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光刻 文章

首次加入EUV极紫外光刻!台积电二代7nm+工艺已量产

  • 台积电官方宣布,已经开始批量生产7nm N7+工艺,这是台积电第一次、也是行业第一次量产EUV极紫外光刻技术,意义非凡,也领先Intel、三星一大步。
  • 关键字: 光刻  台积电  7nm  

芯片是如何被制造出来的?芯片光刻流程详解

  •   在集成电路的制造过程中,有一个重要的环节——光刻,正因为有了它,我们才能在微小的芯片上实现功能。现代刻划技术可以追溯到190年以前,1822年法国人Nicephore niepce在各种材料光照实验以后,开始试图复制一种刻蚀在油纸上的印痕(图案),他将油纸放在一块玻璃片上,玻片上涂有溶解在植物油中的沥青。经过2、3小时的日晒,透光部分的沥青明显变硬,而不透光部分沥青依然软并可被松香和植物油的混合液洗掉。通过用强酸刻蚀玻璃板,Niepce在1827年制作了一个d’Amboise主教的雕板相的复制品。
  • 关键字: 芯片,光刻  

我国成功研制出的世界首台分辨力最高紫外超分辨光刻装备?

  •   昨天关于中国成功超分辨率光刻机的新闻刷爆了朋友圈,这个新闻出来以后,舆论出现了两个极端,一堆人说很牛,一堆人说吹牛。那么这两种说法到底谁对谁错呢?  我们先看一下新闻:  由中国科学院光电技术研究所主导的项目“超分辨光刻装备研制”29日通过验收。  这是我国成功研制出的世界首台分辨力最高紫外超分辨光刻装备。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制,光刻分辨力达到22纳米,结合多重曝光技术后,可用于制造10纳米级别的芯片。  中科院理化技术研究所许祖彦院士等验收组专家一致表示,该光刻机在365nm光源波长
  • 关键字: 光刻  芯片  

基于模型的建议:光刻友好设计成功的导航

  • 如今对于一些技术节点,设计人员需要在晶圆代工厂流片和验收之前进行光刻友好设计(Litho Friendly Design) 检查。由于先进节点的解析度增进技术(RET) 限制,即使在符合设计规则检查 (DRC) 的设计中,我们仍看到了更多的制造问题。
  • 关键字: 模型  光刻  DRC  MBH  

“合肥造”光刻设备将打破国外垄断

  •   中国芯片制造业高端装备一直以来依赖国外进口,尤其是高端光刻设备受到西方封锁,有钱也买不到,或是毫无竞价权,国内进口集成电路装备采购每年达数十亿美元。在高新区的合肥芯碁微电子装备有限公司,正在通过自主创新,改变这种现况。   据介绍,合肥芯碁微电子装备有限公司主要经营微电子高端装备研发、制造、技术服务。公司技术团队是以曾承接国家02重大科技专项《130—65nm制版光刻设备及产业化》项目核心人员为基础,结合国内外业界精英组成,60%以上硕博士。团队骨干均为国内首创激光直写光刻设备、激光曝光
  • 关键字: 光刻  芯片  

晶圆制造人才告急,校企联动与在职培训缺一不可

  • 摘要:近日,明导公司与北京理工大学合作创建了光电联合实验室。合作仪式期间,部分专家学者谈到目前晶圆制造人才非常缺乏,人才培养迫在眉睫。
  • 关键字: 晶圆  OPC  RET  光刻  201407  

Molecular Imprints 将为半导体大批量制造提供先进光刻设备

  •  Molecular Imprints, Inc. (MII) 是高分辨率与低拥有成本纳米图案成形系统和解决方案的技术领导商。MII 将利用其创新的 Jet and Flash™ 压印光刻 (J-FIL™) 技术成为半导体存储设备大批量图案成形解决方案的全球市场和技术领导商
  • 关键字: 半导体  光刻  

SEMI:2013年全球光刻掩膜板市场预计可达33.5亿美元规模

  • 技术问题更让人头痛,随着线宽必须不断缩小的趋势下,厂商面临诸多艰巨的挑战,更多先进的光刻掩膜板工具和材料必须应运而生,但却仅有部份的客户会转移至更小尺寸的产品,而且似乎对于专有光刻掩膜板厂商的依赖也日益加深,因此批发式光刻掩膜板产业必须在一个正在萎缩的市场上找到它的平衡点,既能进行技术升级发展也能兼顾资本成本。   SEMI最近发表了《Photomask Characterization Summary》,对2011年的光刻掩膜板市场提供详细的分析,并以全球七个主要地区,包括北美、日本、欧洲、台湾、
  • 关键字: 光刻  掩膜板  

2012-2013年中国半导体分立器件行业进入壁垒分析

  •   1、技术壁垒   半导体分立器件的研发生产过程涉及量子力学、微电子、半导体物理、材料学等诸多学科,需要综合掌握外延、微细加工、封装等多领域技术工艺,并加以整合集成,属于技术密集型行业。随着下游电子产品的升级换代,电子产品呈现多功能化、低能耗、体积轻薄的发展趋势,新产品、新应用的不断涌现,对半导体分立器件的制造封装工艺等方面提出了更高的技术要求,同时半导体分立器件差别化应用领域的快速拓展,光伏、智能电网、汽车电子、LED照明等跨领域的产品需求,对生产厂商专用半导体分立器件的配套设计能力也提出了更高的要
  • 关键字: 半导体  光刻  

SUSS MicroTec收购Tamarack Scientific公司

  •   SUSS MicroTec,宣布收购位于美国加州科罗娜的Tamarack Scientific公司。两家公司已经签署相应的收购协议。协议约定,SUSS MicroTec以总价934万美元外加盈利能力,收购100%的Tamarack公司股份,额外的盈利能力主要取决于Tamarack公司未来三个财年收入的增长情况。   市场对更多功能和更高性能电子设备需求日益增长,进一步推动对更高性能、更高复杂度半导体元件的需求。这种趋势将在不久的将来显现出来,促使半导体后道工艺采用创新技术。在过去两年里,SUSS M
  • 关键字: Tamarack  光刻  

可弯曲式光电技术大跃进

  • 美国科学家通过纳米模版光刻技术(nanostencillithography)在可弯曲式基板上制作出大范围的纳米图案。这个...
  • 关键字: 光电  纳米  光刻  

李长春在吉林华微调研时称模拟器件行业很有前途

  •   2011年8月26日,中共中央政治局常委李长春来华微电子调研。18时45分,中共中央政治局常委李长春一行来到华微电子六英寸新型功率半导体器件生产线(即芯片四部)门前,在公司夏增文董事长的陪同下参观了该生产线。李长春首先观看了设置在该生产线一楼大厅内的企业文化宣传板,随后深入生产车间,身穿白色的防尘服,先后参观了扩散工序、PVD区、光刻工序和中测工序,详细了解了芯片制造工艺及流程、产品结构、生产规模、市场前景及公司发展目标等情况。  
  • 关键字: 华微  模拟器件  光刻  

2011韩国半导体光刻胶需求预计达2.58亿美元

  •   在半导体制程中,曝光制程非常重要,因此作为其核心材料的光刻胶(Photoresist)占较大的生产成本,在技术与产业方面的重要性也非常高。根据DisplayBank统计,2011年用于韩国国内半导体产业的光刻胶量约为25万~30万加仑,产值约达3,000亿韩元(约2.58亿美元)的规模。   
  • 关键字: 半导体  光刻  LCD  

DRAM成本削减及节省步伐从2012年开始将放缓

  •   据IHS iSuppli公司的研究,随着DRAM市场过渡到效率更高的低纳米技术,该产业的成本削减及节省步伐从2012年开始将放缓。
  • 关键字: DRAM  光刻  

MIT研究显示电子束光刻可达9纳米精度

  •   美国麻省理工学院(MIT)的研究人员日前发表的一项研究成果显示,电子束“光刻”精度可以小到9纳米的范围,刷新了以前一项精度为25纳米的结果,这一进展有可能为电子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技术展开竞争提供了动力。尽管EUV光刻技术目前在商业化方面领先一步,有可能在22纳米以下的工艺生产中取代目前使用的浸末式光刻技术,但EUV光刻还面临一些棘手的问题,如强光源和光掩膜保护膜等,而采用电子束“光刻”则不会存在这些问题。
  • 关键字: 光刻  EUV  
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光刻介绍

光刻   利用照相复制与化学腐蚀相结合的技术,在工件表面制取精密、微细和复杂薄层图形的化学加工方法。光刻原理虽然在19世纪初就为人们所知,但长期以来由于缺乏优良的光致抗蚀剂而未得到应用。直到20世纪50年代,美国制成高分辨率和优异抗蚀性能的柯达光致抗蚀剂(KPR)之后,光刻技术才迅速发展起来,并开始用在半导体工业方面。光刻是制造高级半导体器件和大规模集成电路的关键工艺之一,并已用于刻划光栅、 [ 查看详细 ]

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