英飞凌重返SiC JFET，实现更智能、更快速的固态配电

Infineon Technologies 开发了用于固态保护和配电设计的新型碳化硅 JFET 系列。这是继 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一产品。

JFET 通过反向偏置 PN 结上的电场来控制电导率，而不是 MOSFET 中使用的绝缘层上的横向电场。

G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss） 和 2.3 mΩ （1200 V BDss） 的超低 R DS（ON），可显著降低导通损耗。大体通道优化的 SiC JFET 在短路和雪崩故障条件下提供高稳健性。

在热应力、过载和故障条件下可预测的开关行为可在连续运行中提供最大的长期可靠性。

CoolSiC JFET 最大限度地减少了导通损耗，提高了固体关断能力，并提供了高稳健性。强大的短路能力、线性模式下的热稳定性和精确的过压控制可实现可靠和高效的系统性能。

这可用于广泛的工业和汽车应用，包括固态断路器 （SSCB）、AI 数据中心热插拔、电子保险丝、电机软启动器、工业安全继电器和汽车电池断路开关。

“凭借 CoolSiC JFET，我们满足了对更智能、更快速、更强大的配电系统日益增长的需求，”英飞凌科技绿色工业电源部门总裁 Peter Waver 博士说。“这种应用驱动的功率半导体技术经过专门设计，旨在为我们的客户提供解决这个快速发展的领域中复杂挑战所需的工具。我们很自豪地推出实现一流 R DS（ON） 的器件，为 SiC 性能树立了新标准，并再次肯定了英飞凌在宽带隙技术领域的领导地位。

这些器件使用 Q-DPAK 顶部冷却封装，可轻松并联和扩展电流处理，从而实现具有灵活布局和集成选项的紧凑型高功率系统。英飞凌 .XT 互连技术采用扩散焊接技术，可应对恶劣应用环境的热和机械挑战。这显著提高了工业电力系统典型的脉冲和循环负载下的瞬态热阻和稳健性。

CoolSiC JFET 系列的工程样品将于 2025 年晚些时候提供，并于 2026 年开始量产。产品组合将进一步扩展，提供各种封装和模块。