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世界上第一款3D芯片工艺已经准备获取牌照,该工艺来自于无晶圆半导体设计公司BeSang公司。BeSang公司制作的用于演示的芯片在其控制逻辑上使用了1.28亿个垂直晶体管用作内存位单元。该芯片的设计在国家Nanofab中心(韩国大田)和斯坦福Nanofab(美国加州)进行。BeSang公司称,该工艺由25个专利所保护,将允许Flash、DRAM以及SRAM放置在逻辑电路、微处理器以及片上系统上。
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