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MIT研究显示电子束光刻可达9纳米精度

—— 为电子束“光刻”和EUV光刻技术展开竞争提供了动力
作者:时间:2011-07-06来源:semi收藏

  美国麻省理工学院(MIT)的研究人员日前发表的一项研究成果显示,电子束“”精度可以小到9纳米的范围,刷新了以前一项精度为25纳米的结果,这一进展有可能为电子束“”和(超紫外)技术展开竞争提供了动力。尽管光刻技术目前在商业化方面领先一步,有可能在22纳米以下的工艺生产中取代目前使用的浸末式光刻技术,但光刻还面临一些棘手的问题,如强光源和光掩膜保护膜等,而采用电子束“光刻”则不会存在这些问题。不过电子束“光刻”也有它的问题,主要是“光刻”的速度太慢,这对掩膜制作来讲不是一个大问题,但如果要直接在硅片上直接刻蚀图形,在大生产中就没有经济效益,这使得电子束“光刻”的应用目前被局限在光刻掩膜制作等特殊的市场上。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/121108.htm


关键词: 光刻 EUV

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