三星、SK海力士2016年半导体投资前景仍未明

　　三星电子(Samsung Electromics)和SK海力士(SK Hynix) 2016年的投资计划不明朗，全球景气停滞、汇率动向难以掌握、智能型手机成长趋缓等对外环境恶劣为主因，韩国半导体设备业界的不安持续扩大。

　　同时，新设备需要依据尖端制程制造，因技术难度高、开发时间较长，使三星和SK海力士难以确定投资时程。据ET News报导，三星和SK海力士在公布第3季财报时，未明确提及2016年度的投资计划。第4季投入拟定2016年的事业计划，设备投资动态不透明，让韩国设备业者焦躁不安。

　　三星和SK海力士推测2016年存储器芯片需求将和2015年水准相近。20纳米DRAM制程转换和3D NAND Flash的堆叠技术，将使企业间成本竞争力产生差距，影响市占率和业绩。

　　三星第3季累计投资19.2兆韩元(约169亿美元)，年度设备投资计划已执行72%。市场上3D NAND和DRAM供不应求，将进行扩产，但2016年可能会维持目前设备水准。

　　三星存储器行销组专务白志镐(音译)表示，目前NAND Flash生产设备和17产线20纳米DRAM均为全稼动状态，若维持目前设备全稼动水准，2016年不只可达成位元成长目标，甚至可望超越。惟目前不考虑追加设备，将依照市况决定。

　　SK海力士M14厂1楼将使用的设备已大部分搬入，暂时没有大规模DRAM设备投资计划。年底前将完成验证M14厂20纳米级DRAM的生产效益，预计2016年起量产的第三代48层堆叠3D NAND，将左右未来设备投资计划。

　　SK海力士经营支援部社长金俊镐表示，初期将把现有NAND设备转换为3D NAND用，并迅速确保产量。市场上48层3D NAND需求提升，若判断有必要扩产，将会考虑把M14 2楼架构为3D NAND产线的方案。

　　3D NAND成为2016年设备投资的重心，但整体投资规模将不会超过2015年。2015年DRAM维持每月27万片，2016年估计每月提高到27万~28万片水准，但会扩大DDR4和LPDDR4比重，并转换20纳米出头制程。

　　SK海力士截至第3季，设备投资累计已执行5.3兆韩元，年底前将依照原计划，完成6兆韩元以上投资。