集邦：明年DRAM需求位成长8.3％创新低 NAND跌价带动搭载容量成长

根据集邦科技指出，2023年DRAM市场需求位成长仅8.3％，是历年来首度低于10％，远低于供给位成长约14.1％，分析至少2023年的DRAM市况在供过于求的情势下仍相当严峻，价格恐将持续下滑。至于NAND Flash仍是供过于求，但价格下跌应有助于搭载容量提升。

从各类应用来看，高通膨持续冲击消费市场需求，故优先修正库存是品牌的首要目标，尤其前两年面对疫情造成的上游零组件缺料问题，品牌超额下订，加上通路销售迟缓，使得目前笔电整机库存去化缓慢，造成2023年笔电需求将进一步走弱。

标准型PC DRAM方面，DDR4与LPDDR4X于PC端应用的比重将进一步降低，由LPDDR5与DDR5持续渗透。但因为DDR5的价格仍高，故将成为限制PC单机搭载容量成长，预估2023年PC DRAM单机搭载容量年增约7％。倘若明年DDR5原厂下调价格转趋积极，则可能带动容量上升至9％，取决于DDR5相较于DDR4的溢价空间是否能被有效收敛。

由于服务器出货预估已经在过往几年呈现高度成长，因此在计算基础已偏高的情况下，后续成长动能将趋缓。服务器DRAM因进入第五世代的内存规格，新款英特尔Sapphire Rapids与超威Genoa均提高了整机成本，且服务器平均容量开始面临限制，非以往纯粹的升级单一模块容量，需求端的考虑将更多地集中在硬件成本，预估2023年服务器DRAM在平均容量提升上将会受到限制，年增约7％。

行动式DRAM方面，Android阵营目前搭载容量应付日常操作系统所需已相当充足，因此在没有创新应用的趋动下，基于整机成本以及高阶销售占比较低的考虑下，品牌对于容量提升的意愿也随之放缓，至于iOS阵营则因其操作系统优化程度较高，降低其对行动式DRAM的容量需求，预估2023年单机搭载容量仅年增5％。

NAND Flash应用以固态硬盘（SSD）为主，PC消费终端SSD预估平均搭载容量仅小幅上升11％，为近三年来最低。由于笔电整机成本受到零组件涨价而不断提高，使得2023年PC品牌厂都规划较为保守的SSD容量需求位，至于企业用SSD已升级支持PCIe 5.0传输，有助于平均容量成长，预估2023年平均容量年成长率为26％。

智能型手机NAND Flash部分，随着5G智能型手机渗透率逐步扩大，加上应用面为满足高画质影像摄录需求，需要配置更大的储存容量，为智能型手机单机NAND Flash搭载量提升带来基本动能。同时，iPhone产品组合仍全线往更高容量靠拢；Android高阶机种也跟进将512GB做为标准配备，中低阶机种储存空间则随硬件规格持续升级而提高，因此整体平均容量仍有增长空间。预估2023年智能型手机NAND Flash单机搭载容量年成长仍能维持22.1％，虽略低于2022年，但仍处高水位。