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Intel两周内发布基于34纳米NAND固态硬盘

  •   近来谣言越来越厉,市场盛传英特尔将于未来2周里发布基于34纳米制程NAND芯片的固态硬盘。之前有报道称英特尔Chipzilla芯片实验室将于去年Q4发布新34纳米闪存,不过时间表早已大大推后。固态硬盘出现的时间不久,其成本高,容量有限,有时候人们甚至怀疑其可靠性。如果新的34纳米制程NAND闪存推出,固态硬盘的价格将大大降低,容量也将达到320GB左右。   固态硬盘的存储单元分为MLC(Multi-Level Cell,多层单元)和SLC(Single Layer Cell,单层单元)两种。MLC
  • 关键字: 英特尔  NAND  34纳米  MLC  SLC  

NAND闪存的下一个热点:性能

  •   利用50-40nm的工艺制程节点,NAND闪存密度已达到16 GB/D及超过2B/C多级单元(MLC)技术。尽管位元密度强劲增长,但是NAND闪存的编译能力一直停留在10MB/S范围内。由于数字内容需要的增长,公司更加重视改进NAND闪存装置的编译和读取性能,使其比特更高和性能更快,以满足消费者的需要。再加上存储产品价格急剧下降,高比特高性能已成为各个公司努力追求的方向。         2008年国际固态电路会议的论文和2007
  • 关键字: NAND  栅极感应  DDR  MLC  MLC  

英特尔合资公司开发出MLC闪存样品

  • 据国外媒体报道,本周四美光科技宣布,它与英特尔的合资企业IM Flash科技公司已经开发出处于行业领先水平的50纳米MLC(多层单元)NAND闪存芯片样品。 美光称,与SLC(单层单元)闪存组件相比,新的MLC 闪存组件体积更小,能量效益更高,能够更理想的使用在目前的计算和消费电子产品中。MLC 闪存组件的密度为16GB,而SLC闪存组件的密度仅4GB。 英特尔NAND闪存部门副总裁兼总经理Randy Wilhelm表示,我们与美光的合资公司提前开发出了行业中领先水
  • 关键字: MLC  闪存  消费电子  英特尔  消费电子  
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