内存芯片识别方法
1．LGS：LGS的SDRAM芯片上的标识；
GM72V*****1**T**
GM为LGS产品；
72为SDRAM；
第1，2个*代表容量，16为16Mbit，66为64Mbit；
第3，4个*代表数据位宽，一般为4，8，16等，不补0；
第5个*代表bank，2代表2个，4代表4个；
第6个*代表是第几个版本的内核；
第7个*如果是L就代表低功耗，空白为普通；
“T”为TSOP II封装；“I”为BLP封装；
最后的**代表速度：
7：7ns(143MHz)
7：7.5ns(133MHz)
8：8ns(125MHz)
7K：10ns(PC100 CL23)
7J：10ns(PC100 CL3)
10K：10ns(100MHz)
12：12ns(83MHz)
15：15ns(66MHz)
2．Hyundai：现代的SDRAM芯片的标识
HY5*************-**
HY为现代产品，
5*表示芯片类型，57为SDRAM，5D为DDR SDRAM；
第2个*代表工作电压，空白为5伏，“V”为3；3伏，“U”为2；5伏；
第3-5个*代表容量和刷新速度：
16：16Mbit，4k Ref
64：64Mbit，8k Ref
65：64Mbit，4k Ref
128：128Mbit，8k Ref
129：128Mbit，4k Ref
256：256Mbit，16k Ref
257：256Mbit，8K Ref
第6，7个*代表数据位宽，40，80，16，32分别代表4位，8位，16位和32位；
第8个*代表bank，1，2，3分别为2，4，8个bank；
第9个*一般为0，代表LVTTL（Low Voltage TTL）接口；
第10个*可为空白或A，B，C，D等，代表内核，越往后越新；
第11个*如为L则为低功耗，空白为普通；
第12，13个*代表封装形式；
最后几位为速度：
7：7ns(143MHz)
8：8ns(133MHz)
10P：10ns(PC100 CL2/3)
10S：10ns(Pc100 CL3)
10：10ns(100MHz)
12：12ns(83MHz)
15：15ns(66MHz)
3．Micron： Micron的SDRAM芯片的标识；
MT48****M**A*TG-***
MT为Micron的产品；
48代表SDRAM，其后的**如为LC则为普通SDRAM；
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