意法半导体新推出了一款基于网络的工具ST AIoT Craft，该工具可以简化在意法半导体智能 MEMS 传感器的机器学习内核 (MLC)上开发节点到云端的 AIoT（物联网人工智能）项目以及相关网络配置。MLC机器学习内核是 ST MEMS 产品组合的专属功能，能够让传感器直接运行决策树学习模型。MLC 能够自主运行，无需主机系统参与，低延迟，低功耗，高效处理需要 AI 功能的任务，例如，分类和模式检测。ST AIoT Craft 还集成了利用 MLC在传感器内实现AI的物联网项目开发配置所需的全部步骤
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意法半导体 ST AIoT Craft MLC 智能传感器
凌华科技发布基于第 11 代Intel® Core™ 处理器的 MLC-M 医疗平板电脑，全新的多功能一体式医疗平板电脑 MLC-M，提供卓越的性能和多任务处理能力，可以轻松运行高分辨率图像处理软件以及 HIS、RIS 和 PDMS 等文档应用程序。MLC-M 既轻又薄，且功能强大，非常适合在应用于医疗推车或护理站等移动型应用场景。第 11 代Intel® Core™ 处理器提供了强大的计算性能，可以轻松运行高分辨率图像处理软件以及 HIS、RIS 和 PDMS 等
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医疗平板电脑 凌华科技 医疗电子 MLC-M
开发机器学习项目的五个步骤 — 掌握要点，应用并不困难！边缘机器学习具有许多优势。 然而，由于开发方法与标准程序设计方法截然不同，许多机器学习开发者可能会担心自己难以驾驭。其实，完全没有必要担心。一旦熟悉了步骤，并掌握了机器学习项目的要点，就能够开发具有价值的机器学习应用。此外，意法半导体（STMicroelectronics；ST）提供解决方案，以促进边缘机器学习得到广泛应用发挥全部潜力。本文描述机器学习项目的必要开发步骤，并介绍了ST MEMS传感器内嵌机器学习核心（MLC）的优势。 图一
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机器学习 模型设计 MEMS MLC
近日，意法半导体推出最新的ISM330DHCX 和 LSM6DSRX iNEMO™6轴惯性测量单元(IMU)，将动作检测机器学习内核(MLC)技术的优势扩大到工业和高端消费应用领域。机器学习内核(MLC)技术对动作数据执行基本的AI预处理任务所用功耗，约为典型微控制器(MCU)完成相同任务所用功耗的千分之一。因此，集成这一IP技术的IMU传感器可以减轻主MCU的处理负荷，延长情景感知和体感设备的电池续航时间，降低维护检修成本，缩减产品体积和重量。继去年推出首个MLC增强型商用
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IMU MLC
SLC、MLC和TLCOFweek电子工程网讯：X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)
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SLC MLC TLC 区别
NAND闪存的内部架构:NAND闪存可以分为三种不同架构，即：单层单元SLC 多层单元MLC多位单元MBC。其中，MBC以NROM技术为基础的NAND闪存架构，由英飞凌与Saifun合作开发，但该项架构技术并不成熟。采SLC架构是在每个Cell中存储1个bit的信息，以达到其稳定、读写速度快等特点，Cell可擦写次数为10万次左右。作为SLC架构，其也有很大的缺点，就是面积容量相对比较小，并且由于技术限制，基本上很难再向前发展了。
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MLC 闪存 NAND 英特尔
SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Ce
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SLC MLC TLC 闪存
日本半导体制造商株式会社东芝(Toshiba)旗下东芝半导体&存储产品公司宣布，东芝携其强势产品和尖端技术参加了于2015年3月17日至19日在上海新国际博览中心举办的2015慕尼黑电子展。并于3月18日在展会同期举办新闻发布会，推出促进人类智慧生活的四大应用最新解决方案：Energy & Life、Automotive、Memory & Storage、Mobile & Connectivity。延续“智社会 人为本”的企业理念，致力于打造放心、安全、舒适的社会。
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东芝 慕尼黑上海电子展 闪存 MLC MMC SLC BENAND
全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange的数据表明，东芝2014年会计年度第二季(7月~9月)的NAND Flash营运表现最亮眼，位出货量季成长25%以上，营收较上季度成长23.7%。 东芝电子(中国)有限公司董事长兼总经理田中基仁在日前的2014年高交会电子展上也透露，2014年东芝在中国的闪存生意非常好。东芝在高交会电子展上展示的存储技术和产品也是很有分量的，从MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的产品，并且东芝的技术动向，也在引领未来闪存的发展趋势。
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东芝 闪存 MLC MMC SLC BENAND
由于闪存技术的发展，闪存正从U盘、MP3走向电脑、存储阵列等更广泛的领域。虽然其速度较以往的机械硬盘有了较大幅度的提升，但纵观整个计算架构，闪存仍旧是计算系统中比较慢的部分。况且目前主流的MLC和TLC在写入寿命上都还不尽如人意，并且随着工艺水平的提升，其寿命和良率还有越来越糟的倾向。闪存生产线已经达到15nm的水平，存储密度难在攀升、寿命却大幅下降。所以业界各个巨头都在积极研究下一代非易失性存储技术。
日前，镁光在IEEE IEDM 2014(国际电子设备大会)上就公布了其最新的可变电阻式存储
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NAND MLC TLC
因其小尺寸、低等效串联电阻（ESR）、低成本、高可靠性和高纹波电流能力，多层陶瓷（MLC）电容器在电源电子产品中变得 ...
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电源 MLC 电容器
因其小尺寸、低等效串联电阻（ESR）、低成本、高可靠性和高纹波电流能力，多层陶瓷（MLC）电容器在电源电子产品中变得...
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MLC 电源设计 电容器
IMFT使用的先进工艺可以显著地改变消费电子产品的设计和使用方式。这些高密度、高性能闪存器件使得Intel支持的Robson闪存缓存技术以及混合SSD/HD系统(受到微软、Sandisk和希捷的支持)得以实现。这些技术很可能出现在
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表象 技术 细节 闪存 NAND 16Gb MLC 解密
什么是SLC？SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，
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Flash NAND MLC SLC
据国外媒体报道，美国知识产权公司BTG International Inc.(以下简称“BTG”)今天向美国国际贸易委员会提出申诉，称三星的NAND闪存芯片侵犯其5项专利，要求禁止进口侵权芯片及相关产品。BTG还将苹果、RIM等8家采用该芯片的公司列为被告。
BTG申诉材料称，涉案专利与采用“多层存储单元”(MLC)技术的闪存芯片的编程和读取方法有关。MLC技术能降低闪存芯片制造成本，并提高存储密度。
申诉材料指出，包括手机、摄像机、笔记本和
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三星 NAND 闪存芯片 MLC
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