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晶体管 文章

晶体管温度补偿电路图

  • 温度升高,电流增大,NTC热敏电阻阻值下降,Ub下降,Ib减小,稳定晶体管静态工作点。
  • 关键字: 晶体管  温度补偿  

晶体管输出驱动电路

氮化镓(GaN)晶体管设备越薄越冷

  •   伊利诺伊大学研究人员开发出新的氮化镓(GaN)热控制方法   GaN晶体管比传统的硅晶体管具有更高的功率密度,可以在较高温度下运行(500℃以下),但像所有半导体那样,GaN晶体管也产生过多的热量,这会限制他们的性能。   基于散热器和风扇的冷却方法增加成本和体积。现在,一个来自伊利诺伊大学微纳米技术实验室的研究团队创造了一种新的方法,他们声称该方法简单而且低成本。   采用计算机辅助设计,坎·拜拉姆的团队已经证明,GaN层的厚度在过热中起很大作用,影响设备的热预期和最终性能。
  • 关键字: 氮化镓  晶体管  

晶体管或稳压器并联后可以取消散热器

  • 引言双极结型晶体管(BJT)看起来像老式的电子元件,但由于具有低成本和卓越参数的优点,它们可以解决许多问题。我们可以发现过去由于这些元件太高成本而不可能实现的新应用,比如我们可以在某些情况下用多个并联的小
  • 关键字: 晶体管  稳压器  

1nm晶体管现身!

  •   以物理学规则来看,电晶体的最小尺寸被认为是5奈米,但透过采用碳奈米管制作电晶体闸极,这个极限已经被突破…   碳奈米管从过去几十年就已经用于制作实验性电晶体,但大多是当做电晶体通道(channel);美国劳伦斯柏克莱国家实验室(Lawrence Berkeley National Laboratory)的研究人员则是以奈米碳管制作闸极(gate),并因此实现了号称全世界最小的电晶体。        采用二硫化钼(molybdenum disulfide)通道与单奈米
  • 关键字: 1nm  晶体管  

1nm晶体管能否改写摩尔定律的命运?

  • 随着芯片技术的发展,摩尔定律所预言的发展轨迹似乎已逼近终点。这意味着,固守传统思路的芯片制造商将举步维艰。
  • 关键字: 1nm  晶体管  

计算技术界的重大突破:1nm晶体管诞生

  • 晶体管的制程大小一直是计算技术进步的硬指标。晶体管越小,同样体积的芯片上就能集成更多,这样一来处理器的性能和功耗都能会获得巨大进步。
  • 关键字: 1nm  晶体管  

研究人员开发出全球最小晶体管 摩尔定律仍将长期生效

  •   北京时间10月7日晚间消息,美国劳伦斯伯克力国家实验室(以下简称“伯克力实验室”)教授阿里-加维(Ali Javey)领导的一个研究小组日前利用碳纳米管和一种称为二硫化钼的化合物开发出了全球最小的晶体管。   晶体管由三个终端组成:源极(Source)、漏极(Drain)和栅极(Gate)。电流从源极流到漏极,由栅极来控制,后者会根据所施加的电压打开和关闭。   伯克力实验室研究人员苏杰伊-德赛(Sujay Desai)称:“长期以来,半导体行业一直认为,任何小
  • 关键字: 摩尔定律  晶体管  

指针式万用电表中晶体管直流电流放大倍数的测量原理和误差分析

  • 在指针式万用电表中,测量晶体管直流电流放大倍数是通过直流电流表(通常在1.5V标称电压下,标准量程为5mA)测量的。随着电池电压的减小,通过调节电阻档的零欧姆电位器以使电流表达到满度,由于电流表偏离标准量程,也就造成了测量误差。文中分析了当电池电压从1.65V降至1.35V过程中所产生的误差值。取其中的最大值作为技术指标中的误差值。而一般厂家在技术指标中,没有给出该误差值或精度等级。
  • 关键字: 万用电表  晶体管  电流放大倍数  误差分析  201609  

【E问E答】晶体管工作原理是什么?

  •   利用半导体的特性,每个管子工作原理个不同,你可以找机电方面的书看   下图中的S是指源极(Source),D是指漏极(Drain),G是栅极(Gate)。晶体管的工作原理其实很简单,就是用两个状态表示二进制的“0”和“1”。        源极和漏极之间是沟道(Channel),当没有对栅极(G)施加电压的时候,沟道中不会聚集有效的电荷,源极(S)和漏极(S)之间不会有有效电流产生,晶体管处于关闭状态。可以把这种关闭的状态解释为&l
  • 关键字: 晶体管  

摩尔定律预言晶体管将在2021年停止缩减 准不准?

  •   本月早些时候公布的2015年半导体国际技术路线图显示,经过50多年的小型化,晶体管可能将在短短五年间停止缩减。该报告的预测,到2021年之后,继续缩微处理器当中小晶体管的尺寸,对公司来说不再经济。相反,芯片制造商将使用其它手段提升晶体管密度,即从水平专到垂直,建立多层电路。   一些人认为,这一变化将有可能被解释为摩尔定律死亡的另外一种方式。雪上加霜的是,这是最后一份ITRS路线图。目前,半导体行业协会和半导体研究公司已经分道扬镳,就摩尔定律死亡之后,寻找和制定新的半导体发展路线图。预计其他ITRS
  • 关键字: 摩尔定律  晶体管  

单管共射放大电路的相关知识

  •   一、晶体管放大电路的概述   由三极管组成的放大电路,它的主要作用是将微弱的电信号(电压、电流)放大成为所需要的较强的电信号。根据放大电路输入、输出回路变化信号公共端的晶体管电极,我们把晶体管放大电路分为共射、共基、共集三类。   二、单管共射放大电路的组成及元件作用   单管共发射极电路(如下图)需要放大的电压信号Ui接在放大电路输入端;放大后的电压Uo,从放大电路的集电极与发射极输出。发射极E是输入信号和输出信号的公共端,组成共发射极放大电路。        三极管V:实
  • 关键字: 晶体管  放大电路  

一款驱动压电管的高压放大器

  •   文章主要介绍能驱动压电管的高压放大器,感性趣的朋友可以看看。  在扫描隧道显微镜中驱动操作装置的压电管状定位器需要使用高压低电流驱动电路。图1所示电路具有6 kHz的-3dB带宽,可驱动高阻低电容的压电负载。该电路成本低,可代替商用驱动器。晶体管Q3和Q4构成了一个电流反射镜,R3设定Q4的集电极电流。该集电极电流可由IC3=IC4=[VCC-(-VCC)-VBE(Q4)]/R3公式确定。运算放大器IC1为Q5提供基极驱动,Q5又驱动Q6。当IC1输入端无信号时,Q6和Q3的集电极电流平衡,
  • 关键字: 晶体管  

从晶体管特性曲线看饱和问题

  •   我前面说过:谈论饱和不能不提负载电阻。现在再作详细一点的解释。   借用杨真人提供的那幅某晶体管的输出特性曲线。由于原来的Vce仅画到2.0V为止,为了说明方便,我向右延伸到了4.0V。   如果电源电压为V,负载电阻为R,那么Vce与Ic受以下关系式的约束:   Ic = (V-Vce)/R   在晶体管的输出特性曲线图上,上述关系式是一条斜线,斜率是 -1/R,X轴上的截距是电源电压V,Y轴上的截距是V/R(也就是前面NE5532第2帖说的“Ic(max)是指在假定e、c极短路
  • 关键字: 晶体管  

石墨烯不具备半导体性质也能制造晶体管了

  • 石墨烯喊了十几年了,硅用几十年,现在石墨烯代替硅的时间快到了。
  • 关键字: 石墨烯  晶体管  
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晶体管介绍

【简介】   晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关,基于输入的电压,控制流出的电流,因此晶体管可做为电流的开关,和一般机械开关(如Relay、switch)不同处在于晶体管是利用电讯号来控制,而且开关速度可以非常之快,在实验室中的切换速度可达100GHz以上。   半导体三极管,是内部含有两个P [ 查看详细 ]

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