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高电子迁移率晶体管 HEMT high-electron mobility transistor 　　一种异质结场效应晶体管，为MESFE的变型。此术语由富士通(Fujitsu)公司提出。高速电子迁移率晶体管，就是利用半导体异质结构中杂质与电子在空间能被分隔的优点，因此电子得以有很高的迁移率。在此结构中，改变闸极(gate)的电压，就可以控制由源极(source)到泄极(drain)的电流，而达到放大的目的。

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06-24  HEMT
BigLH|浏览：767|回复：0| BigLH 2022-06-24 14:18:46
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