- 全球最大内存芯片制造商三星电子(Samsung Electronics)近日表示，尽管半导体业已由2年的低迷谷底重振，公司对前景仍抱持谨慎态度。
三星电子半导体部门总裁权五铉(Kwon Oh-hyun)在中国台湾台北举办的移动解决方案年度论坛上表示，由于政府鼎力相助，此行业现发展情况优于公司当初预期。然而他指出：“尽管如此，我们抱持的观点仍偏向谨慎，预估欧美感恩节假期时，将是销售情况的转折点。”
感恩节假期在美国落在11月，加拿大则为10月。
权五铉另表示，目
- 关键字：
Samsung 内存芯片 DRAM
- 三星公司半导体事业部总裁Oh-Hyun Kwon透露，三星公司正在逐步增加其DDR3内存芯片的产能，因此预计最近市场上出现的内存芯片供应紧张的局面很快便会有所缓解。据Kwon表示，最近市场对DDR3内存芯片的需求涨势很旺，甚至超过了三星的预期，为了满足市场的需求，三星准备增大DDR3芯片的产能，另外Kwon还宣称三星目前已经在使用40nm制程技术生产内存芯片产品，而明年40nm制程则将成为三星的主力制程。
另外Kwon还表示三星将主要通过制程技术升级等技术升级手段来达到增加产能的目的，他并称建造
- 关键字：
三星 内存芯片 DDR3
- 北京时间9月22日消息，据国外媒体报道，韩国工业巨头晓星(Hyosung)周二称，公司已向海力士半导体发出了收购要约，欲购入后者的大部分股份。
晓星的发言人称，公司已经向海力士的九家大股东发出了收购函。海力士的股东包括韩国外汇银行与韩国发展银行。
该发言人拒绝透露收购可能涉及的金额。
海力士周二收于22050韩元。以此计算，其大股东所持公司28%股份，价值约为3.65万亿韩元，合30.3亿美元。
而韩国外汇银行的一位官员在周二早些时候称，该行计划在今年11月同收购方讨论此次交易
- 关键字：
海力士 内存芯片
- 9月21日消息，据彭博社报道，台湾最大的电脑内存芯片制造公司南亚科技日前表示，因为原材料供应紧缺，公司将于10月上半月将内存芯片价格提高20%。此前公司在9月18日刚刚宣布将价格上调10%。
南亚科技发言人白培霖(Pai Pei-lin)在电话中表示：“我们的一些客户抱怨说，我们的价格太高了，同时我们又不能完成所有的订单，因为目前原材料供应十分紧缺。我们将同那些接受我们价格的客户展开谈判和沟通。”
该芯片制造商计划在连续两个月抬升价格后，在10月上半月再次提高售价1
- 关键字：
南亚科技 内存芯片
- 据国外媒体报道，2002年当三星电子市值超过索尼的时候就引起了市场震惊，这标志着三星电子成为全球电子行业真正的主要成员，从那时开始三星的品牌形象就开始持续改进。目前，这个世界排名第二的韩国电子巨头的市值将要赶上美国芯片巨头英特尔。
分析师预计三星电子市值将在一年左右时间超过英特尔。因为自从始于雷曼兄弟倒闭的全球经济危机席卷全球以来，三星电子经历了个非常成功的一年。截至去年年底，三星电子在全球内存芯片市场的份额从21%上升至了27%。三星电子同时还是全球最大的电视制造商以及排名第二的手机制造商。三
- 关键字：
三星 内存芯片 液晶面板
- 据国外媒体报道，2002年当三星电子市值超过索尼的时候就引起了市场震惊，这标志着三星电子成为全球电子行业真正的主要成员，从那时开始三星的品牌形象就开始持续改进。目前，这个世界排名第二的韩国电子巨头的市值将要赶上美国芯片巨头英特尔。
分析师预计三星电子市值将在一年左右时间超过英特尔。因为自从始于雷曼兄弟倒闭的全球经济危机席卷全球以来，三星电子经历了个非常成功的一年。截至去年年底，三星电子在全球内存芯片市场的份额从21%上升至了27%。三星电子同时还是全球最大的电视制造商以及排名第二的手机制造商。三
- 关键字：
三星 内存芯片 手机
- 自今年初芯片价格达到数年来的最低点后开始上扬，8月份继续上扬，终于达到盈利水平。
Gartner报告指出，8月1Gb DDR3芯片合同价格上涨了18.9%，为每个1.58美元;老款芯片DDR2合同价格上涨了13.7%，为每个1.45美元。
内存芯片价格上涨正值PC厂商生产并向全球市场发送PC之际。对许多国家而言，返校季节即将来临，许多学生会携新笔记本返校或其父母购买台式机。因返校季节成为销售旺季，会使内存市场价格上扬，有时价格会一直上扬至12月底，年底将是圣诞销售旺季。
今年微软Wi
- 关键字：
奇梦达 内存芯片 DDR3 DDR2
- 据台湾媒体报道，台湾旺宏计划投资1600亿新台币(约和332.5亿人民币)兴建两座12寸芯片厂，此举将导致茂德、力晶等内存芯片公司向旺宏卖厂求现的美梦破碎，恐促使DRAM(动态随机存储器)厂雪上加霜。
旺宏是上半年台湾唯一获利的内存芯片厂，积极扩厂后，更将坐稳获利龙头宝座。
旺宏投资1600亿新台币兴建两座12寸芯片厂的计划，已向台湾当局递交文件，申请进驻中科后里园区。第一期建厂预计年底前动工，2011年初投产，两座新厂规划产能约8万片，并导入60纳米以下最新技术。
为配合旺宏建厂计
- 关键字：
力晶 DRAM 内存芯片
- 据市场研究公司iSuppli称，2009年第二季度全球DRAM内存芯片的销售收入达45亿美元，比今年第一季度的34亿美元增长了34%。今年第一季度全球DRAM内存芯片的销售收入比去年第四季度下降了19%。不过，与去年同期相比，第二季度的DRAM内存芯片的销售收入下降了33.5%。
日本内存芯片供应商Elpida Memory第二季度的DRAM内存销售收入是7.45亿美元，比第一季度的4.79亿美元增长了50%，是所有DRAM内存芯片厂商中增长率最高的。第二季度DRAM内存芯片的平均销售价格比第一
- 关键字：
三星 DRAM 内存芯片 DDR3
- 据国外媒体报道，全球最大的两家闪存芯片制造商，三星电子与东芝公司今日表示，美国司法部针对两家公司展开的反垄断调查已经结束。此次反垄断调查历时2年。
三星电子的一位女发言人今日宣布，美国司法部已通知三星电子，对公司的相关调查已告结束。东芝美国分公司则在7月28日收到了有关通知。但美国司法部女发言人塔拉莫娜拒绝对此发表评论。
美国司法部对闪存芯片制造商的反垄断调查始于2007年9月，调查源于司法部怀疑半导体行业存在限定价格的可能。另一项独立的调查则在4家电脑内存芯片公司中展开，这其中也包括三星
- 关键字：
三星 闪存芯片 内存芯片
- 据透露，为了防止在与韩国对手的竞争中落在后面，日本尔必达内存公司计划明年内转向使用40nm制程技术，而在40nm制程技术完全成熟之前，尔必达将采 用50nm制程技术作为过渡性的制程技术。目前，尔必达公司刚刚在65nm制程技术基础上开发出了60nm制程技术。不过尔必达曾计划直接 跳过50nm制程进入40nm阶段，但由于受到经济危机的影响未能成行。
目前韩国三星电子已经在使用40nm 6F2技术生产内存芯片，而到40nm制程技术成熟时，三星还将推出4F2技术。
美国镁光公司则已经在110nm制
- 关键字：
尔必达 40nm 内存芯片 50nm
- 浪潮集团3000万元收购奇梦达中国研发中心，使逐渐沉寂的浪潮软件再次引发业界关注。
全球第三大、欧洲最大的内存芯片厂德国奇梦达身背巨债，使得浪潮集团获得了存储器的核心技术，在浪潮集团董事长孙丕恕看来，3000万元的购价对于过亿的研发资产来说，是一笔划算的交易。
实际上，今年4月初，浪潮软件连续暴涨，市场就已广泛流传浪潮集团并购德国奇梦达的说法。
不过，业界人士提出，面对全球芯片市场一片萧条、企业纷纷亏损的现状;面对一条生产线动辄数百亿元的投资，浪潮集团廉价买到的核心技术能否得到市场化
- 关键字：
奇梦达 内存芯片 存储器 半导体制造
- 三星电子正计划对美国德克萨斯州奥斯汀的一处内存芯片工厂进行升级改造，这一过程中将裁员500人。
三星奥斯汀半导体公司将投资5亿美元将对该工厂进行改造。该工厂将于10月份关闭，改造工作将于2009年末至2010年初开始。
今年早些时候，三星奥斯汀半导体公司在三星电子的大规模重组中裁员20人。该公司在当地拥有两家工厂，分别生产DRAM内存芯片和NAND闪存芯片。
- 关键字：
三星 内存芯片 DRAM NAND
- SRC公司与耶鲁大学的研究者们周二宣布发明了一种能显著提高内存芯片性能的新技术。这项技术使用铁电体层来替换传统内存芯片中的电容结构作为基本的存储 单元，科学家们将这种内存称为铁电体内存(FeDRAM),这种内存芯片的存储单元将采用与CMOS微晶体管类似的结构，不过其门极采用铁电体材料而不是传统的电介质材料制作。
这种技术能使存储单元的体积更小，信息的保存时间比传统方式多1000倍左右，刷新的时间间隔可以更大，因此耗电量也更小，还可以像闪存芯片中那样在一个存储单元中存储多位数据。此外，有关的制
- 关键字：
内存芯片 CMOS FeDRAM
- 华邦电子总裁詹东义宣称，明年华邦将把常规内存芯片的销售额下调为10%，并将逐步推出常规内存芯片市场，他们将把业务重点转向GDDR显存芯片，特种内 存芯片，移动内存芯片以及NOR闪存方面。华邦最近与奇梦达公司达成了GDDR显存芯片的有关技术授权协议。目前华邦niche内存芯片的销售额占公司销 售总额的50%，而常规内存芯片则紧随其后占30%，NOR闪存则占20%左右。
获得奇梦达公司Buried Wordline技术授权后，华邦计划将原有的12英寸芯片产线转为生产GDDR3/G
- 关键字：
华邦 内存芯片 显存
内存芯片介绍
简单地说:内存之所以能存储资料,就是因为有了这些芯片!
根据品牌的不同,所采用的芯片亦有所区别,具体的识别办法是:
具体含义解释：
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGR [
查看详细 ]
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
