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功率应用中的 MOSFET 选型实用指南

电子技术快速迭代，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）选型是高效电源系统设计的关键。随着功率应用要求不断提升，工程师需综合考量多项参数，确保器件性能最优。本文聚焦 MOSFET 选型核心要点，详解器件规格、数据手...

功率应用 MOSFET 2026-05-28

专家指南：IGBT 与 MOSFET选型对比

电力电子技术飞速发展，绝缘栅双极晶体管（IGBT）与金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是核心功率器件。二者广泛应用于工业电机驱动、可再生能源系统等领域。工程师若要优化电路设计，必须深入理解二者技术参数与性能差异...

IGBT MOSFET 2026-05-28

安世半导体与Polar半导体合作建设MOSFET晶圆厂

安世半导体（Nexperia）将在美国代工厂Polar 半导体生产功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。Polar 半导体位于美国明尼苏达州，其晶圆厂始建于 1969 年，在功率工艺领域拥有丰富经验。该公司...

安世半导体 Polar 2026-05-28

楼宇自动化智能温控器(Thermosat)继电器设计选型指南

设计挑战继电器是住宅温控器中故障率最高的组件。机械继电器会磨损、产生可闻噪声、产生电磁干扰，并占用宝贵的 PCB 面积。对于设计下一代智能温控器的工程团队而言，这些限制直接影响产品寿命、认证周期和现场故障率。芯片式固态...

固态继电器机械继电器 2026-05-28

东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率

中国上海，2026年5月21日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时...

东芝 1200V 2026-05-22

罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

中国上海，2026年5月21日——全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU（电池备份单元）中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向...

罗姆 SiC 2026-05-22

利用智能理想二极管实现汽车电池前端保护

简介汽车电池端子在启动、车辆保养或维修过程中可能被反接，如果对这些故障条件不能恰当处理，电子控制单元 (ECU) 中的组件就可能损坏。除此之外，正常运行期间的汽车电池电压也可能不恒定。在 EMC 标准（如 ISO 763...

汽车电池前端保护智能理想二极管 2026-05-14

SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择

01、SiC MOSFET的体二极管及其关键特性无论是平面栅还是沟槽栅，SiC MOSFET都采用垂直导电结构，其纵向（从漏极到源极）的层状结构是通用的，如下图所示：图1. 沟槽型--英飞凌非对称沟栅CoolSiC™ M...

英飞凌 SiC MOSFET 2026-04-30

罗姆发布第5代碳化硅MOSFET，导通电阻降低30%

据罗姆官方消息，日本半导体制造商罗姆在今年3月完成了第5代碳化硅（SiC）MOSFET的开发。新产品通过改进器件结构和优化制造工艺，在175℃结温（Tj）条件下，导通电阻较上一代产品降低了约30%。罗姆指出，这款SiC ...

罗姆第5代碳化硅 2026-04-23

600V 超结 MOSFET 面向电动汽车、开关电源及光伏逆变器应用

来源：万高半导体（Alpha & Omega Semiconductor，AOS）万高半导体（AOS）推出的 AOTL037V60DE2 型 600V MOSFET，是该公司基于 MOS E2 平台实现量产的首款器件。该...

MOSFET 太阳能逆变器 2026-04-23

SiC MOSFET的并联设计要点

SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制,常见的单管额定电流多在几十到两百安培,而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景,往往需要千安级的电流输出,单管无法满足。因此,SiC MOSF...

英飞凌 SiC MOSFET 2026-04-22

沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解

对于我国的电力电子界来说,固态变压器(SST)并非是一个全新的话题,在轨道交通、电网合环运行、大型超充站项目里都有过试点实践。受限于高成本、功率器件参数选择少、高频变压器散热瓶颈,SST曾经的商业化之路面对的挑战大于机遇...

英飞凌沟槽栅 2026-04-22

碳化硅赋能浪潮教程：利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET

碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性,在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发,剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已...

安森美碳化硅 2026-04-22

电力电子的未来：2026 MOSFET晶体管趋势与技术创新

引言电力电子领域正在飞速发展，MOSFET 晶体管始终处于创新前沿。随着 2026 年临近，这类器件在消费电子、工业系统等众多应用中变得愈发不可或缺。2026 年全球半导体产业规模预计达到 5952 亿美元，正反映出这一...

电力电子 MOSFET 2026-04-16

IGBT与MOSFET：数据对比选型以助力优化电子设计

引言在飞速发展的电子设计领域，选用合适的元器件对优化性能、效率与可靠性至关重要。** 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）与金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）** 是工程师在电力电子应用中经常选用...

IGBT MOSFET 2026-04-16

IRF540 功率MOSFET实际应用：案例研究与深度解析

本文面向工程师与采购人员的专业指南，涵盖 IRF540 功率 MOSFET 的实际应用、案例研究与深度解析，包含技术规格、应用场景及采购建议。引言在不断发展的电子技术领域中，IRF540 功率 MOSFET 凭借其通用性...

IRF540 MOSFET 2026-04-16

SiC MOSFET 短路行为解析与英飞凌保护方案探讨

在设计常见的DCDC或DCAC等电路时，我们经常遇到需要桥臂直通保护的要求。IGBT通常具有5~10us的短路耐受时间，足以应付大部分短路工况。然而，对于SiC MOSFET器件来说，问题变得复杂了。因为在相同的电流等级...

英飞凌 SiC 2026-04-09

英飞凌第二代SiC MOSFET性能解析及设计要点

在新能源革命与工业数字化的浪潮中，功率半导体作为核心“能量管家”，直接决定着电力转换系统的效率、密度与可靠性。英飞凌作为全球功率器件的领军者，凭借其深耕碳化硅（SiC）领域的技术积淀，推出了CoolSiC™ MOSFET...

英飞凌 SiC 2026-04-09

选用合适的MOSFET：下一项目的核心选型要点

引言在飞速发展的电子领域中，选择合适的 MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）对项目成功至关重要。据预测，到 2026 年半导体行业规模将达到 5952 亿美元，对高效、可靠 MOSFET 的需求持续增...

MOSFET 电源管理 2026-04-09

Diodes推出行业领先的100V PowerDI®8080-5封装MOSFET

Diodes 公司（Nasdaq：DIOD）推出行业领先的超低RDS（ON）100V MOSFET，扩充其PowerDI8080-5 汽车级*N沟道MOSFET产品组合。与新型40V至80V MOSFET一同推出，所有8...

Diodes PowerDI 2026-04-03

麦米电气采用英飞凌CoolMOS™ 8 MOSFET驱动其新一代AI服务器

【2026年3月25日, 中国上海讯】中国人工智能服务器电源供应商深圳麦格米特电气股份有限公司（以下简称：麦米电气）宣布，将在其5.5 kW人工智能（AI）服务器电源中采用由全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科...

麦米电气英飞凌 2026-03-25

Vishay采用行业标准SOT-227封装的1200V SiC MOSFET功率模块提升功率效率

2026年3月17日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模块---VS-SF50LA120、VS-S...

Vishay SOT-227 2026-03-17

英飞凌XHP™ 2系列2300V CoolSiC™ 碳化硅MOSFET

为顺应可再生能源领域中1500V直流母线应用日益增长的趋势，英飞凌推出XHP™ 2系列2300V CoolSiC™ MOSFET产品扩充。该系列产品电流规格丰富，最高可达2000A，并提供4kV或6kV的隔离电压等级，非...

英飞凌再生能源 2026-03-03

CoolSiC™ MOSFET M1H共源配置62mm模块

英飞凌推出1200V和2000V CoolSiC™ MOSFET 62mm半桥模块，结合M1H芯片技术，推出共源配置版本产品型号：■ FF1MR12KM1H■ FF3MR12KM1H■ F...

英飞凌 CoolSiC 2026-03-03

英飞凌CoolSiC碳化硅MOSFET获丰田bZ4X车型采用

英飞凌宣布，其碳化硅功率半导体器件被丰田新款纯电动车型 bZ4X 选用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 将应用于该车的车载充电器（OBC）与直流 - 直流转换器（DC/DC）中。对于欧洲电子工程新闻网的读者而...

英飞凌 CoolSiC 2026-02-11

安森美T2PAK封装：破局热管理瓶颈重构高功率生态

在电动汽车、光伏储能、AI数据中心等领域迎来功率需求爆发式增长的当下，热管理已成为制约电源产品功率密度与效率提升的核心瓶颈。传统封装方案往往在散热性能与开关特性之间难以兼顾，行业迫切需要兼具创新结构与卓越性能的解决方案。...

202601 MOSFET 2026-02-03

栅极氧化层在SiC MOSFET设计中的重要作用

碳化硅功率半导体在光伏、充电、电动汽车等行业得到了广泛应用，其潜力毋庸置疑。然而，从当前高功率碳化硅MOSFET来看，仍存在一个难题：即如何实现平衡性能、鲁棒性、可靠性和易用性的设计。比导通电阻是衡量SiC MOSFET...

英飞凌 MOSFET 2026-01-27

碳化硅何以英飞凌？—— SiC MOSFET性能评价的真相

在碳化硅（SiC）技术的应用中，许多工程师对SiC的性能评价存在误解，尤其是关于“单位面积导通电阻（Rsp）”和“高温漂移”的问题。作为“碳化硅何以英飞凌”的系列文章，本文将继续为您揭开这些误区的真相（误区一见：碳化硅何...

英飞凌碳化硅 2026-01-27

onsemi 与 FORVIA HELLA 在汽车动力 MOSFET 领域进一步展开合作

Onsemi与FORVIA HELLA延续了长期的战略合作，正式签署了一项专注于下一代汽车动力MOSFET技术的新长期协议。该交易重点在于将Onsemi的PowerTrench T10 MOSFET应用于FORVIA H...

Onsemi FORVIA HELLA 2026-01-04

英飞凌推出采用Q-DPAK和TOLL封装的全新工业CoolSiC MOSFET 650V G2，实现更高的功率密度

简介CoolSiC MOSFET G2 沟槽式 MOSFET 发挥碳化硅的性能优势，通过降低能量损耗来提高功率转换过程中的效率。将 SiC 性能提升到一个新水平，同时满足所有常见电源方案组合的最高质量标准： AC-DC、...

英飞凌 CoolSiC MOSFET 650V G2 2025-12-29

英飞凌OptiMOS 6 80V MOSFET树立领先AI服务器平台DC-DC功率转换效率新标准

简介英飞凌OptiMOS™ 6 80 V——最新的功率MOSFET技术，通过广泛的产品组合设定了新的行业基准性能，包括PQFN 3.3x3.3，SuperSO8、双面散热PQFN 5x6 以及源极向下 PQFN 3.3x...

英飞凌 OptiMOS 6 2025-12-24

MOSFET失效分析

MOSFET 是芯片的基本单元，MOSFET是为了实现数字电路中0和1的开关，他有三个电极，源极、栅极和漏极，简化模型如下图...

MOSFET 雪崩失效 2025-12-24

ROHM车载40V/60V MOSFET产品阵容中新增高可靠性小型新封装产品

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）近日宣布，适用于主驱逆变器控制电路、电动泵、LED前照灯等应用的车载低耐压（40V/60V）MOSFET产品阵容中，又新增HPLF5060（4.9mm×6.0mm）封装产...

ROHM MOSFET 2025-12-18

Boost电路的工作过程

Boost电源电路是一种DC-DC升压电路，能够将低电压升高到较高电压。其基本原理是利用电感储能和电容储能的方式，通过开关管的开关控制，将输入电压进行短时间内的变化，从而使输出电压得到升压。通过调整开关管的开关频率和占空...

Boost电路工作过程 2025-12-09

全硅RC缓冲器，用于碳化硅MOSFET

Melexis正在制造全硅RC缓冲器，用于集成在碳化硅动力模块中。目前正在向潜在客户采样，所有零件将是新零件编号“MLX91299”的变体，并以裸芯片形式交付，准备与电源模块内的MOSFET和二极管芯片进行顶部线连接。反...

全硅 RC 缓冲器碳化硅 MOSFET 2025-12-01

iDEAL Semiconductor以SuperQ™ MOSFET为高压电池设定新安全标准

iDEAL Semiconductor, 是高效能功率硅的领导者，今天宣布推出其 SuperQ™ MOSFET 技术，专门设计用来解决高压（72V 及更高）电池管理系统（BMS）中关键的安全与效率权衡问题。此新平台为 ...

iDEAL MOSFET 2025-11-21

内阻很小的MOS管为什么会发热？

Source、Drain、Gate分别对应场效应管的三极：源极S、漏极D、栅极G（里这不讲栅极GOX击穿，只针对漏极电压击穿）。一、MOSFET的击穿有哪几种？先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫...

MOS管 MOSFET 2025-11-19

PCIM2025论文摘要 | 400V SiC MOSFET助力服务器和人工智能电源实现更高的效率和功率密度

内容摘要400V SiC MOSFET技术可以实现更低的开关损耗和导通损耗。简要介绍了该器件的概念和特性。在用于服务器应用的电源(PSU)中对其优势进行了研究，该电源在176V-265V交流输入和50V输出电压下可提供3...

英飞凌 MOSFET 2025-11-14

英飞凌扩展其CoolSiC™产品系列，推出专为高功率与计算密集型应用而设计的400V和440V MOSFET

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司通过增加顶部散热（TSC）的TOLT封装及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC™ 400V G2 MOSFET产品组合。此外，英飞凌还推出了三...

英飞凌 CoolSiC 2025-10-26

英飞凌推出针对工业与消费类应用优化的OptiMOS™ 7功率MOSFET

各行业高功耗应用的快速增长对功率电子技术提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在这方面发挥着关键作用，而针对应用优化的设计思路为进一步提升已高度成熟的MOSFET技术带来了新的可能性。通过...

英飞凌 MOSFET 2025-10-23