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石墨栅极增强石墨烯迁移率以匹配半导体异质结构

• 追求二维材料中原始的电子质量是现代物理学和材料科学进步的核心，曼彻斯特大学的丹尼尔·戈尔巴乔夫和纳鑫领导的团队在这一领域取得了重大突破。研究人员与 Kenji Watanabe 和 Takashi Taniguchi 等同事合作，通过战略性地将石墨栅极放置在极靠近材料的位置，展示了石墨烯电子性能的变革性改进。这种创新方法涉及将栅极放置在仅一纳米之外，可显着减少电荷变化和潜在波动，最终提高石墨烯的迁移率，甚至超过最高质量的半导体异质结构。由此产生的材料表现出卓越的性能，能够观察以前被无序隐藏的微妙量子现象，
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