英特尔出击闪存市场 借StrataFlash战AMD

    北京时间4月8日消息，据国外媒体报道，英特尔在PC处理器市场保持着对AMD的绝对领先优势，但在NOR闪存领域英特尔却被AMD压过一头。为了改变这一现状，同时也延续自身在NOR闪存市场的增长势头，英特尔将于近日推出新型StrataFlash嵌入式闪存。　　

　　英特尔发言人玛莉-雷格兰德(Mary Ragland)表示，StrataFlash嵌入式闪存将有多种不同的型号，容量由64MB直到1GB，足以满足数码相机、手机和网络路由器等多种消费电子产品的需求。她说：“这是近年来StrataFlash产品系列的第一款新品，它的出现可以从很大程度上缓解厂商对于高性能大容量闪存的需求。”英特尔将于本季度推出容量为64MB到512MB的StrataFlash嵌入式闪存，1GB容量的产品要到下半年才能上市。

　　在关闭电源后闪存中存储的数据并不会消失，因此它也就成为了消费电子产品中存储数据的最佳介质。目前的闪存产品主要有两种类型——NAND和NOR，在NAND闪存市场，三星电子一直独秀，而NOR闪存市场则呈现出英特尔和AMD两强争霸的局面。市场研究公司iSuppli公布的最新数据显示，AMD通过和富士通成立的合资企业，2004年在NOR闪存市场占据了25.9%的市场份额，而英特尔以微小的差距排在第二位，其市场份额为24.5%。

　　尽管2004年整体略逊，但第三季度和第四季度英特尔在市场份额上都超过了AMD。有分析人士将英特尔的成功归结于产品价格便宜，英特尔副总裁达林-比勒贝克(Darin Billerbeck)并不完全赞同这种说法。他说：“我并不认为我们依靠低价格取胜，我们也从来发动过价格攻势。”他同时透露，由于去年第四季度高容量产品的销量大幅度增长，英特尔闪存的平均售价还略有提升。

　　2004年全球闪存市场的总产值达到了166亿美元，比2003年的116.4亿美元有大幅度的增长。iSuppli预计，2005年全球闪存市场的总产值将增长5%，达到175亿美元。到2008年，全球将有80%的手机中采用NOR闪存。

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