目录·MOSFET的操作原理·MOSFET的核心·MOSFET的操作模式·MOSFET在电子电路上应用的优势·数位电路·模拟电路·MOSFET的尺寸缩放·为何要把MOSFET的尺寸缩小·MOSFET的尺寸缩小后出现的困难·次临限传导·芯片内部连接导线的寄生电容效应·芯片发热量增加·栅极氧化层漏电流增加·制程变异更难掌控·MOSFET的栅极材料·各种常见的MOSFET技术·双栅极MOSFET·DMOS·以MOSFET实现类比开关·单一MOSFET开关·MOSFET与IGBT的对比　　金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。 　　从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的第一个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。

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