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秒杀骁龙810?初探三星Galaxy S6芯 Exynos 7420

作者:时间:2015-03-09来源:爱搞机收藏

  今年Galaxy S6的发布会上着重介绍了性能,这也难怪,毕竟本次S6的处理器使用了目前手机处理器之中最先进的14nm FinFET工艺制造,相对使用20nm的骁龙810处理器有着明显优势,那么这颗新处理器到底有多强?请跟随我们一起来初步探究吧。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/270624.htm

  

 

  7420处理器最大亮点在于使用了自己的14nm FinFET工艺制作,该工艺是目前手机处理器上最先进的之一——台积电的16nm工艺尚未实现量产,而7420的竞争对手Snapdragon 810处理器使用的还是20nm工艺,从制程工艺的数值上面来说,自然是越小越好,因为晶体管之间的距离越小,那么相对来说能耗就更低,性能就更强,但若是晶体管之间距离太小则会导致芯片不同部分之间发生漏电流(Leakage)现象,而FinFET工艺为了解决该问题,会在两个传导通道之间加入一层很薄的硅“鳍”。

  

 

  英特尔公布的FinFET电子显微镜照片

  FinFET全称Fin Field-Effect Transistor(鳍式场效晶体管),是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。Fin是鱼鳍的意思,FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性,由加州大学伯克利分校的胡正明发明,其工作原理是将晶体管由传统的平面结构变为3D结构,可在电路的两侧控制电路接通和断开,此种设计能够大幅度改善电路控制并减少漏电流(Leakage),同时也能够大幅度缩短晶体管的闸长。

  最早商业化使用FinFET技术的公司是英特尔,该公司在2011年推出了22nm的FinFET工艺,目前包括、台积电和Global Foundries等在内的半导体厂家已经积极投身于FinFET的研究和推进工作。

  

 

  众所周知,对于相同的处理器架构来说,更低的功耗意味着更低的发热,在功耗允许的情况下也能够尽可能提升频率,或者在同样频率下能够节省宝贵的电力,而在Exynos 7420这款处理器上面对于上面的特性都有一定的体现。

  

 

  Exynos 7420并没有特别革命性的架构进步,依旧使用了来自于ARM的四核心Cortex-A57+四核心Cortex-A53的大小核架构以及Mali-T760 GPU,若要说市面上哪款移动处理器和它最为相似,那自然是应用在部分版本Galaxy Note 4上面的,师出同门的Exynos 5433了。

  

 

  虽然ARM刚刚发布了最新的高性能CPU架构Cortex-A72,但是要想三星立刻生产出量产制品依旧是不现实的,使用A57+A53的设计来平衡功耗和性能也是很正常的做法,原则上来说后台轻度的应用会交给A53核心来处理,在需要高性能的时候,A57则会投入工作,Exynos 7420自然也是支持GTS(Global Task Scheduling),也就是八核心同时投入工作,以及动态核心电压频率调整功能。

  Exynos 7420自然也加入了对ARM的AArch64的,虽然理论上来说所有A53和A57的CPU都应当具有对AArch64的支持,但是三星Exynos 5433则被三星人为地限制在了AArch32上面,也就是说目前暂时不具备64位计算能力。

  

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关键词: 三星 Galaxy S6

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