5月26日，日本东北大学对作为GaN（氮化镓）衬底的量产法而开发的“低压酸性单热（LPAAT）法”的实际应用进行了研究，明确了所使用的种子衬底的质量对生长后的晶体质量的影响，以及通过使用高品质的种子，生长后的结晶度也变好， 宣布在室温下的光致发光光谱也证实，通过自由激子重组产生的带端发光纯度变高。

这一成果由联合研究小组完成，该研究小组由东北大学多元材料科学研究所的奇奇布·希格希德教授、石谷泰三博士和助理教授Tsubira Tsubaki组成，他们来自日本钢铁厂新业务推进总部光子事业部氮化镓Gr和三菱化学技术总部筑波工厂的Garin夜骑技术中心的研究人员。

为了在环境保护和可持续社会活动中取得平衡，需要降低功耗和提高功耗效率。业界正在研发下一代GaN功率半导体材料，以满足这些需求。如负责功率控制的高频功率晶体管，许多GaN单晶衬底的质量存在问题，这些衬底作为电子器件（GaN-on-GaN器件）在独立的GaN衬底上制造，其潜力尚未充分发挥。

LPAAT方法由奇奇布教授及其同事、日本钢铁厂和三菱化学株式会社联合开发，是一种大直径的GaN单晶衬底，有望以低廉的价格大规模生产。已经投入实际应用，与使用高压超临界流体氨的酸性氨（AAT）方法相比，晶体生长压力为一半，由于设备配置和操作原因，它适合大规模生产。因此，研究人员决定进一步研究LPAAT方法的实际应用。

实际上，在LPAAT法实验炉中，根据生长中使用的种子种类（HVPE制、SCAAT制）的不同，从生长后的外观和结晶性等质量分析中确认了较大的差异，此外，根据本次联合研究框架的成果，使用三菱化学注册为SCAAT制的高品质GaN种子，通过LPAAT法生长的结晶 ，外观是透明和平坦的，低晶体马赛克（对称平面和非对称表面的X射线摇摆曲线半宽在20秒内）得到确认。

图1：使用 LPAAT 方法在高质量的 SCAAT 种子上生长的 GaN 单晶的外观、晶体结构特性和光致发光光谱

光致发光光谱，带端****强度约3位高，由于在12K高纯度半导体中观察到的束缚激发子的重组，与深水平****相比，在室温下，由于自由激子的重组，带端****占主导地位，也证实了高纯度GaN晶体。

根据这一结果，研究人员希望，如果采用LPAAT方法的高质量GaN单晶衬底得到广泛应用，将促进以高可靠性GaN垂直功率晶体管为代表的GaN-on-GaN器件的研究，并有望尽早投入实际应用。

图2：使用GaN的垂直功率晶体管的示意图

今后，在大规模生产用大型高压釜应用中，以LPAAT法实现高品质且大口径的GaN衬底的批量生产技术的实际应用为目标，通过进一步优化生长温度、由此制作的GaN的辐射·非辐射再结合速率、空孔型缺陷浓度等进行定量， LPAAT方法进一步提高了GaN单晶的光学和电气特性。

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