SiC功率半导体接合部的自我修复现象，有望改善产品寿命

　　大阪大学和电装2016年3月28日宣布，在日本新能源及产业技术综合开发机构(NEDO)的项目下，发现了有望提高碳化硅(SiC)功率半导体长期可靠性的接合材料自我修复现象。研究人员发现，在高温的设备工作环境下，用作接合材料的银烧结材料自行修复了龟裂，这大大提高了SiC半导体在汽车等领域的应用可能性。

　　此次的SiC接合使用银膏烧结粘接法，该方法使用微米级和亚微米级的混合银颗粒膏，以250℃低温在空气环境实施30分钟接合工艺，获得了裸片粘接构造。与常见的使用纳米颗粒施加高压的接合方法相比有很多优点，包括容易操作;原料便宜;强度高于焊接，达到40MPa以上;热导率为焊接5倍以上，达到150W/mK以上;可实现无加压处理或1MPa以下低压处理。

　　此次在实验中制备了高密度烧结银颗粒的拉伸试验片，对其施加拉伸负荷形成了龟裂。然后，考虑到SiC功率半导体的工作温度，使该试验片在空气环境中保持200～300℃的温度，研究了龟裂前端的变化和拉伸强度的变化。结果发现，在200℃下经过50小时后，龟裂逐渐闭合，开始自我修复，而且，在300℃下再经过10小时后，龟裂出现更大范围的闭合，自我修复现象变得更为明显。另外，在100小时后，拉伸强度恢复到了与无龟裂的试验片同等的水平。