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晶体管原理

作者:蒋雅娴时间:2015-07-27来源:电子产品世界

  导读:本文主要讲述的是的原理,感兴趣的童鞋们快来学习一下吧~~~很涨姿势的哦~~~

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/277852.htm

1.原理--简介

  是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关,基于输入的电压,控制流出的电流,因此晶体管可做为电流的开关,开关速度可以非常之快。严格意义上讲,晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件,包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。

2.--结构

  晶体管内部是由两个PN结构成的,其三个电极分别为集电极(用字母C或c表示),基极(用字母B或b表示)和发射机(用字母E或e表示)。根据结构不同,晶体管可以分为PNP型和NPN型两类。在电路图形符号上可以看出两种类型晶体管的发射极箭头(代表集电极电流的方向)不同。PNP型晶体管的发射极箭头朝内,NPN型晶体管的发射极箭头朝外。

3.

  依据晶体管两个PN结的偏置情况,晶体管的工作状态有放大、饱和、截止和倒置四种。以NPN型晶体管为例,NPN型晶体管的工作原理图及等效电路图如下图所示。

  晶体管工作在放大状态:发射结正向偏置,集电结反向偏置。

  晶体管工作在饱和状态:发射结正向偏置,集电结正向偏置。其特点为:UCE≤UBE,集电极正向偏置。IC≠βIB,IB失去了对IC的控制。

  晶体管工作在截止状态:发射结反向偏置,集电结反向偏置。其特点为:发射结反偏;IC=ICBO;IB= - ICBO 。

  晶体管工作在倒置状态:发射结反向偏置,集电结正向偏置。其特点为:集电区扩散到基区的多子较少;发射区收集基区的非平衡少数载流子的能力小;晶体管的电流放大系数很小。

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