谁能打破DRAM存储器的三足鼎立格局？

　　本月，三星电子宣布实现10nm级别工艺DDR4 DRAM内存颗粒的量产，再次拉大与“三国杀”剩下两个玩家——SK海力士和美光的差距。“简单的来说，目前SK海力士与美光的工艺差距分别已经相差一年及二年了。”集邦科技DRAM首席分析师郭祚荣告诉记者。

　　这也许会带来相应市场格局的变化。三星一直维持着对于另两大DRAM厂商在市场份额和技术水平的双重领先优势。此次Bernstein Research甚至悲观预测，三星下手太狠，想把DRAM市占率提高至近50%，未来三星可能是DRAM产业的唯一幸存者。

　　三星早已成为DRAM行业的领头羊

　　DRAM价格下跌三星获利

　　近两年来，由于需求不振，DRAM市场价格持续走低。根据市场调研机构IHS的数据，2015年全球DRAM市场规模由462.46亿美元萎缩至450.93亿美元。

　　郭祚荣预测，2016年DRAM市场的供过于求预估为5.7%，DRAM的价格预估仍然会一路下跌。此前，南亚科总经理李培瑛曾估计，如果主要厂商仍然有明显扩产，那么今年DRAM价格将跌25%~40%。

　　这是因为新的需求增长缺失，而随着工艺的进步产出却必然扩大。Gartner研究总监盛陵海向《中国电子报》记者指出，目前大量需求DRAM的新应用比如VR、AI等，在三年内仍然不会形成可以与PC、智能手机相提并论的市场。

　　在DRAM价格的持续下跌声中，三星DRAM业务在2015年的营收却仍然实现同比增长9.5%，首次突破200亿美元大关。其市占率也在不断提升，达到了45.3%。

　　这缘于三星远高于竞争对手的制程工艺所带来的优势。工艺好，成本就会低。只要工艺的提升速度快过跌价，还是可以赚钱，反之就是亏钱。

　　目前，三星在制程工艺上已经领跑不止一个身位了。据记者了解，三星DDR4记忆体早在2015年进入20奈米制程的成熟期，70%的产能已经升级到20nm工艺节点。近期，三星又宣布10nm级别工艺的DRAM量产，同类型产品比20nm工艺性能提升30%，同等频率下功耗降低10~20%。

　　记者了解到，三星的10nm级别工艺指的正是18nm工艺，是20nm工艺的微缩，仅是小改版，而其真正的13nm工艺将于明年推出。外媒报道称苹果很可能成为三星18nm DRAM的订单拥有者之一。

　　相比较而言，SK海力士的主力工艺制程是25nm，在去年第四季度正式导入21nm制程，目前正在积极转进21nm，并将于明年推出18nm工艺DRAM。美光的主力工艺制程是30nm和25nm，虽然也在去年第四季度大幅转进20nm制程，但量产不代表投片多，也不代表良率好，因此美光目前仍在20nm制程节点努力。

　　由于工艺制程的领先优势，郭祚荣向《中国电子报》记者指出，三星生产DRAM的成本可以比其他两家低20%~30%，而且目前来看趋势不容易扭转。而美光的成本最高，大概比SK海力士要高出10%~15%。

　　海力士、美光与三星的工艺差距分别已经相差一年及二年，成本差距也巨大，这奠定了三星在DRAM市场中一霸的地位。