矢野经济研究所：SiC功率半导体将在2016年形成市场

　　矢野经济研究所2014年8月4日公布了全球功率半导体市场的调查结果。

　　全球功率半导体市场规模的推移变化和预测(出处：矢野经济研究所) (点击放大)

　　2013年全球功率半导体市场规模(按供货金额计算)比上年增长5.9%，为143.13亿美元。虽然2012年为负增长，但2013年中国市场的需求恢复、汽车领域的稳步增长以及新能源领域设备投资的扩大等起到了推动作用。

　　预计2014年仍将继续增长，2015年以后白色家电、汽车及工业设备领域的需求有望扩大。矢野经济研究所预测，2020年全球功率半导体市场规模(按供货金额计算)将达到294.5亿美元。各类器件方面，预计功率模块的增长率最高，在新一代汽车(HV及EV)、新能源设备及工厂设备等领域的普及有望扩大。

　　在新一代功率半导体SiC方面，以前主要是被用于二极管，而2013年起，一些晶体管也开始采用SiC。2014年下半年起，各元器件厂商开始利用直径为6英寸(150mm)的SiC晶圆实施量产，预计2015～2016年成本将会降低，用途也会进一步扩大。矢野经济研究所预测，2020年新一代功率半导体的全球市场规模(按供货金额计算)将在SiC功率半导体推动下达到28.2亿美元。

　　此次调查的对象为功率半导体厂商、晶圆厂商及系统厂商，于2013年10月～2014年6月实施。涉及的器件包括功率MOSFET、IPD(Intelligent Power Device)、二极管、IGBT、功率模块及双极晶体管等。根据调查数据，将硅功率半导体以及采用SiC及GaN等新一代材料的功率半导体的数据加在一起，计算出了市场规模。