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阿托梅拉（Atomera）自研氧基外延技术，成功解决硅基氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-on-silicon HEMT）中危害器件性能的寄生沟道问题。行业两难困境氮化镓射频高电子迁移率晶体管广泛应用于移动通信、国防通信...

硅基氮化镓射频 2026-07-14

材料与技术授权企业阿托梅拉（Atomera）推出全新硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术方案，有效解决沟道寄生损耗问题。该损耗会导致器件效率下降，在高频工况下影响尤为突出。阿托梅拉表示，这项技术能够降低寄生损耗，同时赋予...

阿托梅拉硅基氮化镓 2026-06-10

法国 SOITEC 公司与新加坡南洋理工大学的研究人员报道，适度微缩的硅基氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-on-Si HEMT）在 30GHz 工作时，功率附加效率（PAE）突破 60%。该器件同时实现了低至 1.1d...

硅基氮化镓 GaN-on-Si 2026-03-04

山东大学和华为技术有限公司在中国使用氟（F）离子注入端接（FIT）在全垂直氮化镓（GaN）硅基硅（Si）沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中实现了1200V击穿性能[Yuchuan 马等人，IEEE Ele...

1200V 全垂直 2025-08-13

能达到高分辨率、高对比度、高亮度显示效果的Micro LED显示器，早在2012年就已经出现初代样品，但受限于超高难度的制造过程，至今仍被业界视为「梦幻级产品」。近年来，在大厂领军推动下，虽然已经有愈来愈多的...

硅基氮化镓 Micro LED 2022-06-15

意法半导体（STMicroelectronics）和电信、工业、国防和数据中心半导体解决方案供货商MACOM技术解决方案控股有限公司（那斯达克股票代码：MTSI」）宣布，已成功制造出射频硅基氮化镓（RF GaN-on-S...

意法半导体 MACOM 2022-06-14

硅基氮化镓