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高电子迁移率晶体管 HEMT high-electron mobility transistor 　　一种异质结场效应晶体管，为MESFE的变型。此术语由富士通(Fujitsu)公司提出。高速电子迁移率晶体管，就是利用半导体异质结构中杂质与电子在空间能被分隔的优点，因此电子得以有很高的迁移率。在此结构中，改变闸极(gate)的电压，就可以控制由源极(source)到泄极(drain)的电流，而达到放大的目的。查看更多>>

硅基氮化镓（GaN-on-Si）HEMT 在 5G 毫米波频段的优势

法国 SOITEC 公司与新加坡南洋理工大学的研究人员报道，适度微缩的硅基氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-on-Si HEMT）在 30GHz 工作时，功率附加效率（PAE）突破 60%。该器件同时实现了低至 1.1d...

硅基氮化镓 GaN-on-Si 2026-03-04

N极深凹槽E型氮化镓HEMT

美国加州大学洛杉矶分校（UCLA）和密歇根大学安娜堡分校声称增强模式 N 极性深凹槽（NPDR）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）具有破纪录的小信号性能 [Oguz Odabasi ...

N极深凹槽E型氮化镓 2025-08-12

GaN HEMT为开关应用带来低噪声功率

氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）是场效应晶体管的一种形式，它在微波频率下工作时结合了高水平的性能和低噪声系数。不过，HEMT 与其他类型的 FET 器件有些不同，它的性能优于标准...

GaN HEMT 2025-03-14

50V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL封装

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能出色，还具有优异的电流容量...

GaN HEMT GaN 2025-02-21

650V耐压GaN HEMT新增小型与高散热TOLL封装

GaN HEMT TOLL封装 2025-02-13

CGD的ICeGaN HEMT荣获台积电欧洲创新区“最佳演示”

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日宣布其 ICeGaN™ GaN HEMT 片上系统 ...

CGD ICeGaN HEMT 2023-10-09

HEMT

硅基氮化镓（GaN-on-Si）HEMT 在 5G 毫米波频段的优势

N极深凹槽E型氮化镓HEMT

GaN HEMT为开关应用带来低噪声功率

50V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL封装

650V耐压GaN HEMT新增小型与高散热TOLL封装

CGD的ICeGaN HEMT荣获台积电欧洲创新区“最佳演示”

【IEEE里程碑奖】HEMT技术

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