专栏中心

EEPW首页 > 专栏 > 今年会是SiC半导体和功率模组元年吗？

今年会是SiC半导体和功率模组元年吗？

发布人：旺材芯片时间：2023-01-30 来源：工程师

加入技术交流群
- 扫码加入
  和技术大咖面对面交流
  海量资料库查询

发布文章

来源：国际电子商情

近来的新发展则是芯片制造商如何从开发、制造到封装整合SiC供应链。随着对于先进SiC解决方案的需求不断增加，特别是在汽车市场，一个新的端对端垂直整合供应链正在迅速地形成。碳化硅(SiC)半导体在处理高功率和导热的能力，比起电动车(EV)系统和能源基础设施中传统所用的硅(Si)更高效，如今已广受肯定。SiC组件有助于更高效地将电力从电池传输到EV系统组成中的马达，从而让EV的续航里程增加5%至10%。近来的新发展则是芯片制造商如何从开发、制造到封装整合SiC供应链。随着对于先进SiC解决方案的需求不断增加，特别是在汽车市场，一个新的端对端垂直整合供应链正在迅速地形成。本文回顾在2022年间发生的三件业界大事，充份显示SiC生态系统的快速整合以及半导体供应链的弹性。

新的SiC生产设施

2022年8月，安森美半导体(onsemi)在美国新罕布什尔州哈德逊(Hudson, New Hampshire成立一座新的SiC制造厂，在供应受限的环境中建立垂直整合的生产设施。该制造厂将有助于onsemi得以全面控制其SiC制造供应链，从采购SiC粉末和石墨原材料到交付完全封装的SiC组件。因此，onsemi预计到2022年底将有助于使其年产能扩增五倍，同时使Hudson的员工人数增加4倍。

图1 ：onsemi在美国签署《芯片法案》(Chips Act)后仅数天即启动其SiC新厂。

SiC新晶圆厂

2022年10月，专注于开发SiC半导体超过25年的意法半导体(STMicroelectronics)宣布将在意大利卡塔尼亚(Catania, Italy)厂建造一座SiC基板制造厂，以支援汽车和工业应用对于SiC组件日益增加的需求。SiC基板制造厂将与Catania现有的SiC组件制造厂共同建造，将自2023年开始生产150-mm SiC外延基板。预计这也将使Catania成为SiC半导体的研究、开发和制造中心。ST还暗示将在不久的将来开发200-mm SiC晶圆。这家欧洲芯片制造商目前正在其位于Catania和新加坡宏茂桥(Ang Mo Kio)的工厂生产大量STPOWER SiC产品，而SiC组装和测试则在中国深圳和摩洛哥Bouskoura的后端工厂进行。

晶圆供应协议

SiC基板有多么重要，从射频(RF)和功率半导体供应商Qorvo与SK Siltron CSS签署SiC裸晶和外延晶圆的多年供应协议可见一斑。SK Siltron CSS供应的化合物半导体晶圆解决方案可望增强对Qorvo第4代SiC FET产品的保护和信心。

图2 ：SK Siltron CSS与Qorvo等SiC半导体供应商合作供应晶圆。

随着SiC基板的产能建立，2023年可望成为SiC半导体和功率模组的元年。*编译：Susan Hong*参考原文：SiC and resurgence of semiconductor vertical integration，by Majeed Ahmad.

专栏文章内容及配图由作者撰写发布，仅供工程师学习之用，如有侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。联系我们

关键词： SIC

相关推荐

基于分离输出拓扑结构的高效率SiC-MOSFET功率模块

设计方案 M34x 功率模块 SiC-MOSFET 逆变器 2015-08-09

SiC-MOSFET－功率晶体管的结构与特征比较

nakey 2020-02-18

P02SCT3040KR-EVK-001产品规格书

在本用户手册中，将介绍 TO-247-4L 封装用评估板的产品规格。如欲了解使用相关的详细信息，请参考《TO-247-4L 半桥评估板使用说明书》...

资源下载 SiC MOSFET ROHM 2021-03-17

Sic 碳化硅肖特基二极管开关电源中的应用优势！

从小就是电子迷 2019-07-25

Vishay推出适用于GaN和SiC开关应用EMI滤波的新型航天级共模扼流圈

美国宾夕法尼亚 MALVERN、中国上海 — 2026年4月15日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款新型航天级表面贴装共模扼流圈-...

模拟技术 Vishay GaN SiC 开关 EMI滤波航天级共模扼流圈 2026-04-16

使用SiC的新功率元器件技术

使用SiC的新功率元器件技术...

视频 SIC 新功率元器件 ROHM 2017-12-11

Cree SiC功率器件选型指南.pdf

Cree SiC功率器件选型指南...

资源下载 Cree SiC 功率器件 2015-08-07

P02SCT3040KR-EVK-001使用说明书

在本用户手册中，将介绍 TO-247-4L 封装用评估板的使用方法。如欲了解电路图、BOM、PCB 布局及电气规格等相关的详细信息，请参考《TO-247-4L 半桥评估板产品规格书》....

资源下载 SiC MOSFET ROHM 2021-03-17

SiC MOSFET半桥模块用于开关电源，系统效率能达到99%

设计方案 CAS300M12BM2 SiC 碳化硅 MOSF 2015-08-09

SiC MOSFET的并联设计要点

SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制,常见的单管额定电流多在几十到两百安培,而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景,往往需要千安级的电流输出,单管无法满足。因此,SiC MOSF...

电源与新能源英飞凌 SiC MOSFET 并联设计 2026-04-22

超快充、数据中心成碳化硅SiC下一轮增长引擎

电动汽车超快充、数据中心电力基础设施，将成为碳化硅（Si）的下一轮增长引擎。安森美（onsemi）高级技术营销总监 Mrinal Das 在今年 “化合物半导体国际大会” 上，用一句话概括了 SiC 的下一波重大机遇：可...

电源与新能源碳化硅 SiC 超快充数据中心安森美英飞凌意法半导体 2026-05-15

SiC叙事主线迎来新篇章 10KV只是新战场起点

过去十年里，碳化硅（SiC）功率器件的叙事主线几乎始终围绕新能源汽车展开。从650V、1200V到1700V，SiC MOSFET最重要的技术价值是替代传统硅基IGBT，提高逆变效率、降低散热压力并缩小系统体积。随着新能...

电源与新能源 SiC 10KV Wolfspeed 英飞凌罗姆 2026-05-19

意法半导体推出功能丰富的电气隔离栅极驱动器，为碳化硅或硅功率晶体管提供更好控制和保护

EEPW 2018-08-06

碳化硅赋能浪潮教程：利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET

碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性,在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发,剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已...

电源与新能源安森美碳化硅 SiC CJFET，MOSFET 2026-04-22

SiC功率模块关键在价格，核心在技术

设计方案 CAS300M12BM2 SiC 碳化硅 MOSF 2015-08-08

从栅极驱动器到功率MOSFET，经过验证的SiC转换器解决方案

充满信心地设计6.6 kW高频率SiC功率转换器。测试报告表明，将ADI隔离式栅极驱动器、Wolfspeed碳化硅MOSFET和肖特基二极管组合在一起，可实现高效的快速开关SiC解决方案。访问ADI的数字隔离技术...

视频 adi MOSFET SiC 2021-06-03

SiC MOSFET 短路行为解析与英飞凌保护方案探讨

在设计常见的DCDC或DCAC等电路时，我们经常遇到需要桥臂直通保护的要求。IGBT通常具有5~10us的短路耐受时间，足以应付大部分短路工况。然而，对于SiC MOSFET器件来说，问题变得复杂了。因为在相同的电流等级...

电源与新能源英飞凌 SiC MOSFET 短路行为 2026-04-09

什么是SiC？

dolphin 2014-06-12

SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择

01、SiC MOSFET的体二极管及其关键特性无论是平面栅还是沟槽栅，SiC MOSFET都采用垂直导电结构，其纵向（从漏极到源极）的层状结构是通用的，如下图所示：图1. 沟槽型--英飞凌非对称沟栅CoolSiC™ M...

电源与新能源英飞凌 SiC MOSFET 二极管 2026-04-30

SiC-MOSFET的应用实例

水方 2019-09-21

1200V 碳化硅半桥模块问世，为 IGBT 方案提供简易升级路径

SemiQ 推出面向数据中心制冷与工业驱动的半桥系列产品，集成 1mΩ 导通电阻 SiC MOSFET 与并联碳化硅二极管，实现高功率转换效率。来源：Anattawut | Dreamstime.comSemiQ 公司开...

电源与新能源 SiC AI数据中心液冷 2026-04-23

沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解

对于我国的电力电子界来说,固态变压器(SST)并非是一个全新的话题,在轨道交通、电网合环运行、大型超充站项目里都有过试点实践。受限于高成本、功率器件参数选择少、高频变压器散热瓶颈,SST曾经的商业化之路面对的挑战大于机遇...

电源与新能源英飞凌沟槽栅 SiC MOSFET SST高频高压 2026-04-22

车展热闹背后，汽车电子竞争正在往底层走

北京车展不只是新车和功能竞争。智驾芯片、智控平台、800V 高压系统、隔离驱动、传感器、方案整合和交付能力，正在成为整车体验能否做稳的关键。...

汽车电子汽车电子北京车展智能汽车智驾芯片智控中央计算 800V SiC 隔离驱动车规模拟芯片 2026-04-25

电力电子器件的最新发展

电力电子器件的最新发展 |电力电子器件的最新发展 | |　　浙江大学电机系钱照明，陈辉明，吕征宇 ...

资源下载电力电子功率晶闸管 IGBT MOS SiC 2009-05-27

首款内置1700V碳化硅MOSFET汽车级开关IC方案

了解学习【PI】InnoSwitch3-AQ-1700V碳化硅功率IC 更多PI相关信息，请关注： PI解决方案中心：http://ec.eepw.com.cn/center/index/userid/43195...

视频 SiC 碳化硅 PI 电动汽车 2022-02-25

SiC Mosfet门驱动光耦，具最大110ns传输延迟

设计方案 ACPL-W349 SiC Mosfet门驱动 2015-08-10

微电子所在SiC MOSFET器件研制方面取得重要进展

设计方案微电子 SiC MOSFET 碳化硅 Si 2015-07-14

高速开关封装SiC MOSFET：TO-247-4L【SCT3xxx xR系列】

罗姆开发出6款沟槽栅结构SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品（650V／1200V耐压），非常适用于要求高效率的服务器用电源，太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。此次新开发的系列产品，采用4引脚封装（TO...

视频 SiC MOSFET ROHM 2021-03-17

控制、驱动、检测高密度SiC/GaN功率转换

了解关键的ADI iCoupler®数字隔离、控制、传感和通信技术如何直接通过部署SiC和GaN功率转换及日益复杂的多级控制拓扑来解决面临的挑战。...

视频 ADI iCoupler®数字隔离控制传感通信技术 SiC GaN 2017-02-13

电力电子器件

电力电子器件的最新发展 |电力电子器件的最新发展 | |　　浙江大学电机系钱照明，陈辉明，吕征宇 ...

资源下载电力电子功率晶闸管 IGBT MOS SiC 2009-06-11

更多 培训课堂

更多焦点

更多视频

技术专区