- MOSFET靠什么进军IGBT的应用领域？-两个主要类型的功率晶体管：MOSFET和IGBT非常流行，它们在电源系统设计中已经使用了多年，因此，很容易假定它们之间的差异一直保持不变。本文通过解释最新一代MOSFET和IGBT的工作特性，使用户能够更好地了解最能满足应用需求的最合适的器件类型，并解释了目前的功率晶体管选择的灰色区域。
- 关键字：
晶体管
- 产生零点漂移的原因及解决措施-产生零点漂移的原因很多，任何元件参数的变化（包括电压源电压的波动），都将造成输出电压漂移。实践证明，温度变化是产生零点漂移的主要原因，也是最难克服的因素，这是由于半导体元器件的导电性对温度非常敏感，而温度又很难维持恒定。
- 关键字：
零点漂移 晶体管 耦合
- 晶体管的工作状态判断和工作条件-晶体管是模拟电路中基础的器件，对于电子工程师来说，了解晶体管工作的条件和判断晶体管的工作状态都是非常基础的，本文将带大家一起学习或回顾一下。
- 关键字：
晶体管 模拟电路 三极管
- 射频MOS功率放大电路模拟器的设计方案分析，射频功率放大器的特性与使用好坏分析-窄带的稳定电路是进行一定的增益消耗。这种稳定电路是通过增加一定的消耗电路和选择性电路实现的。这种电路使得晶体管只能在很小的一个频率范围内贡献。另外一种宽带的稳定是引入负反馈。这种电路可以在一个很宽的范围内工作。
- 关键字：
射频 电容 晶体管
- 什么是函数信号发生器，函数信号发生器的作用，函数信号发生器的工作原理-函数信号发生器是一种能提供各种频率、波形和输出电平电信号的设备。在测量各种电信系统或电信设备的振幅特性、频率特性、传输特性及其它电参数时，以及测量元器件的特性与参数时，用作测试的信号源或激励源。
- 关键字：
信号发生器 电容 晶体管
- “英特尔精尖制造日”活动今天举行，展示了英特尔制程工艺的多项重要进展，包括：英特尔10纳米制程功耗和性能的最新细节，英特尔首款10纳米FPGA的计划，并宣布了业内首款面向数据中心应用的64层3D NAND产品已实现商用并出货。
“英特尔遵循摩尔定律，持续向前推进制程工艺，每一代都会带来更强的功能和性能、更高的能效、更低的晶体管成本，”英特尔公司执行副总裁兼制造、运营与销售集团总裁Stacy Smith表示，“很高兴首次在中国与大家分享英
- 关键字：
英特尔 晶体管
- 半导体制造的工艺节点，涉及到多方面的问题，如制造工艺和设备，晶体管的架构、材料等。下面，我们就具体介绍并分析一下，供大家参考。
- 关键字：
半导体 晶体管
- 随着计算机全面进入纳米时代，工程师们发现想要遵循摩尔定律变得越来越难了。
1965 年，Intel创始人戈登·摩尔提出了提出了“摩尔定律”，即集成电路上可容纳的晶体管数量大约每隔 1-2 年便会增加一倍，性能也随之翻倍。
五十多年来，摩尔定律一直有效，但目前业界的预测是，未来 10-15 年，在进行三次技术升级后，芯片制造工艺将达到 5 纳米，这意味着单个晶体管栅极的长度将仅为10个原子大小。在此基础上继续突破几乎是不可能的——
- 关键字：
IBM 晶体管
- 众所周知，电子系统芯片中的晶体管会随着时间而逐渐老化。它们会慢慢变旧，反应变得迟缓，毛病越来越多，甚至突然崩溃死机。不过凡事都有两面性，虽然晶体管老化对电子产品不是好事，但其功耗却随着时间的推移而降低。 在这个快节奏、快消费的年代，人们总是在求新、求快。不光是手机、电脑、汽车，就连我们自身，都想要时尚，新朝，不落伍。如果我想说老有老的好，旧有旧的妙，你一定不能认同。但事实确是如此，我们不妨看几个例子。 我们都知道汽车有一个磨合期，新车在最初的2000公里里程内要注意磨合，以便各个部件比较顺畅地吻合
- 关键字：
晶体管 芯片
- 在电子制作时，经常涉及到需要控制蜂鸣器、继电器、电机等元件，发现晶体管负载的不同接法，效果差别很大，有的接法甚至会导致电路工作不可靠，下面将介绍常见的负载驱动电路、驱动电路及元器件的选择和使用进行讨论。
- 关键字：
晶体管 驱动电路 电机 继电器 驱动负载
- 几种基本类型的开关电源 顾名思义，开关电源就是利用电子开关器件（如晶体管、场效应管、可控硅闸流管等），通过控制电路，使电子开关器件不停地“接通”和“关断”，让电子开关器件对输入电压进行脉冲调制，
- 关键字：
晶体管 开关电源 场效应管
- 此功法电路可谓一装即成，特别适合初学者制作。这款功放一声道只需17个零件，却收到了意想不到的效果，还音效果真实，频响平直，解析力高，且功率可以达到50W。
- 关键字：
晶体管 功放 电路
- 虽然真空管曾经一度是早期电子元器件的基本核心组件，但是截止到上个世纪七十年代，真空管就已基本被半导体晶体管所全部替代。可是，近年来美国航空航天局(NASA)艾姆斯研究中心的研究人员一直在开发可将真空管和现代半导体晶体管的优势融为一体的“纳米真空沟道晶体管”(NVCTs, nanoscale vacuum channel transistors)。
与传统晶体管相比，纳米真空沟道晶体管的速度更快且对高温和辐射等极端环境的抵抗能力更强。这些优势使纳米真空沟道晶体管成为了抗辐照
- 关键字：
晶体管
- 多年来这个定律一直在发挥作用。第一个集成电路(由德州仪器的杰克•基尔比发明，见图)还只是一个笨拙不堪的大家伙，而现在晶体管已需用纳米(1米的十亿分之一)来计量。人们以摩尔定律的发展速度创造了快速而智能化的计算机，图案漂亮并将世界联接在了一起。从摩尔博士创立这个定律的时候起，人类就进入了一个不可思议的信息技术时代。本来一个不经意的发现竟有如此强大的生命力。 其实它并不是一条真正的定律，而只是一种现象，一种对技术发展漫漫征程的描述，发展的每一步都包含着具体的技术变革(见图表)。技术发展势不可挡，已成预言
- 关键字：
摩尔定律 晶体管
晶体管介绍
【简介】
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。
半导体三极管，是内部含有两个P [
查看详细 ]
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
