三星自夸芯片制造工艺速度超越摩尔定律

    今年是摩尔定律问世40周年，就在英特尔请出久未露面的Gordon Moore、忙于举办庆祝活动时，三星电子半导体部门总裁黄昌圭忙借机自夸，称三星在芯片制造工艺的改进速度上已经超越摩尔定律。 

    摩尔定律最初于1965年发布时，曾预言芯片中晶体管数量每年就会增加1倍，1975年时修正为芯片内晶体管数量每2年倍增。 

    对此，黄昌圭表示，三星在NAND型闪存（Flash）制造工艺的推进速度是每年倍增其容量。事实上，从三星陆续推出1Gb、2Gb、4Gb NAND型闪存的速度上来看，它的芯片制造工艺改进速度已经超越了摩尔定律预言的速度。 

    4Gb NAND型闪存是三星刚刚发布的新品，明年它打算将NAND型闪存的容量推上8Gb。 

    黄昌圭对三星电子芯片制造工艺的改进充满信息，他认为在不考虑供给、需求的前提下，三星的工艺可让NAND型闪存平均价格每年下滑40%。 

    据了解，目前三星已是全球NAND型闪存市场的龙头，其市场占有率逼近60%，它对市场价格的操纵能力不言可喻。三星领先全球、首次以Fab 14的12英寸晶圆投产NAND型闪存，初期以0.07微米工艺量产，随后将导入0.06微米工艺，这让三星的利润空间足以应付产能过剩时可能出现的价格崩盘，就算这种情况出现，三星依然是大赢家。 

    此外，三星曾在2004年11月通过美国媒体放出有意切入晶圆代工领域的消息，随后还曾在12月份三星半导体部门30周年庆上宣称未来6年将斥资240亿美元，把内存业务与LSI业务结合起来进行推进，争取让每年营收增长达到2位数。目前，除内存业务外，三星已经很少提及其他半导体业务的发展，三星到底会不会进入晶圆代工领域，目前仍是个谜。