- DRAMeXchange传来噩耗称内存芯片的价格在未来三年内将持续走高。这家市场分析公司将内存产业的兴衰周期定为3年左右，据该公司的分析师表 示，2001-2003年，内存业者一直处在亏损期，而2004-2006年则恢复为持续盈利的状态，2007-2009年间则再度出现亏损期，因此他们 预计从2010年开始，在全球经济危机缓和，Windows7日渐流行等因素的影响下，内存业者将再度扭亏为盈，进入新的一轮三年盈利期。
不过内存业者仍然面临另外一个重要的难题，他们要将制程水品提升到50nm以上级别则
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内存芯片 光刻
- 继三星，力晶等内存芯片大厂对内存芯片产能提升事宜公开发表意见之后，镁光公司近日也表态称他们今年没有提升内存芯片产能的计划，镁光表示他们将专注与缩 减内存芯片的制程尺寸，以便提升自己的产品竞争力。不久前，三星公司芯片部门的首脑人物Oh-Hyun Kwon同样曾公开表态称内存芯片业者不应盲目表态将增加内存芯片的产量，而是应当把注意力放在提升产品制程工艺方面。而力晶公司主席Frank Huang也呼吁内存业者提升芯片产能时要非常谨慎，以避免犯下和过去一样的错误。
2005年，全球多家内存芯片厂为了扩增
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镁光 内存芯片
- 日本最大的内存芯片厂商东芝将重启因经济衰退而搁置的产能扩展计划，它将从7月开始建设新的闪存生产厂。
东芝表示，新生产厂位于日本中部四日市，是公司第五条生产线，预计在2011年春季完建。东芝没有透露该生产厂的建设成本。
包括苹果iPhone在内的智能手机销售的增长，推动了NAND内存需求的增长。据市场调研公司 iSuppli预计，NAND闪存市场今年的总收入将增长34%达到181亿美元。
东芝发言人Hiroki Yamazaki称，虽然东芝尚未决定四日市芯片生产厂的投资规模，但是建立新
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东芝 内存芯片 NAND
- 继三星，力晶等内存芯片大厂对内存芯片产能提升事宜公开发表意见之后，美光公司近日也表态称他们今年没有提升内存芯片产能的计划，美光表示他们将专注与缩 减内存芯片的制程尺寸，以便提升自己的产品竞争力。不久前，三星公司芯片部门的首脑人物Oh-Hyun Kwon同样曾公开表态称内存芯片业者不应盲目表态将增加内存芯片的产量，而是应当把注意力放在提升产品制程工艺方面。而力晶公司主席Frank Huang也呼吁内存业者提升芯片产能时要非常谨慎，以避免犯下和过去一样的错误。
2005年，全球多家内存芯片厂为了扩增
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三星 内存芯片
- 1Gb DDR2/DDR3内存芯片的现货价格最近双双上涨到了接近3美元的价位，显示目前内存芯片市场仍处于供不应求的紧张局面。据消息来源表示，造成这种局面 的原因主要是内存芯片厂商目前都在实施转产DDR3芯片的动作;另外一方面，由于PC厂商事先预计到了这种状况，因此这些厂商事先都采取了较大量订货的策 略，而这则进一步加剧了这种危机。
据DRAMeXchange统计，3月18日，打标和eTT(即经过芯片厂商完全测试，但没有打上原厂激光标记的芯片)1Gb DDR2芯片的价格分别上升了3.97%和4.3
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内存芯片 DDR3
- 2月24日消息，市场研究公司iSuppli预计，今年全球DRAM内存芯片市场增幅将超过40%，也是3年来的首次增长。
据国外媒体报道称，iSuppli表示，今年全球DRAM内存芯片销售额将增长至319亿美元，2009年、2008年和2007年DRAM内存芯片销售额分别下滑了3.7%、25.1%和7.5%。
iSuppli分析师迈克·霍华德当地时间上周四说，“今年DRAM内存市场将继续去年第四季度的增长趋势，增长40%。”
推动去年第四季度DRAM
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DRAM 内存芯片
- 据台湾《经济日报》报道，台系内存厂商力晶公司决定重启其在大陆徐州建造8英寸内存芯片厂的计划，报道称力晶公司计划向这间新厂房投资2.93亿美元，并 将与当地政府部门和大陆当地企业合作经营这间芯片厂。
与台积电以及茂德公司类似，力晶公司目前已经获得了台湾当局的许可，可以在大陆地区建造8英寸0.18微米及以下级别制程的芯片厂，不过目前为止三家公司中仅有力晶仍未付诸实际行动。
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力晶 内存芯片
- 镁光公司与其合作伙伴南亚公司最近公开展示了其合作开发的42nm制程2Gb DDR3内存芯片产品，双方并宣称下一代30nm制程级别的同类产品已经在镁光设在Boise的研发中心开始研制。
两家厂商预计将于今年第二季度开始42nm 2Gb DDR3内存芯片的试样生产，并将于今年下半年开始量产这种产品。
两家厂商宣称其42nm制程DDR3内存芯片产品的工作电压仅1.35V左右，比前代产品的1.5V工作电压低了不少，可节省30%电能。
这款42nm 2Gb
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镁光 内存芯片 DDR3
- 消息人士透露，欧盟监管机构计划对三星电子、英飞凌、海力士等十家内存芯片厂商提供诉讼，指责这些厂商操控价格，违背欧盟反垄断法规。
消息人士称，欧盟委员会的指控有可能在本周或下周做出。三星电子和海力士分别是全球最大和第二大的内存芯片厂商。欧盟将起诉的公司还包括美光、尔必达、NEC电子、日立、东芝、三菱电机和南亚科技。
去年12月份英飞凌就曾透露，欧盟反垄断机构从2009年2月就开始对英飞凌进行正式调查，怀疑英飞凌在欧洲DRAM产品市场存在反竞争行为。DRAM(动态随机存取存储器)芯片被广泛应用
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- 据内存业者透露，由于沉浸式光刻设备的交货日程有所延长，因此南亚，华亚(南亚与镁光的合资厂)两家内存芯片制造商今年转向50nm级别制程节点的计划有 可能会后延.而另一家台系内存芯片厂商瑞晶(力晶与尔必达的合资厂)计划于今年二月份开始的光刻设备导入计划也有可能会后延两个月左右的时间。
而南亚和华亚则澄清称其购买的沉浸式光刻设备将以分期到货的形式进场，并宣称此前进场的设备已经按原计划完成了进货。
按南亚和华亚的计划，他们将于年底前完成向镁光50nm制程技术的转换工作，并将于下半年开始试产40nm
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华亚 光刻设备 内存芯片
- 据韩国媒体报道，全球最大内存芯片生产商三星电子今年可能加大对内存芯片的投资，并建立一条新生产线。
报道援引不具名业内人士的话称，三星电子今年半导体业务的资本支出约为7兆(万亿)韩元(61亿美元)。
三星10月曾表示，今年计划在内存芯片上支出5.5万亿韩元，占半导体业务资本支出的大部分。
报道称，三星还计划在国内工厂建立一条新的芯片生产线，这将是该公司多年来首次增设新生产线。
三星发言人拒绝就2010年投资计划置评，并称尚未决定是否新增生产线。三星在1月29日公布季报时，预计将就
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- 据透露，台湾内存芯片厂商南亚计划增加2010年的资本支出预算，将其由原计划的190亿新台币提升到200亿新台币(6.27亿美元)，据悉这笔增加的 预算将用于改进制程和扩展产能之用。南亚计划将其12英寸厂产能由目前的每月3万片提升到5-6万片。如果将其合资公司华亚(由镁光和南亚合资成立)的产能计算在内，那么南亚12英寸总产能将达到每月11.5-12.5万片，这个数字已达到了全球内存芯片厂总产能的10%左右。
目前华亚12英寸厂的产能有一半是向南亚供货，另一半则为镁光公司供货，这家合资公司的月产能大
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南亚科 内存芯片 50nm
- 据国外媒体报道，由于计算机内存芯片供不应求可能有助于利润创下4年来新高，全球第二大内存芯片厂商海力士计划今年偿还逾1万亿韩元债务(约合8.88亿美元)。
海力士首席执行官金钟甲(Kim Jong-kap)日前在接受采访时表示，“我们的目标是，在进行必要投资的同时偿还巨额债务。目前，海力士有息债务约为7万亿韩元(约合62.16亿美元)。”
更少的债务和更高的利润有助于海力士吸引其他收购方。去年11月，晓星公司撤消了收购海力士的收购要约。分析师称，由于PC需求增长，今年
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- 韩国内存厂商Hynix日前宣布他们已经完成了2Gb密度低功耗DDR2内存芯片产品的开发，这款产品将主要面向移动设备，可在智能手机，平板电脑等移动设备上使用，Hynix并称这种芯片将于今年上半年开始投入量产。
这款内存芯片产品的数据传输率可达1066Mbps，并将以小型封装(如MCP/POP封装形式)的形式进行供货。
Hynix宣称这款芯片产品采用了44nm制程技术制作，工作电压仅1.2V，位宽为32位的配置条件下，使用这种芯片的内存系统带宽可达4.26GB/s。另外，这
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- 据国外媒体报道，台湾力晶半导体近日表示，经过连续十个季度的亏损后，受需求反弹和芯片价格稳步上涨的推动，第四财政季度公司实现净利润。
力晶半导体在其网站上发布公告称，已有大量现金流入公司，这将显着改善公司的财务结构。该公司并未提供截至去年12月31日财季的净利润数据。
力晶半导体称，公司将通过增加DDR3芯片发货量巩固净利润成果。公司预计，到3月份DDR3芯片发货量占其总发货量的比重将达到75%。
分析师们表示，DDR3芯片将成为今年个人电脑应用的主流内存芯片。与DDR2芯片相比，DD
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力晶 内存芯片 DDR3
内存芯片介绍
简单地说:内存之所以能存储资料,就是因为有了这些芯片!
根据品牌的不同,所采用的芯片亦有所区别,具体的识别办法是:
具体含义解释：
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGR [
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