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载流子迁移率测量方法总结

迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数，它决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。已有很多文章对载流子迁移率的重要性进行研究，但对其测量方法却少有提到。本文对载流子测量方法进行了小结。
关键字：半导体材料迁移率

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迁移率介绍

迁移率在电场作用下，半导体中的载流子作定向漂移运动,由此形成的电流称为漂移电流。在电场强度不太大时，电子和空穴移动的速度（也称漂移速度）vn、vp与电场强度E成正比，可表示为 vn=－mnE 或vp=mpE 式中，mn为电子迁移率；mp为空穴迁移率。迁移率m是单位电场强度引起的载流子的平均漂移速度，其数值与半导体的材料、掺杂浓度、温度等有关。在室温300K时，硅材料的mn =0.13 [ 查看详细 ]

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