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机器学习模型设计过程和MEMS MLC

  • 开发机器学习项目的五个步骤 — 掌握要点,应用并不困难!边缘机器学习具有许多优势。 然而,由于开发方法与标准程序设计方法截然不同,许多机器学习开发者可能会担心自己难以驾驭。其实,完全没有必要担心。一旦熟悉了步骤,并掌握了机器学习项目的要点,就能够开发具有价值的机器学习应用。此外,意法半导体(STMicroelectronics;ST)提供解决方案,以促进边缘机器学习得到广泛应用发挥全部潜力。本文描述机器学习项目的必要开发步骤,并介绍了ST MEMS传感器内嵌机器学习核心(MLC)的优势。 图一
  • 关键字: 机器学习  模型设计  MEMS MLC  

意法半导体推出高级iNEMO传感器,为工业和消费应用增添机器学习内核的能效优势

  • 近日,意法半导体推出最新的ISM330DHCX 和 LSM6DSRX iNEMO™6轴惯性测量单元(IMU),将动作检测机器学习内核(MLC)技术的优势扩大到工业和高端消费应用领域。机器学习内核(MLC)技术对动作数据执行基本的AI预处理任务所用功耗,约为典型微控制器(MCU)完成相同任务所用功耗的千分之一。因此,集成这一IP技术的IMU传感器可以减轻主MCU的处理负荷,延长情景感知和体感设备的电池续航时间,降低维护检修成本,缩减产品体积和重量。继去年推出首个MLC增强型商用
  • 关键字: IMU  MLC  

一文解析SLC、MLC和TLC三者的区别

  • SLC、MLC和TLCOFweek电子工程网讯:X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸,最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)
  • 关键字: SLC  MLC  TLC  区别  

NAND闪存的三种架构:MLC、SLC、MBC

  • NAND闪存的内部架构:NAND闪存可以分为三种不同架构,即:单层单元SLC 多层单元MLC多位单元MBC。其中,MBC以NROM技术为基础的NAND闪存架构,由英飞凌与Saifun合作开发,但该项架构技术并不成熟。采SLC架构是在每个Cell中存储1个bit的信息,以达到其稳定、读写速度快等特点,Cell可擦写次数为10万次左右。作为SLC架构,其也有很大的缺点,就是面积容量相对比较小,并且由于技术限制,基本上很难再向前发展了。
  • 关键字: MLC  闪存  NAND  英特尔  

SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别

  • SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸,最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell),原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料,直到MLC(Multi-Level Ce
  • 关键字: SLC  MLC  TLC  闪存  

东芝携强大产品阵容亮相慕尼黑上海电子展

  •     日本半导体制造商株式会社东芝(Toshiba)旗下东芝半导体&存储产品公司宣布,东芝携其强势产品和尖端技术参加了于2015年3月17日至19日在上海新国际博览中心举办的2015慕尼黑电子展。并于3月18日在展会同期举办新闻发布会,推出促进人类智慧生活的四大应用最新解决方案:Energy & Life、Automotive、Memory & Storage、Mobile & Connectivity。延续“智社会 人为本”的企业理念,致力于打造放心、安全、舒适的社会。
  • 关键字: 东芝  慕尼黑上海电子展  闪存  MLC  MMC  SLC  BENAND  

东芝:泄密了的闪存技术走势

  •   全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange的数据表明,东芝2014年会计年度第二季(7月~9月)的NAND Flash营运表现最亮眼,位出货量季成长25%以上,营收较上季度成长23.7%。  东芝电子(中国)有限公司董事长兼总经理田中基仁在日前的2014年高交会电子展上也透露,2014年东芝在中国的闪存生意非常好。东芝在高交会电子展上展示的存储技术和产品也是很有分量的,从MLC、MMC到SLC,都可以看到最新的产品,并且东芝的技术动向,也在引领未来闪存的发展趋势。
  • 关键字: 东芝  闪存  MLC  MMC  SLC  BENAND  

NAND闪存穷途末路 下一代闪存技术百花齐放

  •   由于闪存技术的发展,闪存正从U盘、MP3走向电脑、存储阵列等更广泛的领域。虽然其速度较以往的机械硬盘有了较大幅度的提升,但纵观整个计算架构,闪存仍旧是计算系统中比较慢的部分。况且目前主流的MLC和TLC在写入寿命上都还不尽如人意,并且随着工艺水平的提升,其寿命和良率还有越来越糟的倾向。闪存生产线已经达到15nm的水平,存储密度难在攀升、寿命却大幅下降。所以业界各个巨头都在积极研究下一代非易失性存储技术。   日前,镁光在IEEE IEDM 2014(国际电子设备大会)上就公布了其最新的可变电阻式存储
  • 关键字: NAND  MLC  TLC  

电源设计小贴士:MLC电容器常见缺陷的规避方法

  • 因其小尺寸、低等效串联电阻(ESR)、低成本、高可靠性和高纹波电流能力,多层陶瓷(MLC)电容器在电源电子产品中变得 ...
  • 关键字: 电源  MLC  电容器  

MLC电容器常见缺陷的规避方法

  • 因其小尺寸、低等效串联电阻(ESR)、低成本、高可靠性和高纹波电流能力,多层陶瓷(MLC)电容器在电源电子产品中变得...
  • 关键字: MLC  电源设计  电容器  

解密16Gb MLC NAND闪存表象下的技术细节

  • IMFT使用的先进工艺可以显著地改变消费电子产品的设计和使用方式。这些高密度、高性能闪存器件使得Intel支持的Robson闪存缓存技术以及混合SSD/HD系统(受到微软、Sandisk和希捷的支持)得以实现。这些技术很可能出现在
  • 关键字: 表象  技术  细节  闪存  NAND  16Gb  MLC  解密  

NAND Flash SLC MLC技术分析

  • 什么是SLC?SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄,在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压,
  • 关键字: Flash  NAND  MLC  SLC    

三星闪存芯片被指侵权殃及八家公司

  •   据国外媒体报道,美国知识产权公司BTG International Inc.(以下简称“BTG”)今天向美国国际贸易委员会提出申诉,称三星的NAND闪存芯片侵犯其5项专利,要求禁止进口侵权芯片及相关产品。BTG还将苹果、RIM等8家采用该芯片的公司列为被告。   BTG申诉材料称,涉案专利与采用“多层存储单元”(MLC)技术的闪存芯片的编程和读取方法有关。MLC技术能降低闪存芯片制造成本,并提高存储密度。   申诉材料指出,包括手机、摄像机、笔记本和
  • 关键字: 三星  NAND  闪存芯片  MLC  

NAND闪存价格波动 破坏SSD市场普及性

  •   周一消息 研究机构iSuppli指出,NAND闪存价格大幅波动的现象,大幅削弱了之前对2009年固态硬盘(SSD)在笔记本电脑市场普及的预期。   iSuppli专研行动和新兴内存的资深分析师Michael Yang表示,近期NAND闪存价格上涨,对闪存供货商来说来说是好事,但却为SSD在笔记本电脑的普及带来阻碍。因为SSD的价格约有90%由NAND闪存决定。所以当NAND闪存价格上涨,SSD在个人和企业市场的销量就会减缓。   多层单元(MLC)规格16GB的NAND闪存,其平均价格大幅上涨12
  • 关键字: NAND  闪存  MLC  

Intel两周内发布基于34纳米NAND固态硬盘

  •   近来谣言越来越厉,市场盛传英特尔将于未来2周里发布基于34纳米制程NAND芯片的固态硬盘。之前有报道称英特尔Chipzilla芯片实验室将于去年Q4发布新34纳米闪存,不过时间表早已大大推后。固态硬盘出现的时间不久,其成本高,容量有限,有时候人们甚至怀疑其可靠性。如果新的34纳米制程NAND闪存推出,固态硬盘的价格将大大降低,容量也将达到320GB左右。   固态硬盘的存储单元分为MLC(Multi-Level Cell,多层单元)和SLC(Single Layer Cell,单层单元)两种。MLC
  • 关键字: 英特尔  NAND  34纳米  MLC  SLC  
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