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NAND闪存的三种架构:MLC、SLC、MBC

作者:时间:2017-06-12来源:网络收藏
的内部架构:可以分为三种不同架构,即:单层单元SLC (Single Level Cell);多层单元(Multi Level Cell);多位单元MBC(Multi Bit Cell)。其中,MBC以NROM技术为基础的架构,由英飞凌与Saifun合作开发,但该项架构技术并不成熟。

采SLC架构是在每个Cell中存储1个bit的信息,以达到其稳定、读写速度快等特点,Cell可擦写次数为10万次左右。作为SLC架构,其也有很大的缺点,就是面积容量相对比较小,并且由于技术限制,基本上很难再向前发展了。

1997年,架构的NAND闪存被率先研发出来,其原理是将2个或2个以上bit以上的信息写入一个浮动栅,然后利用不同电位的电荷,透过内存储存格的电压控制精准读写。由于其成本低,容量大,自问世以来得到了包括在内的多家闪存大厂的支持,其中东芝公司更是看好技术,并大力发展。但是MLC架构也同样有其缺点,首先是运行情况不及SLC架构来的稳定;而且相对读写速率也较SLC慢;其次MLC的可写入次数仅为1万次左右。因此,MLC架构的NAND芯片一度被认为是低质低价的闪存芯片。但是由于其容量上的先天优势,MLC技术也在不断改进和发展。

SLC和MLC结构和工作原理示意图

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201706/353427.htm

两个MCL Block的NAND FLASH


因为其低成本及容量高的关系,该类型闪存已经主宰了我们身边的众多存储媒介。由于目前移动设备的不断增长,大容量高速非易失性存储设备成为市场需求的目标。


关键词: MLC 闪存 NAND 英特尔

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