如何看待格罗方德来中国设工厂？

　　日前，格罗方德在成都宣布，将在成都设立子公司格芯半导体公司，格罗方德占股51%，计划投资90亿美元建设一条12寸晶圆代工线。联系台积电在南京设厂，联电在厦门设厂，全球前三的晶圆代工厂都在中国设立了工厂。那么，这次格罗方德在中国设工厂到底有什么意义呢?是否会对中国本土企业造成冲击?

　　格罗方德是怎样一家企业

　　相对于AMD的名声，格罗方德对于一些网友可能就陌生一些，其实格罗方德最初是由AMD拆分而来，是AMD在前些年经营困难、卖大楼的窘迫情况下不得不将企业拆分的结果。

　　众所周知，在半导体行业中，有三种运作模式：一是从事能独立完成设计、制造、封装测试、销售的公司，被称为IDM(Integrated Design and Manufacture)，比如Intel;二是只从事IC设计，但没有代工厂，这类公司被称为Fabless，像AMD、ARM等都属于Fabless;三是只做代工，不做设计，这类公司被称为Foundry，最典型的就是台积电。

　　格罗方德的主要业务和台积电一样，是做晶圆代工，由于其英文缩写是GF，加上格罗方德和AMD之间一直保持着良好的合作，格罗方德曾经被一些发烧友戏称为AMD的女朋友...

　　AMD和其老竞争对手Intel曾经都属于IDM，不过由于AMD前些年在CPU上被Intel压着打，在GPU上面对英伟达处于劣势，公司经营比较困难，不得不甩包袱，将晶圆厂拆分出来，由中东土豪接手成为其大股东。格罗方德又收购了新加坡特许半导体和IBM的晶圆厂。其中，IBM为了甩包袱在将晶圆厂卖给格罗方德的时候还倒贴了15亿美元。换言之，就是IBM把晶圆厂送给格罗方德外加附送15亿美元现金...

　　目前，格罗方德工厂主要在美国、德国和新加坡。2015年，格罗方德市场占有率为9.6%，市场占有率和营业收入仅次于台积电。2016年，格罗方德营收达55.45 亿美元，同比增长10%，市场占有率达11%。

　　格罗方德中国设厂是迫不得已

　　对于格罗方德来说，到中国开设工厂实属迫不得已。虽然集合了IBM、AMD的晶圆厂和新加坡特许半导体，但格罗方德近年来的经营状况确实令人堪忧，2013年亏损9亿美元，2014年亏损15亿美元，2015年亏损13亿美元，2016年上半年亏损13.5亿美元……甚至有格罗方德的大股东想要找中国投资人接盘的消息。

　　其实，成都并非是格罗方德的首选，格罗方德之前试图在中国数个城市合资设厂但均遭到拒绝。在去年还在和重庆渝德签属合作协议4个月之后项目依然没能落地，据业内人士消息，计划搁浅的原因在于格罗方德转移的技术相对落后，以及格罗方德的要价过高导致的——小道消息是格罗方德只愿意转移从新加坡工厂淘汰的二手设备，这些设备只能用来加工40nm芯片，但即便如此格罗方德依旧要求占51%的股份。

　　要知道，在去年中芯国际就已经实现28nm HKMG工艺的商业化量产，国内华力微也实现了用28nm制造工艺为MTK加工芯片。因此，在当下转移40nm芯片生产线，而且还是格罗方德新加坡工厂淘汰的二手设备，其意义就相对比较有限了。

　　本次格罗方德在成都设立合资公司格芯半导体共分为两期来执行，第一期是建设12英寸晶圆生产线，并转移源自格罗方德新加坡工厂的技术，预计2018年底投产，产能约每月2万片。第二期是自2018年开始将从德国转移技术，导入22nm SOI工艺，计划2019年投产，投产后预计产能达到每月约6.5万片。

　　从中可以看出，格罗方德是在近年来经营情况不佳的形势下，才来中国合资设厂，而且从被重庆等数个城市拒绝的情况看，格罗方德开出的价码含金量相对有限，而且在格罗方德14nm 工艺已经实现商业化量产，为AMD加工最新的Zen架构芯片的情况下，依旧选择在2018年才将22nm SOI工艺导入中国，投产要到2019年。

　　而在2018—2019年，台积电在南京的工厂已经可以生产16nm芯片了，中芯国际也很有可能掌握14nm制造工艺。可见格罗方德对于在中国大陆设厂的诚意并不算太高，来中国开设合资公司实属迫不得已。

　　并非花大价钱买落后技术

　　SOI是指绝缘层上的硅，是一种用于集成电路的供应商制造的新型原材料。SOI技术作为一种全介质隔离技术，可以用来替代硅衬底。FD-SOI就是在衬底上做文章，在晶体管相同的情况下，采用FD-SOI技术可以实现在相同功耗下性能提高30%左右，或者在相同性能下，功耗降低30%左右。

　　虽然现在的主流是FinFET，即便是格罗方德自己都购买了三星14nm FinFET工艺授权。但这并不意味着SOI工艺是落后的。主要原因在于现阶段Intel和台积电在硅衬底上能够做出满足要求的芯片，所以依旧使用硅衬底，台积电市场份额巨大，而Intel有最好的技术，两家选择了FinFET，自然而然整个产业链就跟着走。

　　对此，FinFET和FD-SOI工艺的发明人之一胡正明教授就认为：FinFET和UTB-SOI(FD-SOI)技术是可以并存的，不过在未来几年内，两者都会想尽办法彼此超越对方成为主流技术。