分析师预言英特尔10纳米技术细节

　　最近有位半导体产业分析师针对英特尔(Intel)将在下两个制程世代使用的技术，提出了大胆且详细的预测;如果他的预言成真，意味着晶片龙头英特尔又将大幅超前其他半导体同业。

　　这位分析师David Kanter在他自己的网站发表一篇分析文章(参考连结)，指出英特尔将会在10奈米节点采用量子阱(quantum well) FET;这种新的电晶体架构将会采用两种新材料──以砷化铟镓(indium gallium arsenide，InGaAs)制作n型电晶体，以应变锗(strained germanium)制作p型电晶体。

　　若预测正确，英特尔最快在2016年可开始生产10奈米制程电晶体，且功耗能比其他制程技术低200毫伏(millivolts);Kanter预期，其他半导体制造业者在7奈米节点之前难以追上英特尔的技术，差距约是两年。Kanter指出，英特尔可能还要花一年多的时间才会公布其10奈米制程计画，而他自认其预测有八九成的准确度。

　　英特尔曾在2009年的IEDM会议论文透露其正在开发的InGaAs制程技术

　　Kanter的分析文章是根据对英特尔在年度IEEE国际电子元件会议(IEDM)发表的数十篇篇论文研究所得，此外还有英特尔与晶片制造相关的专利;他在接受EETimes美国版访问时表示：“我所看到的一切都朝这个方向发展;问题应该不在于英特尔会不会制作量子阱FET，而是他们会在10奈米或7奈米节点开始进行。”

　　“在电晶体通道采用复合半导体材料并非只有英特尔一家在研究，但显然到目前为止没有人做到像英特尔所发表的这么多;”Kanter指出：“英特尔在锗材料方面的论文与专利很少，但该技术较广为人知。”此外他预期英特尔会采用纯锗，不过也可能会透过先采用矽锗(silicon germanium)来达到该目标。

　　Kanter并表示他在发表分析文章之前，曾提供内容给英特尔看;不过该公司婉拒发表任何相关评论。