被三星/SK海力士夹击 3D Xpoint成为美光的唯一希望

　　众所周知，美光在韩国双雄三星和SK海力士的攻击下，DRAM和Flash业务发展都不如预期，于是从早几年开始，这个美国存储的仅存硕果之一就和Intel一起开发3D Xpoint技术。这种新型的存储技术将会在未来给Intel和美光带来新的成长激励。尤其是对美光来说，在现状和未来的表现都不够好的环境下，这似乎是美光的最后救命稻草。

　　回顾存储的发展历程。3D Xpoint是自NAND Flash推出以来，最具突破性的一项存储技术。由于具备以下四点优势，3D Xpoint被看做是存储产业的一个颠覆者：

　　(1)比NAND Flash快1000倍;

　　(2)成本只有DRAM的一半;

　　(3)使用寿命是NAND的1000倍;

　　(4)密度是传统存储的10倍;

　　而得益于这些优势，3D Xpoint能被广泛应用在游戏、媒体制作、基因组测序、金融服务交易和个体化治疗等领域。以上只是3D Xpoint的一些应用示例。但从以上介绍，我们可以看出，3D Xpoint未来的应用非常有潜力。

　　Source：techreport

　　从美光的公告我们可以看出，2017年，他们将会从3D Xpoint上获得收益。但美光并没有详细说明会从3D Xpoint上获得多少收益，美光同样没有介绍未来将会有哪些客户使用这个新技术。

　　就我所看，2017年，美光从3D Xpoint上获取的收益并不会太多，但可预期的是，未来数年，美光能从其身上获得更大的成长驱动力。

　　英特尔与美光双方宣称，3D XPoint能够提供千倍于当前NAND产品的使用寿命水平。假设这里的参考对象为现代(15纳米至20纳米)MLC NAND，那么其使用寿命将达到数百万次全盘写入; 不过在市场营销材料当中，我们看到相关产品的写入次数可以达到数千万次。

　　如果我们假定其全盘写入次数为300万次(即1000倍于现代MLC闪存)，那么一块基于3D XPoint技术的256 GB驱动器将能够提供总计高达768 PB的数据写入能力。这相当于五年内每天写入420 TB数据，或者每秒写入4.9 GB数据。

　　对于目前依赖于NAND技术的存储设备而言，3D XPoint将消除任何可能出现的使用寿命问题——不过相对于耐久性几乎无限的DRAM来说，3D XPoint仍然要略逊一筹。企业最终是否会利用3D XPoint取代DRAM还是要取决于实际应用情况，特别是对于那些要求使用DRAM的企业级工作负载来说更是如此。

　　3D XPoint的延迟水平在10纳秒级别，但英特尔与美光双方并没有明确指出这一数字到底来自读取延迟还是写入延迟。从英特尔方面提供的图表来看，10纳秒级别应该是指读取延迟，因此NAND写入延迟的计量单位应该是毫秒(一般来讲，全页写入的延迟为1到2毫秒)，而图表中列出的NAND延迟为数十微秒的说法与NAND的读取延迟相符。

　　写入延迟往往远高于此，再结合英特尔与美光双方作出的“速度可达NAND上千倍”的说明，那么我们猜测3D XPoint的写入延迟应该在100纳秒级别甚至是毫秒级别。不过更复杂的是，3D XPoint以bit为访问层级，而NAND以页为访问层级，因此在不考虑外界因素的前提下比较二者的延迟水平相当困难。

　　无论如何，3D XPoint的性能表现应该更接近于DRAM而且优于NAND，不过考虑到英特尔与美光都没有就延迟给出明确参数，因此我们作出断言恐怕还为时尚早。