以物理学规则来看，电晶体的最小尺寸被认为是5奈米，但透过采用碳奈米管制作电晶体闸极，这个极限已经被突破…
碳奈米管从过去几十年就已经用于制作实验性电晶体，但大多是当做电晶体通道(channel);美国劳伦斯柏克莱国家实验室(Lawrence Berkeley National Laboratory)的研究人员则是以奈米碳管制作闸极(gate)，并因此实现了号称全世界最小的电晶体。
采用二硫化钼(molybdenum disulfide)通道与单奈米
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1nm 晶体管
随着芯片技术的发展，摩尔定律所预言的发展轨迹似乎已逼近终点。这意味着，固守传统思路的芯片制造商将举步维艰。
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1nm 晶体管
晶体管的制程大小一直是计算技术进步的硬指标。晶体管越小，同样体积的芯片上就能集成更多，这样一来处理器的性能和功耗都能会获得巨大进步。
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1nm 晶体管
北京时间10月7日晚间消息，美国劳伦斯伯克力国家实验室(以下简称“伯克力实验室”)教授阿里-加维(Ali Javey)领导的一个研究小组日前利用碳纳米管和一种称为二硫化钼的化合物开发出了全球最小的晶体管。
晶体管由三个终端组成：源极(Source)、漏极(Drain)和栅极(Gate)。电流从源极流到漏极，由栅极来控制，后者会根据所施加的电压打开和关闭。
伯克力实验室研究人员苏杰伊-德赛(Sujay Desai)称：“长期以来，半导体行业一直认为，任何小
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摩尔定律 晶体管
在指针式万用电表中，测量晶体管直流电流放大倍数是通过直流电流表(通常在1.5V标称电压下，标准量程为5mA)测量的。随着电池电压的减小，通过调节电阻档的零欧姆电位器以使电流表达到满度，由于电流表偏离标准量程，也就造成了测量误差。文中分析了当电池电压从1.65V降至1.35V过程中所产生的误差值。取其中的最大值作为技术指标中的误差值。而一般厂家在技术指标中，没有给出该误差值或精度等级。
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万用电表 晶体管 电流放大倍数 误差分析 201609
利用半导体的特性，每个管子工作原理个不同，你可以找机电方面的书看
下图中的S是指源极(Source)，D是指漏极(Drain)，G是栅极(Gate)。晶体管的工作原理其实很简单，就是用两个状态表示二进制的“0”和“1”。
源极和漏极之间是沟道(Channel)，当没有对栅极(G)施加电压的时候，沟道中不会聚集有效的电荷，源极(S)和漏极(S)之间不会有有效电流产生，晶体管处于关闭状态。可以把这种关闭的状态解释为&l
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晶体管
本月早些时候公布的2015年半导体国际技术路线图显示，经过50多年的小型化，晶体管可能将在短短五年间停止缩减。该报告的预测，到2021年之后，继续缩微处理器当中小晶体管的尺寸，对公司来说不再经济。相反，芯片制造商将使用其它手段提升晶体管密度，即从水平专到垂直，建立多层电路。
一些人认为，这一变化将有可能被解释为摩尔定律死亡的另外一种方式。雪上加霜的是，这是最后一份ITRS路线图。目前，半导体行业协会和半导体研究公司已经分道扬镳，就摩尔定律死亡之后，寻找和制定新的半导体发展路线图。预计其他ITRS
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摩尔定律 晶体管
一、晶体管放大电路的概述
由三极管组成的放大电路，它的主要作用是将微弱的电信号(电压、电流)放大成为所需要的较强的电信号。根据放大电路输入、输出回路变化信号公共端的晶体管电极，我们把晶体管放大电路分为共射、共基、共集三类。
二、单管共射放大电路的组成及元件作用
单管共发射极电路(如下图)需要放大的电压信号Ui接在放大电路输入端;放大后的电压Uo，从放大电路的集电极与发射极输出。发射极E是输入信号和输出信号的公共端，组成共发射极放大电路。
三极管V：实
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晶体管 放大电路
文章主要介绍能驱动压电管的高压放大器，感性趣的朋友可以看看。 在扫描隧道显微镜中驱动操作装置的压电管状定位器需要使用高压低电流驱动电路。图1所示电路具有6 kHz的-3dB带宽，可驱动高阻低电容的压电负载。该电路成本低，可代替商用驱动器。晶体管Q3和Q4构成了一个电流反射镜，R3设定Q4的集电极电流。该集电极电流可由IC3=IC4=[VCC-(-VCC)-VBE(Q4)]/R3公式确定。运算放大器IC1为Q5提供基极驱动，Q5又驱动Q6。当IC1输入端无信号时，Q6和Q3的集电极电流平衡，
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晶体管
我前面说过：谈论饱和不能不提负载电阻。现在再作详细一点的解释。
借用杨真人提供的那幅某晶体管的输出特性曲线。由于原来的Vce仅画到2.0V为止，为了说明方便，我向右延伸到了4.0V。
如果电源电压为V，负载电阻为R，那么Vce与Ic受以下关系式的约束：
Ic = (V-Vce)/R
在晶体管的输出特性曲线图上，上述关系式是一条斜线，斜率是 -1/R，X轴上的截距是电源电压V，Y轴上的截距是V/R(也就是前面NE5532第2帖说的“Ic(max)是指在假定e、c极短路
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晶体管
美国宾州大学(Penn State)的材料科学家采用一种将二氧化钒结合于电子元件的新技术，发现了可提升电晶体效能的新方法。
“目前的电晶体技术难以取代，因为半导体己经进展得如此有声有色，”宾州大学材料科学与工程系助理教授Roman Engel-Herbert解释。“但还有一些材料，如二氧化钒可以添加在现有的元件中，使其效能表现更好。”
研究人员们已经知二氧化钒有一种不寻常的特性称为“金属-绝缘体转变”。在金属状态下，电
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二氧化钒 晶体管
Q3是一个PNP型开关，此开关控制另一PNP型开关Q4，Q5是另另一NPN型开关，与本文无关。
实验是想研究Q3偏置电阻对Q4导通情况的影响。电路的设计需求是Q3导通Q4截止，反之亦然。然而可能在Q3导通而VCE较大时，Q4也随之导通。这种情况在Q3负载电容R29固定时，往往是由R27取特定范围值导致的。在PSpice中做个DC扫描，R27从100k变化到10M，结果发现Q3确实不用完全关断Q4就导通了，而且R29的电流不会降低太多，也就是R29的分压没降低多少Q4即可导通，此时Q3对R29分压
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晶体管 开关电路
1、PNP管做旁路晶体管时，虽然压降较小，但其输出阻抗大，需要特定的ESR的电容才能稳定，同时允许的功率耗散较小，应小心在重载条件下使用。
2、因为晶体管的基极电流较大，导致当晶体管做耗散管时，芯片的接地电流常常较大(几个mA甚至数十个mA)，在电池供电的应用中，这可能会大大缩短电池的寿命!
3、因为线性稳压器是通过消耗功率来获得输出电压的稳定，功率的消耗将主要转化为热量，因此，当线性稳压器芯片太烫的时候，一定要考虑是否在其上消耗了过多的能量。
4、A/D转换器的类型和特点：
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PNP 晶体管
Lightwave报道，斯坦福大学的研究者最近在美国光学学会OSA的Optica杂志撰文称找到一种利用基于MZ干涉仪的网状结构来构建多种光网络用光器件的办法。
斯坦福大学电子系David A. B. Miller博士在他的文章“基于不完美器件的完美光学技术”中指出，最近，学者们开始发现干涉仪可以用来构建几乎任何可以想到的光学器件。对干涉仪网的研究可以开启未来利用光学器件代替现在的电子器件来进行线性工作的大门。
根据Miller博士的描述，
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晶体管 集成光路核心单元
根据国外媒体报道，有研究者最近研发出了一种可在1秒钟内开合900亿次的LED发光设备，可作为光计算技术的应用基础。
目前，智能手机的电池内部拥有多达数十亿的晶体管，它们使用了可在每秒开合数十亿次的电子来进行供电。但如果微芯片可以使用光子而非电子来处理和传输数据，计算机的运行速度就能得到大幅提升。不过首先，研究者们需要开发出能够快速开合的光源。
虽然激光可以满足这种要求，但它们存在能耗过高和发射装置体积过大的问题，因此并不适合在计算机内部工作。而现在，杜克大学所开发出的这种快速发光设备让研究
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晶体管 LED
晶体管介绍
【简介】
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。
半导体三极管，是内部含有两个P [
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