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美国加州大学洛杉矶分校（UCLA）和密歇根大学安娜堡分校声称增强模式 N 极性深凹槽（NPDR）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）具有破纪录的小信号性能 [Oguz Odabasi ...

N极深凹槽E型氮化镓 2025-08-12

氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）是场效应晶体管的一种形式，它在微波频率下工作时结合了高水平的性能和低噪声系数。不过，HEMT 与其他类型的 FET 器件有些不同，它的性能优于标准...

GaN HEMT 2025-03-14

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能出色，还具有优异的电流容量...

GaN HEMT GaN 2025-02-21

GaN HEMT TOLL封装 2025-02-13

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日宣布其 ICeGaN™ GaN HEMT 片上系统 ...

CGD ICeGaN HEMT 2023-10-09

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源*1，开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3...

ROHM AC适配器 2023-07-19

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