三星、SK海力士领军　NAND Flash主导下半年设备投资

　　DRAM与NAND Flash市场预期下半年将持续荣景，主要设备厂商业绩也有望改善。其中的最大幕后推手就是三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)。

　　据ET News指出，最主要的原因就在于下半年的设备投资将以NAND Flash为主，而三星正在扩大3D NAND的产量;SK海力士也正在进行年底量产3D NAND的准备。南韩设备厂光是消化三星、SK海力士的新订单就足以扩大业绩。而美光(Micron)、新帝(Sandisk)、东芝(Toshiba)等厂商也正在如火如荼的准备3D NAND的量产。

　　若将构造由原来以水平组成Cell的2D NAND，改为以垂直堆叠Cell的3D NAND，在生产芯片时，蒸镀以及蚀刻制程的步骤也将增加。虽然曝光制程维持不变，但蒸镀将会增加50~60%左右的步骤，而蚀刻也将增加30~40%。因此，供应蒸镀以及蚀刻设备的IPS、TES以及PSK等南韩设备厂皆有望受惠。

　　3D NAND正以大容量资料储存装置市场为中心，需求快速成长。此外，除了旗舰智能型手机外，中低价智能型手机储存容量的提升，也加速了3D NAND市场的成长脚步。

　　三星电子也开始增设位于大陆西安的3D NAND Flash设备，一般认为，三星将会在大陆西安投资量产48阶层3D NAND。到2016年初为止，预期将会增设3.5万片的规模。之后，也预期三星会将原来的32阶层NAND转换为48阶层。

　　随着三星的扩产，预期将有望强化在3D NAND Flash市场的主导权。目前市场上虽然只有三星已量产3D NAND Flash，但日后随着竞争对手技术的提升，有可能将会侵蚀三星既有的市场版图。

　　市调机构IHS指出，全球NAND Flash市场上，2015年3D产品比重约为4.5%。2016年则将快速提升到21.2%，到了2017年时则将达到近半的41.2%，成长速度惊人。因此不只是三星，SK海力士、东芝等业者，都计划在下半年开始进军3D NAND Flash市场。

　　SK海力士第二代36层3D NAND研发作业将在第3季初完成，目前正在进行下半年量产3D NAND的准备。2015年底将着手对第三代48层3D NAND进行验证，开启第三代NAND时代。

　　此外，东芝和新帝、美光和英特尔(Intel)也开始建立策略合作关系，共同研发3D NAND。据悉，东芝将于2016年上半将在日本四日市工厂量产128Gb 48层3D NAND。而美光和英特尔则是计划在年底量产256Gb 32层堆叠MLC NAND和384Gb容量TLC NAND。

　　另一方面，DRAM由于微细制程的转换，也预告了另外一波的投资潮。据悉，三星目前20纳米DRAM比重，到第2季为止，约已扩大到20%左右的水准。而SK海力士25纳米DRAM量尺比重，在第2季也已调整至60%左右。除了25纳米以外，SK海力士也有可能会量产20纳米DRAM，对此南韩设备厂的期待甚高。

　　最后，系统芯片量产投资也是备受瞩目的领域。南韩业界指出，三星17产线已经优先选择DRAM生产，不久应该也会决定是否要投资系统芯片。三星最终到底是会选择DRAM设备?还是系统芯片设备?更是近期所注目的焦点。