SiC/GaN技术专栏-电子产品世界网

是德示波器如何精准测量第三代半导体SiC的动态特性

第三代半导体材料SiC（碳化硅）凭借其高击穿电压、低导通电阻、耐高温等特性，在新能源汽车、工业电源、轨道交通等领域展现出显著优势。然而，SiC器件的高频开关特性也带来了动态测试的挑战：开关速度可达纳秒级，电压电流变化率（...

是德示波器精准测量 2025-04-21

自有SiC Mos已批量应用于主驱，产能达9000片/月

8月19日晚，功率半导体IDM龙头士兰微(600460)发布半年度业绩报告，2024年上半年营业收入约52.74亿元，同比增加17.83%，创出历史同期新高。公司营业利润为 14,743 万元，比 2023 年同期增加亏...

SiC Mos 2024-08-21

又一 GaN 企业宣告破产！

据比利时媒体报道，欧洲领先的 GaN（氮化镓）汽车半导体代工厂 BelGaN 已申请破产，目前该公司位于佛兰德省奥德纳德市总部的 440 名员工面临失业。BelGaN团队和工厂于1983年以MIETEC的名义成立，后来被...

GaN 2024-08-04

盘点国内SiC碳化硅衬底公司

SiC碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。在碳化硅产业链中，碳化硅衬底制造是碳化硅产业链技术壁垒最高、价值量最大的环节，是未来碳化硅大规模产业...

SiC 2023-10-28

英飞凌确认：两家中国SiC供应商获车规认证并大规模出货

导读：9月4日，英飞凌德国总部向DIGITIMES证实，已经提前完成来自中国两家碳化硅（SiC）材料供应商天岳先进（SICC）、天科合达（TankeBlue）的车规认证，而且已向全球客户出货。图：英飞凌5月，芯片大师曾报...

SiC 2023-09-08

TI 电源应用研讨会揭密高效节能新未来

日前TI举办电源应用研讨会，探索了包括先进GaN电源设计、高效电源转换、以及扩充电源范围（EPR）技术等议题，吸引近四百位产业界先进莅临参加，助力客户开发出更节能、更高效的新产品。TI 为满...

EPR GaN 2023-09-07

【资讯】全球SiC晶圆竞争，进入白热化

来源：半导体行业观察随着英飞凌和 Wolfspeed 争夺全球最大碳化硅晶圆厂的称号，全球芯片制造商正在快速采取行动，确保碳化硅功率器件的供应。Onsemi 和 Rohm 也希望通过巨额预付款来提高 SiC 器件的产量，...

SiC 2023-08-09

40 V耐辐射GaN FET为苛刻的航空航天应用设定新的效能标准

宜普电源转换公司（EPC）推出两款额定电流为62 A和250 A的新型40 V元件，以扩展其用于功率转换解决方案的耐辐射氮化镓（GaN）产品系列，支持航太和其他高可靠性应用。EPC宣布推出两款新型40 V耐辐射GaN F...

EPC GaN 2023-08-03

Transphorm推出SuperGaN FET的低成本驱动器解决方案

新时代电力系统的未来，氮化镓（GaN）功率转换产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.发布了一款高效能、低成本的驱动器解决方案。这款设计方案面向中低功率的应用，适用于LED照明、充电、微型逆变器、UP...

FET GAN 2023-06-28

GAN重出江湖！中国团队抢先开源“复刻版”DragGAN，AI一键实现“大象转身”

李白实验室抢先开源「复刻」版DragGAN文|硅星人编辑| VickyXiao 在大家沉迷于Midjourney、Stable Diffusion 技术中无法自拔时，一时被人遗忘的GAN...

GAN 2023-06-07

ROHM 1200V IGBT成功导入SEMIKRON-Danfoss功率模块

ROHM Co., Ltd. 常务执行董事CFO伊野和英（左）与SEMIKRON-Danfoss CEO Claus A. Petersen（右）。ROHM SEMIKRON-Danfoss...

ROHM SEMIKRON 2023-05-09

国际领先！新一代SIC晶体生长用材料

半导体产业网讯：随着导电型SIC衬底的逐渐量产，对工艺的稳定性、可重复性都提出更高的要求。特别是缺陷的控制，炉内热场微小的调整或漂移，都会带来晶体的变化或缺陷的增加。后期，更要面临“长快、长厚、长大”的挑战，除了理论和工...

多孔碳化钽 SIC 2023-04-28

SiC MOSFET——降低功率损耗，迈向碳中和

功率器件的兴起带动了电力电子产业的全面革命，功率半导体器件作为电力电子设备的关键组成部分，直接影响着这些电力电子设备的成本和效率。电力电子未来发展的趋势之一是使用更高的开关频率以获得更紧密的系统设计，在高开关频率高功率的...

SiC MOSFET 2023-04-27

东芝SiC MOSFET为您开启电源新大门

要说半导体圈子现在啥最热，非第三代半导体莫属，以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的宽禁带半导体技术将成为未来半导体发展的新热点，而这些材料为基材的半导体器件主要应用于和功率及能源相关的技术领域，“碳中和”目标的实...

东芝 SiC 2023-04-27

买买买成就的SiC巨头

来源：半导体行业观察在21世纪初，随着电动汽车、太阳能电池等新能源行业的迅速崛起，半导体材料SiC因其高温、高压、高频等优异性能成为备受关注的研究热点。而在这个领域，全球范围内一些大型的SiC巨头公司开始快速崛起，并通过...

SiC 2023-03-16

氮化镓GaN驱动器的PCB设计策略概要

来源：安森美NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器，能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓（以下简称“GaN”）功率开关。只有合理设计能够支持这种功率开关转换的印刷电路板 (PCB...

GaN 2023-02-20

现在是将 GaN IC 商业化的时候了

来源：GaN世界在单个 GaN 芯片中结合多种电力电子功能的功率 IC 将在全球电气化中发挥重要作用。来自 WISE INTEGRATION 的 GERALD AUGUSTONI、PLINIO BAU、DOMINIQUE...

GaN IC 2023-02-18

政策持续推动需求爆发，SiC在充电桩市场大有可为旺材芯片

来源：碳化硅芯观察电动汽车发展正步入高速增长阶段。2023年开年，行业研究机构伊维经济研究院发布数据称，2022年，全球新能源汽车销量达到1082.4万辆，同比增长61.6%。其中，全球汽车销量的主要贡献来自中国。202...

SiC 2023-02-17

SiC，将拿下30%的功率器件市场

来源：内容来自半导体芯闻（ID:MooreNEWS）综合，谢谢。据Yole介绍，在未来 5 年内，SiC 功率器件将很快占据整个功率器件市场的 30%。毫无疑问，SiC 行业（从晶体到模块，包括器件）的增长率非常高。Yo...

SiC 2023-02-17

GaN，迎来新突破！

来源：半导体行业观察如今，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，宽禁带，以下简称为：WBG）”新型材料为基础的功率半导体的研发技术颇受关注。基于日本环境省的“为进一步实现碳中和，加速...

GaN 2023-02-11

今年会是SiC半导体和功率模组元年吗？

来源：国际电子商情近来的新发展则是芯片制造商如何从开发、制造到封装整合SiC供应链。随着对于先进SiC解决方案的需求不断增加，特别是在汽车市场，一个新的端对端垂直整合供应链正在迅速地形成。碳化硅(SiC)半导...

SIC 2023-01-30

SiC 和 GaN：两种半导体的故事

来源：本文由半导体行业观察（ID：icbank）编译自Yole，谢谢。在过去的几十年里，全球SiC 和 GaN领域的特点是发展、行业接受度不断提高以及有望实现数十亿美元的收入。第一个商用 SiC 器件于 2001 年以德...

GaN 2023-01-01

罗姆的第4代SiC MOSFET成功应用于日立安斯泰莫的纯电动汽车逆变器

从2025年起将向全球电动汽车供货，助力延长续航里程和系统的小型化全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和栅极驱动器IC已被日本先进的汽车零部件制造商日立安斯泰莫株式会社（以下简称“日...

电动汽车 sic 2022-12-28

又一SiC相关企业上市，市值超270亿！

来源：网络12月16日，燕东微在上海证券交易所科创板上市，发行价格21.98元/股，发行市盈率为68.39倍。截至成文，燕东微上涨3.64%，报22.78元/股，总市值272.9亿元。Source：同花顺燕东微是一家集芯...

SiC 2022-12-18

未来几年会出现哪些 GaN 创新技术？

来源：电子工程世界现在GaN很火，人们似乎忘记了GaN 依然是一项相对较新的技术，仍处于发展初期，还有较大的改进潜力和完善空间。本文将介绍多项即将出现的 GaN 创新技术，并预测未来几年这些创新技术对****设计和发展...

GaN 2022-12-11

鸿海9月开始量产1200V SiC MOSFET，并已启动8吋SiC晶体开发

10月19日消息，在昨日举行的2022年度鸿海科技日（HHTD22）上，鸿海科技在发布全新电动汽车的同时，也展示了其面向电动汽车的第三代半导体碳化硅（SiC）器件研发成果，不仅已具备量产SiC MOSFET的能力，还启动...

SiC 2022-10-23

GaN是否可靠？

来源：Sandeep Bahl, TI技术专家氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)正迅速获得采用，因为它能够提高效率并缩小电源供应器尺寸。不过，在投资这个技术之前，您可能仍会问自己GaN是否可靠。但令我震惊的是，没有人...

GaN 2022-08-02

SiC已成汽车新卖点，未来5年价格有望降至IGBT 3倍以内

来源：爱集微APP翠展微电子内部人士认为，“SiC的材料性能比Si基更好，要等它的成本下降到足够低的时候才会普及，我们预计，SiC的成本下降至Si基成本的2倍左右，整个系统的成本也会降下来。”作者｜Andy ...

SiC 2022-07-04

半导体材料与工艺：SiC晶体生长进入「电阻炉」时代！

2022年6月恒普科技推出新一代2.0版SiC电阻晶体生长炉，本次量产推出的炉型是基于恒普上一代6、8英寸电阻炉的全新版本，积极对应市场对SiC电阻晶体生长炉的行业需求。国内SiC晶体生长炉几乎都是采用感应发热的方式，感...

SIC 2022-06-19

凭借快充出圈的氮化镓，为什么这么火？

氮化镓是近两年才进入大众视野，成为半导体行业的热门话题之一。其实，人们在很早的时候就已经开始使用第三代半导体了。十年前，我国的****射频功放基本上就是用氮化镓来做的。然而氮化镓火出圈，却是在小米10的发布会上，因为雷军...

氮化镓快充 2022-05-30

创新GaN工艺：有望实现低成本、大规模生产

日本东北大学开发出了一种新型GaN衬底制备工艺，实现了多项创新。综合：mynavi5月26日，日本东北大学对作为GaN（氮化镓）衬底的量产法而开发的“低压酸性单热（LPAAT）法”的实际应用进行了研究，明确了所使用的种子...

GaN 2022-05-28

How SiC is Shifting the Future of EV

来源：旺材芯片传统的电力电子系统，多由硅（Si）为基础的半导体元件构成，其中硅基MOEFST以及IGBT应用最广泛。两种器件有各自的优缺点，只能高效的应用与各自的特定领域。随着业界对功率，效率以及环境压力的进一步追求，...

SiC 2022-05-27

哈尔滨理工大学蔡蔚教授团队研究成果：SiC 功率模块封装技术及展望

碳化硅模块封装的主要问题近几十年来，以新发展起来的第3代宽禁带功率半导体材料碳化硅（SiC）为基础的功率半导体器件，凭借其优异的性能备受人们关注。SiC与第1代半导体材料硅（Si）、锗（Ge）和第2代半导体材料砷化镓（G...

SiC 2022-05-18

重磅新品｜清纯半导体推出国内首款15V驱动SiC MOSFET

来源：碳化硅芯观察市场动态：近日，清纯半导体发布了国内首款15V驱动的1200V SiC MOSFET器件平台产品，填补了国内15V驱动SiC MOSFET产品空白。国内头部碳化硅器件研发企业「清纯半导体」日前宣布发布国...

SiC MOSFET 2022-04-13

SiC 市场高速增长

来源：Qorvo 半导体据国际知名分析机构 Yole 在早前的一份报告中介绍，受汽车应用的强劲推动，尤其是在 EV 主逆变器方面的需求，SiC 市场将迎来高速增长。报告指出，继特斯拉采用 SiC 后，2020 ...

SiC 2022-04-11

一文搞懂SiC功率器件的市场、应用和制造工艺

报告主题：一文搞懂SiC功率器件的市场、应用和制造报告作者：Dr. Victor VeliadisDeputy Executive Director and CTO, PowerAmericaProfessor ECE ...

SiC 2022-04-10

SiC外延工艺的掺杂以及监测

来源：宽禁带半导体技术创新联盟控制外延层的掺杂类型和浓度对 SiC 功率器件的性能至关重要，它直接决定了后续器件的比导通电阻，阻断电压等重要的电学参数。由Larkin等人发现的“竞位外延”方法[1]，可以有效...

SiC 2022-04-05

GaN如何改变半导体的未来？

来源：半导体芯闻内容编译自techradar，谢谢。GaN正在帮助半导体行业摆脱对硅的依赖。全球半导体短缺正在推迟从冰箱和微波炉到游戏机和智能手机的所有产品的生产。专家表示，该行业可能需要几个月的时间才能恢复，但实际上短...

GaN 2022-04-04

赛微电子：目前已签订千万级GaN外延片销售合同

来源：网络2月10日，赛微电子在接受机构调研时表示，在GaN外延片方面，公司已建成的6-8英寸GaN外延材料制造项目(一期)的产能为1万片/年，目前已签订千万级销售合同并根据商业条款安排生产及交付，公司既可以提供标准化产...

GaN 2022-02-13

日本频频加码SiC，又一厂商宣布...

来源：半导体行业观察综合2022年1月27日，富士电机表示，将增产功率半导体生产基地富士电机津轻半导体（青森县五所川原市/以下简称津轻工厂）的SiC（碳化硅）产能。量产计划在截至 2025 年 3 月的财政年度开始。未来...

SiC 2022-01-29