- 德国的研究人员报告说，在分子束外延 （MBE） 期间使用的表面平滑技术提高了砷化铟 （InAs） 量子阱 （QW） 在砷化镓 （GaAs） 衬底上的迁移率，特别是在低于 120K 的低温下 [A. Aleksandrova et al， Appl. Phys. Lett.， v126， p232109， 2025]。来自柏林洪堡大学、Institut Kurz GmbH 和 Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik 的团队评论道：“随着表面平滑的引
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GaAs InAs 量子阱 迁移率
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