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晶体管 文章 进入晶体管技术社区

晶体管、MOS管、IGBT辨别与区分

  •   晶体管、MOS管、IGBT管是常见的电力电子控制器件。电流触发晶体管只能控制开启,不能控制关闭属于半可控件;电压触发MOS管、IGBT管既可以控制开启,也可以控制关断属于全可控件。搞懂控件的特点对电力电子器件维修尤为重要,小编根据所学及理解做如下总结,希望能给大家一些帮助。一、晶闸管  1、别名:可控硅是一种大功率半导体器件,常用做交流开关,触发电流>50毫安  2、特点:体积小、重量轻、无噪声、寿命长、容量大、耐高压、耐大电流、大功率  3、主要应用领域:整流、逆变、变频、斩波(直流-
  • 关键字: IGBT  晶体管  MOS管  

Applied Materials公布适用于3nm与GAA晶体管制造的下一代工具

  • 上月,三星代工(Samsung Foundry)部门悄然宣布,其定于 2022 年 2 季度开始使用 3GAE 技术工艺来生产芯片。作为业内首个采用 GAA 晶体管的 3nm 制程工艺,可知这一术语特指“3nm”、“环栅晶体管”、以及“早期”。不过想要高效地制造 GAA 晶体管,晶圆厂还必须装备全新的生产工具。 而来自应用材料(Applied Materials)公司的下一代工具,就将为包括三星在内的晶圆厂提供 GAA 芯片的制造支持。(来自:Applied Materials 官网 ,via
  • 关键字: 3nm  晶体管  

应用材料推出运用EUV延展2D微缩与3D环绕闸极晶体管技术

  • 半导体设备大厂应用材料推出多项创新技术,协助客户运用极紫外光(EUV)持续进行2D微缩,并展示业界最完整的次世代3D环绕闸极(Gate-All-Around,GAA)晶体管制造技术组合。芯片制造商正试图透过两个可相互搭配的途径来增加未来几年的晶体管密度。一种是依循传统摩尔定律的2D微缩技术,使用EUV微影系统与材料工程以缩小线宽。另一种是使用设计技术优化(DTCO)与3D技术,巧妙地藉由优化逻辑单元布局来增加密度,而不需要改变微影间距。第二种方法需要使用晶背电源分配网络与环绕闸极晶体管,随着传统2D微缩技
  • 关键字: 应用材料  EUV  2D微缩  3D环绕闸极  晶体管  

揭秘3nm/2nm工艺的新一代晶体管结构

晶体管分类有哪些?收藏这一张图就够了!

  • 本文来自公众号:8号线攻城狮,主要介绍了晶体管分类,并以NPN BJT为例,分析了晶体管的参数和特性。
  • 关键字: 晶体管  NPN  PNP  MOSFET  JFET  

台积电披露3nm工艺更多细节信息 晶体管密度是5nm工艺1.7倍

  • 据国外媒体报道,正如外媒此前所预期的一样,芯片代工商台积电在今日开始的全球技术论坛上,披露了下一代先进工艺3nm的更多细节信息。2020年的台积电全球技术论坛,是他们举行的第二十六届全球技术论坛,论坛上分享了第一代5nm、第二代5nm、4nm等先进工艺方面的信息,但在5nm工艺已经投产的情况下,外界最期待的还是5nm之后的下一个全新工艺节点3nm工艺。在今天的论坛上,台积电也披露了3nm工艺的相关信息。他们的3nm工艺,仍将继续使用鳍式场效应(FinFET)晶体管,不会采用三星计划在3nm工艺节点上使用的
  • 关键字: 台积电  3nm  5nm  晶体管  

Intel 5年内量产纳米线/纳米带晶体管!搭档3nm?

  • Intel这几年虽然在制造工艺上步伐慢了很多,但是说起半导体前沿技术研究和储备,Intel的实力仍是行业数一数二的。在近日的国际超大规模集成电路会议上,Intel首席技术官、Intel实验室总监Mike Mayberry就畅谈了未来的晶体管结构研究,包括GAA环绕栅极、2D MBCFET多桥-通道场效应管纳米片结构,乃至最终摆脱CMOS。FinFET立体晶体管是Intel 22nm、台积电16nm、三星14nm工艺节点上引入的,仍在持续推进,而接下来最有希望的变革就是GAA环绕栅极结构,重新设计晶体管底层
  • 关键字: 英特尔  CPU处理器  晶体管  3nm  

台积电3nm细节公布:2.5亿晶体管/mm2 能耗性能大提升

  • 近日,台积电正式披露了其最新3nm工艺的细节详情,其晶体管密度达到了破天荒的2.5亿/mm2!
  • 关键字: 台积电  晶体管  3nm  

比官方宣传还猛!台积电5nm晶体管密度比7nm提高88%

  • 一般来说,官方宣传数据都是最理想的状态,有时候还会掺杂一些水分,但是你见过实测比官方数字更漂亮的吗?台积电已在本月开始5nm工艺的试产,第二季度内投入规模量产,苹果A14、华为麒麟1020、AMD Zen 4等处理器都会使用它,而且消息称初期产能已经被客户完全包圆,尤其是苹果占了最大头。台积电尚未公布5nm工艺的具体指标,只知道会大规模集成EUV极紫外光刻技术,不过在一篇论文中披露了一张晶体管结构侧视图。WikiChips经过分析后估计,台积电5nm的栅极间距为48nm,金属间距则是30nm,鳍片间距25
  • 关键字: 台积电  晶体管  5nm  

全球进入存量竞争 半导体行业迎来国产替代机遇期

  •   全球半导体行业已经进入存量竞争的时代,受益于5G、物联网、新能源汽车产业的优势,中国半导体行业将继续保持较高增速。根据前瞻产业研究院数据,2022年中国半导体市场规模达到12925亿人民币。在半导体第三次转移的趋势和国家的大力支持下,国产半导体公司将在未来10年迎来发展的黄金时期,值得投资者密切关注  国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司10月22日注册成立,注册资本2041.5亿元,略超此前市场预期的2000亿元。根据《关于征集浙江省数字经济产业投资基金项目的通知》显示,大基金二期主要聚焦集成电
  • 关键字: 晶体管  半导体  

“驯服”锂离子 创造一个“超长待机”的世界

  • 2019年,诺贝尔化学奖颁发给了研发锂离子电池的科学家。  好事多磨,众望所归。  三位科学家,他们“驯服”了锂离子,为所有人创造了一个可重复充电“超长待机”的世界。时至今日,锂离子电池这种轻巧、可充电且功能强大的发明,出现在每个人都熟悉不已的手机、笔记本电脑、电动汽车等几乎所有电子类产品中。它还可以存储来自太阳能和风能的巨大能量,从而使无化石燃料社会成为可能。  人人都爱锂离子电池  现在,于全球范围内,你都能看到锂离子电池正在为人类的日常活动提供动力。其中最常见的方式就是为便携式电子设备供电。  我们
  • 关键字: 锂电池  晶体管  电子  

赛灵思发布世界最大FPGA芯片:350亿晶体管

  • 赛灵思(Xilinx)今天宣布推出世界最大的FPGA芯片“Virtex UltraScale+ VU19P”,拥有多达350亿个晶体管,密度在同类产品中也是最大的,相比上代Virtex UltraScale VU440增大了1.6倍,而功耗降低了60%。虽然具体面积没有公布,和日前那个1.2万亿晶体管、46225平方毫米、AI计算专用的世界最大芯片不在一个数量级,但在FPGA的世界里,绝对是个超级庞然大物,从官方图看已经可以盖住一个马克杯的杯口。相比之下,AMD 64核心的二代霄龙为320亿个晶体管,NV
  • 关键字: 芯片  晶体管  FPGA  赛灵思  

关于罗姆受让Panasonic公司半导体元器件业务

  • 全球知名半导体制造商罗姆(董事长藤原忠信、总部位于日本京都)近日决定从Panasonic公司(董事长津贺一宏、总部位于日本大阪府门真市,以下简称“Panasonic”)受让半导体业务部门(Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.)经营的二极管及部分晶体管业务。预计受让时间为2019年10月,之后将由罗姆对Panasonic的客户进行相应产品的销售。1.业务受让的背景和目标罗姆将半导体元件业务定位为罗姆集团的核心业务,自20世纪60年代以来不断地开展开发、生产与
  • 关键字: 罗姆,晶体管,二极管业务  

德国开发单原子量子晶体管 计算机能耗或降低1万倍

  •   德国卡尔斯鲁厄理工学院一个研究团队开发了仅有一个原子组成的量子晶体管,而且能够在室温下运行。这一研究开启了计算能力和效率的新篇章。控制电子信号传输的晶体管是现代电子产品的基础。在逾半个世纪以来,晶体管尺寸和能耗的稳步降低,一直是推动计算能力增长的基本动力。  新型晶体管依靠移动一个银原子开启或关闭电路。材料科学新闻Nanowerk称这种晶体管是世界上最小的晶体管。更重要的是,新型晶体管被描述为“量子开关”,这意味着它可以比目前的晶体管携带更复杂的信息。  德国研究团队最值得关注的声明是,新型晶体管可以
  • 关键字: 晶体管  

采用氮化镓场效应晶体管设计的包络跟踪电源 支持20 MHz LTE带宽

  • 本篇文章将进一步阐述面向使用第四代移动通信技术(4G)LTE频带的无线通信基站基础设施并采用EPC8004高频氮化镓场效应晶体管设计的包络跟踪电源。包络跟
  • 关键字: 晶体管  电源  
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晶体管介绍

【简介】   晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关,基于输入的电压,控制流出的电流,因此晶体管可做为电流的开关,和一般机械开关(如Relay、switch)不同处在于晶体管是利用电讯号来控制,而且开关速度可以非常之快,在实验室中的切换速度可达100GHz以上。   半导体三极管,是内部含有两个P [ 查看详细 ]
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