的原因是内存芯片以及消费电子和无线产品用芯片的强劲表现。
iSuppli预计，在全球十大芯片厂商中，今年只有三星芯片业务营收将出现增长。预计今年三星芯片业务营收将增长1.4%;
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- 据台湾内存业者透露，由于越来越多的内存芯片厂商都在积极转向下一代制程技术，因此这种彼此间的良性制程竞赛将令内存芯片的生产成本在明年之内将出现较大幅度的下降。
目前，韩国三星电子的内存芯片产品已经有50%比例在采用56nm制程制作，而第四季度，部分DDR3芯片已经开始小批导入40nm制程。预计到明年下半年，40nm制程将成为三星的主力制程，三星也将由此再一次占据业内领先的地位。
日本尔必达公司则很快会开始启用其改进版65nm制程，尔必达将这种制程称为Extra 65nm。并将随后于明年转移到
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- 据iSuppli公司分析，由于全球内存芯片厂商在2005-2007年间已经耗费了大量资本进行设备投资和产能扩展,因此现有的产能已经可以满足2012年的市场需求，这便意味着在未来两年之内全球内存芯片厂商的主要精力将不会放在产能拓展方面。
”2005-2007年间，内存芯片厂商共花费了500亿美元的资金来采购新的制造设备和建设新的芯片厂，这笔花费已经占到同期整个内存产业营收的55%左右。“iSuppli公司的高级内存分析师Mike Howard表示：”由于向这
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- 韩国三星公司最近显著加大了逻辑芯片制造技术的研发力度，该公司最近成立了新的半导体研发中心，该中心将与三星现有的内存芯片制程技术研发团队一起合作， 进行新半导体材料，晶体管结构以及高性能低功耗半导体技术的研发。另一方面，三星旗下的芯片厂除了正在积极准备45nm制程芯片的量产，同时作为IBM技 术联盟的一员，也在积极研发下一代32nm/28nm制程技术.
三星表示，新研发中心与现有的内存芯片制程技术研发团队的强强组合，将极大推动三星半导体制程技术的发展速度，有助于提升三星Hig-K，3D晶体管以及极
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- 据国外媒体报道，数家亚洲大型芯片厂商财报预期显示，本季度有望实现数年来的首次扭亏为盈，芯片下滑趋势或将结束。
三星电子本月初表示，其季度利润有望超市场预期，分析师对其预期为每股收益1.98万韩元(约合16.83美元)。
投行Macquarie Group对三星股票评级为“表现突出”(outperform)，将三星目标股价由84万韩元调高至90万韩元。该投行在研究报告中称，因三星上半年收益强劲，预计其股价将持续上涨。周一，三星股价在首尔股票交易所收盘于75.3万韩元(
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- 市场研究公司iSuppli称，今年第二、三季度DRAM内存芯片销售额和价格环比增幅创下过去5年来的最高记录，这表明市场正在复苏，这一趋势将至少持续到明年。
据国外媒体报道称，iSuppli发布的初步统计数字显示，第三季度全球DRAM芯片销售额环比增长了35%，第二季度环比增长了34%。iSuppli分析师迈克·霍华德发表声明称，这些数字表明DRAM市场确实在复苏中，价格的持续增长是DRAM内存芯片走出低迷的又一个迹象。
iSuppli表示，过去两个季度终结了DRAM内存芯片销
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- 北卡罗莱纳州立大学的工程师声称已经开发出一种比人的指甲还要小的芯片，它可以加大目前DRAM内存芯片的容量50倍，理论上可以实现一个指甲大小的芯片寸1TB数据。
学校的材料科学与工程系教授Jagdish Narayan表示他通过添加镍、氧化镁，混合金属和陶瓷来完成了数据存储容量的改变，新的合金镍原子占用空间不到10平方纳米，最困难的挑战就是精确的纳米点和读取方式，目前通过使用脉冲层，研究人员就能够实现对过程的控制。
Jagdish Narayan认为，原型产品可在1-2年出现，而且价格并不比
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内存芯片 DRAM
- 10月14日消息，据国外媒体报道，韩国芯片制造商海力士半导体CEO周二表示，全球经济转暖加上微软Windows 7操作系统的发布，将在2010年上半年拉动内存芯片的需求。海力士首席执行官金钟甲在韩国当地一个科技论坛上表示，“只要经济不出现二次探底的情况，需求就会好转。”
金同时表示，海力士将在2010年加大资本投资力度，公司今年在该项目上的开支为1万亿韩元，约合8.555亿美元，但他拒绝透露详情。
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- 据报道，海力士今天宣布了基于54nm工艺的第二代1Gb DDR3内存芯片，新一代1Gb DDR3芯片分为256Mb X 4和128Mb X 8两种，并将会在本月开始投入量产。
此次宣布的1Gb DDR3芯片仍然沿用前一代芯片的1.5V电压，但功耗降低了30%，号称是目前主流1Gb DDR3市场上性能最高的内存芯片。根据iSuppli的统计，1Gb DDR3内存芯片的市场份额已经达到了87%，更高密度的内存芯片将在2011年成为市场上的主流。
根据海力士的介绍，数据中心、服务器、超级计算机或
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- 据摩根斯坦利公司的分析师Frank Wang称，DDR2芯片的价格未来将继续上涨，并很有可能会超过DDR3芯片的售价，不过涨价期应该不会超过6个月，而DDR3芯片则将在这段时间内渐成市场主流。据Wang分析，驱动最近DDR2芯片价格上涨的主要因素是各大内存芯片厂商纷纷将产能转而投放到DDR3芯片的生产上。三星，海力士，尔必达以及镁光几家大厂均在积极抬高DDR3芯片的产能，同时压低DDR2芯片的产能。
尽管如此，如果中国大陆国庆节期间DDR2芯片的市场需求不如预期的强势，那么DDR2芯片的价格仍有
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- 尔必达公司近日宣布已经完成了40nm制程2Gb密度DDR3 SDRAM内存芯片的研发工作，今年11月份这种芯片将进入送样阶段，年底前则可实现正式批量供货。据尔必达公司表示，这种新芯片的面积更小，总体良品率 方面也比过去的50nm制程DDR3产品提升44%，而1.6Gbps数据传输率的产品良率更可达100%。
比较旧有的50nm制程产品，新40nm 2Gb DDR3内存驱动电流只有前者的2/3左右，支持1.2V/1.35V的较低工作电压，同时也可以在DDR3标准的1.5V电压下工作。这样这种芯片的
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- 全球最大内存芯片制造商三星电子(Samsung Electronics)近日表示，尽管半导体业已由2年的低迷谷底重振，公司对前景仍抱持谨慎态度。
三星电子半导体部门总裁权五铉(Kwon Oh-hyun)在中国台湾台北举办的移动解决方案年度论坛上表示，由于政府鼎力相助，此行业现发展情况优于公司当初预期。然而他指出：“尽管如此，我们抱持的观点仍偏向谨慎，预估欧美感恩节假期时，将是销售情况的转折点。”
感恩节假期在美国落在11月，加拿大则为10月。
权五铉另表示，目
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内存芯片介绍
简单地说:内存之所以能存储资料,就是因为有了这些芯片!
根据品牌的不同,所采用的芯片亦有所区别,具体的识别办法是:
具体含义解释：
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGR [
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