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HEMT

高电子迁移率晶体管 HEMT high-electron mobility transistor 　　一种异质结场效应晶体管，为MESFE的变型。此术语由富士通(Fujitsu)公司提出。高速电子迁移率晶体管，就是利用半导体异质结构中杂质与电子在空间能被分隔的优点，因此电子得以有很高的迁移率。在此结构中，改变闸极(gate)的电压，就可以控制由源极(source)到泄极(drain)的电流，而达到放大的目的。

N极深凹槽E型氮化镓HEMT

美国加州大学洛杉矶分校（UCLA）和密歇根大学安娜堡分校声称增强模式 N 极性深凹槽（NPDR）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）具有破纪录的小信号性能 [Oguz Odabasi ...

N极深凹槽E型氮化镓 2025-08-12

GaN HEMT为开关应用带来低噪声功率

氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）是场效应晶体管的一种形式，它在微波频率下工作时结合了高水平的性能和低噪声系数。不过，HEMT 与其他类型的 FET 器件有些不同，它的性能优于标准...

GaN HEMT 2025-03-14

50V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL封装

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能出色，还具有优异的电流容量...

GaN HEMT GaN 2025-02-21

650V耐压GaN HEMT新增小型与高散热TOLL封装

GaN HEMT TOLL封装 2025-02-13

CGD的ICeGaN HEMT荣获台积电欧洲创新区“最佳演示”

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日宣布其 ICeGaN™ GaN HEMT 片上系统 ...

CGD ICeGaN HEMT 2023-10-09

ROHM开发出EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，助力减少服务器和AC适配器等的损耗和体积！

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源*1，开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3...

ROHM AC适配器 2023-07-19

实测案例：1200V GaN HEMT功率器件动态特性测试

氮化镓器件是第三代半导体中的典型代表，具有极快的开关速度，能够显著提升功率变换器的性能，受到电源工程师的青睐。同时，极快的开关速度又对其动态特性的测试提出了更高的要求，稍有不慎就会得到错误结果。传统氮化镓器件多用于消费类...

GaN HEMT 功率器件 2023-07-18

ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT

全球知名半导体制造商ROHM（以下简称“ROHM”）将650V耐压的GaN（Gallium Nitride：氮化镓）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这两款产品非常适用于服务器...

ROHM 650V 2023-05-16

用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保护

当今的行业需要紧凑且速度更快的电子电路，这些电路可以在高性能计算机、电动汽车、数据中心和高功率电机驱动等高功率应用中实施。实现这一壮举的方法是提高电子设备的功率密度。硅基MOSFET具有较低的开关速度和热效率；因此，如果...

GaN HEMT 2023-03-08

ROHM确立栅极耐压8V的150V GaN HEMT量产体制

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已确立150V耐压GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列（GNE1040TB）”的量产体制，该系列产品的栅极耐压（栅极-源极间额定电压）*2高达8V，非常适用于基站...

ROHM 150V 2022-03-24

GaN 器件的直接驱动配置

受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型拓扑。GaN具有低寄生电...

MOSFET HEMT 2020-08-04

科锐推出S波段GaN器件

科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出可适用于军用和商用S 波段雷达中的高效GaN HEMT 晶体管。新型 S 波段GaN HEMT 晶体管的额定功率为60W，频率为 3.1至3.5GHz 之间，与传统Si或 Ga...

科锐晶体管 2012-07-09