1γ DRAM、321层NAND！存储大厂先进技术竞赛仍在继续

尽管由于经济逆风、高通货膨胀影响，存储产业身处下行周期，但存储大厂对于先进技术的竞赛仍在继续。

对DRAM芯片而言，先进制程意味着高能效与高容量，以及更好的终端使用体验。当前，DRAM先进制程工艺——10nm级别目前来到了第五代，美光称之为1β DRAM，三星称之为1b DRAM。

美光去年10月开始量产1β DRAM之后，计划于2025年量产1γ DRAM，这将是美光第1代采用极紫外光（EUV）的制程技术，目前在美光只在台中有EUV的制造工厂，因此1γ制程势必会先在台中厂量产，未来日本厂也有望导入EUV设备。三星计划于2023年进入1bnm工艺阶段，芯片容量将达到 24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度将在6.4-7.2Gbp。

NAND Flash领域，目前NAND Flash已经突破200层堆叠大关，存储厂商正持续发力更高层数。8月9日SK海力士便在2023闪存峰会（Flash Memory Summit 2023）上，首次展示了全球首款321层NAND闪存样品，效率比上一代238层512Gb提高了59%。SK海力士表示将进一步完善321层NAND闪存，并计划于2025年上半期开始量产。

除此之外，美光计划232层之后推出2YY、3XX与4XX等更高层数产品；铠侠与西数也在积极探索300层以上、400层以上与500层以上的3D NAND技术；三星则计划2024年推出第九代3D NAND（有望达到280层），2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430层），2030年前实现1000层NAND Flash。