内存芯片识别方法1．LGS：LGS的SDRAM芯片上的标识； GM72V*****1**T** GM为LGS产品； 72为SDRAM； 第1，2个*代表容量，16 ...
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内存芯片 识别方法
现代内存芯片的编号识别一、现代(HYUNDAI)公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下（这里说的是2000年9月30日后 ...
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内存芯片 编号识别
日本内存芯片厂商尔必达已申请破产保护，该公司股价在昨日东京股市的交易中大跌97%，创下东京股票交易所取消单日涨跌幅限制以来的最大跌幅。尔必达的破产是日本两年来规模最大的公司破产案。在东京股市昨日的交易中，尔必达股价一度跌至4日元，远低于周二收盘时的254日元。将于2015年到期、面值100日元的尔必达可转债价格则较2月27日下跌60日元，至14日元。
尔必达是日本最后一家计算机内存芯片厂商，该公司此前已连续5个季度亏损。尔必达于2月27日向东京地区法院提交了破产保护申请，其债务达到4480亿日元
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尔必达 内存芯片
近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式记忆体立方体(HybridMemoryCube)在不久成为第一颗采用3D制程的商用芯片。
美光将会开始生产利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-siliconvias;TSVs)所打造的第一颗芯片。硅穿孔制程将运用在美光的混合式记忆体立方之中。美光芯片的部分零件将会在IBM位于纽约的晶圆厂生产。
IBM将会在12月5日于美国华盛顿举行的IEEE国际电子装置会议上展示它的TSV制程技术。
对于美光而言，混合式记忆体立方(HMC)
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美光 内存芯片 硅穿孔
近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式记忆体立方体(Hybrid Memory Cube)在不久成为第一颗采用3D制程的商用芯片。
美光将会开始生产利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-silicon vias; TSVs)所打造的第一颗芯片。硅穿孔制程将运用在美光的混合式记忆体立方之中。美光芯片的部分零件将会在IBM位于纽约的晶圆厂生产。
IBM将会在12月5日于美国华盛顿举行的IEEE 国际电子装置会议上展示它的TSV制程技术。
对于美光而言，混合式记忆体立方
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美光 内存芯片
尔必达日前表示，该公司已成功生产出25nm制程、4GB大小的SDRAM内存芯片样品，即将出货。早前，尔必达就宣称从7月开始发售限量版的25nm制程2GB内存芯片，而新款4G的25nm内存芯片将取代现在的30nm制程的4GB DDR3内存芯片产线，产品生产效率也将提高45%。除此之外，新款25nm芯片性能更强劲，可以有效降低待机电流。
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尔必达 内存芯片
据科技网站DigiTimes报道，业内人士称，苹果公司从日本购买的DRAM和NAND闪存量大幅增加，主要来源为东芝和Elpida Memory公司。
消息称，苹果和三星之间的专利诉讼促使苹果分散其订单。三星一直是苹果公司最大的零部件供应商。苹果目前正在从Elpida和东芝公司采购NAND和RAM芯片，以减少其对三星电子的内存供应的依赖。
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苹果 内存芯片
北京时间9月1日消息，彭博社发文称，由于PC市场低迷等因素，内存芯片制造业处境艰难，全球八大厂商仅三家盈利，部分较小厂商选择转行或谋求并购，而分析人士认为该行业最终或将合并入几个大型厂商手中。原文如下：
债务、亏损与价格下跌造成的沉重负担，使内存芯片厂商茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)、力晶科技(Powerchip Technology Corp.)和尔必达(Elpida Memory Inc.)承受的压力越来越大，或将寻求合并或退出该产业。
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商茂德科技 内存芯片
北京时间8月31日下午消息，由于负债累累、不断亏损、内存芯片价格持续下滑，内存芯片制造商尔必达、茂德和力晶科技承受的压力越来越大，他们或因此寻求合并或退出业界。
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力晶 内存芯片
三星电子日前公布，今年第2季(4-6月)半导体部门合并营收年减4%至9.16兆亿韩圜，略低于前季的9.18兆亿韩圜;合并营益年减11.3%至1.79兆亿韩圜，高于前季的营益1.64兆亿韩圜;营益率达19.6%，高于前季的17.9%，但低于去年同期的30.9%。三星指出，4-6月内存营收年减12%至5.89兆亿韩圜。
三星电子曾在1月28日预期，今年半导体部门资本支出将由去年的12.7兆亿韩圜下降至10.3兆亿韩圜，其中内存相关资本支出将由去年的9兆亿韩圜下滑36%至5.8兆亿韩圜。Thomson
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三星 内存芯片
南韩三星电子(Samsung Electronics) DS(Device Solution)事业总括部门社长权五铉，及海力士(Hynix)社长权五哲等南韩半导体业界大老近期均异口同声表示，2011年下半内存芯片市况将不透明。权五铉表示，一般来说，下半年内存芯片市况应会比上半年好，然而近来变量相当多。2011年下半可能会与上半相同，半导体价格可能会大幅攀升，也可能没有任何表现。
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三星电子 内存芯片
据国外媒体报道，全球第二大电脑内存芯片生产商海力士周四发布了2011年第一季度财报。财报显示，今年第一季度海力士实现净利润2735.4亿韩元(约合2.538亿美元)，比去年同期大幅下降66%，这主要是受到个人电脑需求低迷导致芯片价格下滑影响。
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海力士 内存芯片
据美台商会(US-Taiwan Business Council)的一份报告称，镁光公司可能会收购其参与合资的台湾内存公司华亚的剩余股份，使之成为自己的全资控股子公司。报告称：“美国内存芯片厂商 镁光与南亚和华亚两家内存芯片公司的关系一直非常密切。而且镁光有可能会采取措施加强其与台湾内存厂商的联盟关系，因为近期有传言称台湾第二大内存芯片厂 商南亚很可能会将其所持有的华亚公司股份出售给镁光公司。”
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镁光 内存芯片
2001年海力士(Hynix)受景气波及，遭债权银行团接手并进行债务重整，时隔10年，海力士已成为全球第2大计算机内存芯片供货商。即使如此，海力士仍背负5.9兆韩元(约54.46亿美元)债务，该公司现任执行长权五哲(Kwon Oh-chul)在接受Korea Times访问时，目前海力士首要目标是尽力还款，并同时确保有足够资金扩产以及研发新技术。
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海力士 内存芯片 NAND
据《苹果日报》援引匿名消息提供者的说法称，由于PC OEM厂商正在积极囤积库存，内存芯片厂商南亚公司计划四月份将其产品的价格提价5%。报道还称三星公司已经知会其客户称4月上半月将对旗下内存芯片产品涨价5-6%，2Gb密度DDR3内存芯片的合约价格有望爬升到2美元以上。
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内存芯片 DDR3
内存芯片介绍
简单地说:内存之所以能存储资料,就是因为有了这些芯片!
根据品牌的不同,所采用的芯片亦有所区别,具体的识别办法是:
具体含义解释：
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGR [
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