德国的研究人员报告说，在分子束外延 （MBE） 期间使用的表面平滑技术提高了砷化铟 （InAs） 量子阱 （QW） 在砷化镓 （GaAs） 衬底上的迁移率，特别是在低于 120K 的低温下 [A. Aleksandrova et al， Appl. Phys. Lett.， v126， p232109， 2025]。来自柏林洪堡大学、Institut Kurz GmbH 和 Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik 的团队评论道：“随着表面平滑的引
关键字：
GaAs
InAs
量子阱
迁移率
介绍了一款满足于5G通信发展要求，工作频率高增益，高线性度，高三阶交调点的射频放大器的设计。采用砷化镓异质结晶体管（GaAs HBT）工艺，基于达林顿结构进行设计。在原有结构基础上，添加了偏置结构，一方面提高了放大器工作状态的线性度，提高了三阶交调点指标；另一方面保证晶体管工作电流在-55℃，125℃工作状态下保持稳定。放大器能够工作在10 MHz~4 GHz，输出三阶交调点达到40 dBm，线性度高，适用于5G通信信号处理系统。
关键字：
202306
射频放大器
GaAs HBT
三阶交调点
高线性度
摘要：针对WIFI 6E频段的设备需求，设计了一款工作在5.9 GHz~7.2 GHz的宽带砷化镓异质结双极型晶体
管（GaAs HBT）功率放大器。功率放大器为三级放大拓扑结构，采用自适应偏置电路结构解决HBT晶体管在
大功率输入下偏置点变化及自热效应引起增益及线性度恶化的问题。测试结果表明，在5.9 GHz~7.2 GHz频段
内，功率放大器增益＞27 dB，输出饱和功率＞1 W，附加效率＞24 %，芯片面积：1.24 mm×1.27 mm。关键词：功率放大器；WIFI 6E；GaAs HBT近
关键字：
202206
功率放大器
WIFI 6E
GaAs HBT
在经历2016年相对平稳的一年之后，2017年RF GaAs设备市场收益增长了超过7%。尽管GaAs设备被应用在各种商业和国防应用中，但无线市场仍然是该技术的主要用户。 移动手机将继续定义收益轨迹，但新兴的5G网络部署将有助于未来的增长。 Strategy Analytics高级半导体应用(ASA)服务最新发布的研究报告《RF GaAs设备行业预测：2017年 - 2022年》预测，RF GaAs收益将在预测期结束时突破90亿美元的里程碑。 Strategy Analytics高级半导体应用(ASA
关键字：
RF
GaAs
Analog Devices, Inc. 今日宣布收购位于美国加利福尼亚州Santa Rosa的OneTree Microdevices公司。ADI公司是业界领先的混合信号解决方案供应商，提供从数据转换器、时钟到控制/电源调节等电缆接入解决方案。OneTree Microdevices的GaAs和GaN放大器具有业内最佳的线性度、输出功率和效率，收购该公司及产品组合后，使ADI公司能够支持下一代电缆接入网络的整个信号链。该笔交易的财务条款未予
关键字：
ADI
GaAs
美国高通(Qualcomm)宣布推出一系列全面性的射频前端(RFFE)解决方案，包括首度推出砷化镓(GaAs)多模功率放大器(MMPA)模块，与首款支持载波聚合(Carrier Aggregation，CA)的动态天线调谐解决方案。
稳懋月合并营收
据了解，高通为抢攻GaAs的功率放大器市场大饼已扩大委外，台湾GaAs晶圆代工厂稳懋勇夺代工大单。 稳懋是全球最大GaAs晶圆代工厂，多数智能手机内建PA或RF(射频)组件皆由稳懋代工。 法人表示，稳懋近期股价表现强
关键字：
高通
GaAs
由哥伦比亚大学物理学助理教授Cory Dean，弗吉尼亚大学电气和计算机工程教授Avik Ghosh以及哥伦比亚大学Wang Fong-Jen名誉工程教授James Hone领导的一个团队，第一次直接观察到了在电子通过导电材料中两个区域之间的边界时发生了负折射。这种效应在2007年首次被预测，但一直以来都难以从实验上来证实。研究人员现在能够在石墨烯中观察到了这种效应，证明在原子级别的厚度的材料中，电子表现得像光线一样，可以通过透镜和棱镜等光学器件进行操纵。这项发表9月30日的《科学》杂志上的研究结果可
关键字：
石墨烯
GaAs
5G已经成为通信领域里的重点研究对象，5G 标淮引爆全球群英战，美国率先完成 5G 频谱分配，在 5G 标淮制定中谁掌握话语权，将会在新一代移动通信技术革命中占据先机。而随着2020年5G逐渐步入商用，使物联网逐渐成为现实；以及国防信息化推进加速，化合物半导体将来爆发。
关键字：
5G
GaAs
当前，全球半导体产业正处于深度变革，化合物半导体成为产业发展新的关注点，我国应加紧产业布局，抢占发展的主动权。
关键字：
GaAs
GaN
瑞典隆德4月22日，在一项针对太阳能的重大突破技术上，瑞典的先进材料新兴公司Sol Voltaics AB已经证明其纳米线技术在薄膜上取得了校准和定向的成功。此项成就彰显太阳能纳米线制造迄今最重要的技术里程碑，为光伏(PV)模组实现27%及更高的转换效率铺平了道路—此举将使现今的太阳能模组转换效率提升50%。 纳米线在太阳能发电上展现出了前景可期的特性，但由于高深宽比及材料特性却使纳米线非常难以校准。通过在标准尺寸晶圆上以厘米级控制纳米线的校准和定向，Sol Volta
关键字：
GaAs
模組
本文介绍了一款用于无线局域网802.11n的10W功率放大芯片。该芯片具有高功率、高增益、高效率和高集成度的特点，并且使用方便。芯片采用GaAs HBT技术，芯片面积仅为10mm×10mm。功率放大器采用了热分流式结构，饱和输出功率可达41dBm，功率附加效率达到40%，功率增益为38dB。此外芯片内部设计了50欧姆的输入输出匹配电路与片内ESD保护电路，方便用户安全使用。
关键字：
功率放大器
802.11n
GaAs HBT
热分流
201604
硅基GaN潜力大
近日，MACOM在京召开新闻发布会，MACOM全球销售高级副总裁黄东铉语出惊人，“由MACOM发明的第四代GaN——硅基GaN，由于成本大为降低，将取代目前的SiC基GaN;由于硅基GaN的效率大大提升，也将取代GaA和LDMOS的大部分市场。”
图1 GaN的巨大潜力
如图1，左图绿饼是目前GaN的市场份额;如果把绿饼看成一张饼，就变成右图，右图的绿饼是目前GaN的市场，而未来潜在GaN射频是占绝大部分的蓝海。
关键字：
GaAs
GaN
根据StrategyAnalytics高端半导体应用(ASA)电子数据表模型和GaAs器件预测与前景展望报告显示，手机终端中砷化镓的应用仍然是GaAs器件增长的主要驱动力，GaAs器件市场继2014年创下射频器件收入记录后，有望在今年突破70亿美元大关，预计到2019年总收入将飙升至峰值80亿美元。报告提到，虽然价格侵蚀与技术竞争将削减其增长速度，但是GaAs器件收入将继续保持增长的势头。
报告得出结论，无线应用仍然是GaAs器件的主要市场，占据了总额的约80%。其中,无线应用中的手机终端占据了
关键字：
GaAs
射频器
0 引言
随着无线通信的快速发展和广泛普及，无线系统标准对收发机的性能要求越来越高。功率放大器作为发射机的主要组成部分，其指标决定着发射机的性能，如效率 决定着整机功耗，线性度决定着整机的动态范围，谐波分量大小又是发射机线性度的度量。传统的功率放大器为了获得较高效率，功放管通常会工作于饱和状态，这 时将有大量的谐波分量产生。如果不对谐波分量加以回收和抑制，这不单会造成能量的浪费，降低了其效率，还会对其他信道的信号造成干扰。
通常功率放大器为了获得较高的效率和较低的谐波分量都使得功率放大器工
关键字：
功率放大器
GaAs
“硅是上帝送给人类的礼物，整个芯片业几乎都拿到了这份礼物，无线通信领域应该尽快得到它。”RFaxis公司市场与应用工程副总裁钱永喜日前在接受媒体采访时如是说。他认为传统采用GaAs(砷化镓)或SiGe(硅锗)BiCMOS工艺制造RF射频前端的时代“该结束”了，纯CMOS工艺RF前端IC将在未来十年内主宰移动互联网和物联网时代。
业界对CMOS PA产品的热情一直没有减退。2014年6月，高通(Qualcomm)并购CMOS PA供应商Black S
关键字：
CMOS
GaAs
ZigBee
摘要：本文在试验和理论两个方面，系统研究了芯片热机械应力特征。作者利用红外热成像技术研究了芯片内部热机械应力随工作电流的瞬态变化关系，发现芯片热机械应力随工作电流呈对数增长。同时本文利用有限元方法模拟计算了芯片热机械应力在不同电流密度下与总工作电流的关系，从而验证了上述实验结论，并发现随着电流密度增加芯片内部热机械应力上升速率变快。
引言
随着集成电路技术的发展，电路元件集成度不断提高，尽管芯片总功耗在降低，由于芯片面积和元件尺寸不断减小，导致芯片的热功耗密度不断增大，芯片内部温度和热机械
关键字：
集成电路
热机械应力
红外热成像
GaAs
热膨胀系数
201411
采用电路仿真ADS软件进行了原理图及版图仿真，研究了增益控制电路在放大器中的位置对性能的影响。最终实现了在6~9GHz频率范围内，1 dB压缩点输出功率大于33 dBm,当控制电压在-1~0 V之间变化时，放大器的增益在5~40dB之间变化，增益控制范围达到了35 dB.将功率放大器与增益控制电路制作在同一个单片集成电路上，面积仅为3.5 mm×2.3 mm,具有灵活易用、集成度高和成本低的特点，可广泛应用于卫星通信和数字微波通信等领域。
甚小口径终端(verysmall apert
关键字：
功率放大器
可变增益
GaAs
1、LED芯片的制造流程是怎样的?
LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极，并能满足可接触材料之间最小的压降及提供焊线的压垫，同时尽可能多地出光。渡膜工艺一般用真空蒸镀方法，其主要在1.33×10?4Pa高真空下，用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化，并在低气压下变成金属蒸气沉积在半导体材料表面。一般所用的P型接触金属包括AuBe、AuZn等合金，N面的接触金属常采用AuGeNi合金。镀膜后形成的合金层还需要通过光刻工艺将发光区尽可能多地露出来，使留下来的合金层能满
关键字：
LED
GaAs
全球领先的单芯/单模RF前端模块提供商RFaxis公司宣布，荣获北美Frost&Sullivan技术创新领导大奖。RFaxis致力于单芯/单模RF前端集成电路(RFeIC™)研发，推出独特的无线通信RF前端解决方案。 Frost&Sullivan根据其对于无线通信射频前端模块(RF FEM)市场的最新分析结果，认为RFaxis的创新解决方案实现了卓越性能、功能与经济性的完美结合，已经得到证明是传统GaAs (砷化镓)解决方案的理想替代选项。 传统上，FR
关键字：
RFaxis
Frost&Sullivan
GaAs
RF
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
关键字：
数字射频存储器
GaAs
ADC
比较级电路
PIN二极管广泛应用于限幅器、开关、衰减器、移相器等控制电路中。与MESFET和PHEMT器件相比较，PIN二极管...
关键字：
GaAs
PIN
二极管
单刀双掷开关
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
关键字：
超低噪声
S频段
放大器
GaAs
摘要：射频开关作为一个系统的重要组成部分其性能直接影响整个系统的指标和功能。其中插入损耗和隔离度以及开关速度是射频开关最重要的几个指标。在实际测试中，S波段脉冲信号源需要产生快前沿的窄脉冲信号。在此基于
关键字：
单刀
单掷
开关
GaAs
波段
MMIC
技术
基于
在通信接收器中低噪声放大器(LNA)对于从噪声中析出信号十分关键。控制系统内噪声还有其他技术，包括过滤和低 ...
关键字：
GaAs
PHEMT
MMIC
LNA
根据市场战略研究公司Strategy Analytics分析：全球无线网络基础设施中使用砷化镓（GaAs）半导体的市场预计将增长，从2011年的大约2.05亿美元达到2015年约为3.2亿美元。
关键字：
无线网络
GaAs
随著下游需求回温，自2010年初以来，整体砷化镓 (GaAs)市场需求回升。而在TriQuint、Skyworks及RFMD等全球砷化镓IDM业者纷纷上调2010年度财测后，Avago也宣告调高 2010年2~4月的营收预估值。受惠于此，台系砷化镓晶圆代工厂宏捷科技以及稳懋半导体的单月营收皆持续攀升，市场预期业者的第2季也可望持续优于第1 季表现。
受惠于智能型手机(smartphone)出货量持续成长，带动功率放大器(PA)的需求，也反应在全球各家砷化镓IDM业者的财测中。而台系晶圆代工厂以及
关键字：
GaAs
晶圆代工
数据通信量的增加正在成为回程网络的瓶颈
近年来，宽带用户数量明显增加，并出现了大量手持移动互联网设备(MID)。数据和视频应用已超过话音(参见图1)，导致传输网络的需求量前所未有地急剧增长。市调专业机构ABIResearch最新报告显示，2009年移动通信用户总量将达到43亿，2013年将接近54亿。因此，数据在移动通信中所占比例将迅速增长。保持这种增长势头很大程度上取决于移动用户能否获得积极的宽带体验。为保证各类通信的服务质量(QoS)，收集和传送数据的回程网络必须与用户需求保持同步。
关键字：
TriQuint
3G
4G
GaAs
gaas介绍
您好，目前还没有人创建词条gaas!
欢迎您创建该词条，阐述对gaas的理解，并与今后在此搜索gaas的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473