GaN FET资讯-电子产品世界网

在开关模式电源中使用氮化镓技术的注意事项

本文详细讨论了GaN技术，解释了如何在开关模式电源中使用此类宽禁带开关，介绍了电路示例，并阐述了使用专用GaN驱动器和控制器的优势。而且，文中展示了LTspice®工具，以帮助理解GaN开关在电源中的使用情况。最后，展望...

开关模式电源氮化镓 2025-12-15

借助TOLL GaN突破太阳能系统的界限

太阳能系统的发展势头越来越强，光伏逆变器的性能是技术创新的核心。设计该项光伏逆变器旨在尽可能高效地利用太阳能。其中一项创新涉及使用氮化镓 (GaN)。氮化镓正在快速取代硅 (Si) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系统...

TOLL GaN 太阳能系统 2025-12-12

技术干货 | 借助 TOLL GaN 突破太阳能系统的界限

TI TOLL 2025-12-11

美国国际贸易委员会裁定英飞凌在针对英诺赛科的一项专利侵权案中胜诉

● 美国国际贸易委员会的最终裁定可能导致英诺赛科涉嫌侵权的产品被禁止进口至美国● 该裁决是又一项积极结果，彰显了英飞凌在业界领先的专利组合的价值● 氮化镓 (GaN) 在实现高性能、高能效功率系统方面发挥着关...

美国国际贸易委员会英飞凌 2025-12-06

ST宣布用于运动控制的GaN集成电路平台

意法半导体发布了新的智能电源组件，使家用电器和工业驱动能够利用最新的氮化镓技术，提升能源效率、性能提升并节省成本。市场上的氮化镓电源适配器和充电器能够承受笔记本电脑和USB-C快充所需的足够功率，实现极高效率以满足严格的...

ST 运动控制 2025-12-02

STicroelectronics 新的 GaN 集成电路运动控制平台提升了电器能耗

意法半导体发布了新的智能电力组件，使家用电器和工业驱动能够利用最新的氮化镓（氮化镓）技术，提升能源效率、性能提升并节省成本。市场上的氮化镓电源适配器和充电器能够承受笔记本电脑和USB-C快充所需的足够功率，实现极高效率以...

意法半导体 GaN ICs 2025-12-01

Allegro与英诺赛科联合推出全GaN参考设计，赋能AI数据中心电源

全球运动控制与节能系统电源及传感解决方案领导者之一Allegro MicroSystems, Inc. (以下简称“Allegro”，纳斯达克股票代码：ALGM)，与全球领先的硅基氮化镓制造供应商英诺赛科 (Innosc...

Allegro 英诺赛科 2025-11-26

使用 p-GaN 屏蔽提高开关速度

电力电子产品的销售额预计将在这十年及以后飙升。推动这一趋势的是电动汽车产量的增加和数据中心的增长，由于人工智能的采用，数据中心的电力需求更加苛刻。对于使用电力电子的每种应用，提高其效率都是有益的。收益可能包括增加行驶里程...

p-GaN 屏蔽 2025-11-10

Yole:消费、汽车和数据中心推动GaN复合年增长率达42%

Yole 表示，到 2030 年，功率 GaN 器件市场预计将达到 30 亿美元，2024 年至 2030 年复合年增长率为 42%。消费电子产品是领先的采用者，功率氮化镓继续在快速充电器领域占据主导地位。尽管与 xEV...

Yole GaN 2025-11-03

意法半导体半桥栅极驱动器简化低压系统中的GaN电路设计

意法半导体的STDRIVEG210和STDRIVEG211半桥氮化镓(GaN)栅极驱动器是为工业或电信设备母线电压供电系统、72V电池系统和110V交流电源供电设备专门设计，电源轨额定最大电压220V，片上集成线性稳压器...

意法半导体半桥栅极驱动器 2025-10-27

在LTspice仿真中使用GaN FET模型

近年来，工业电源市场对氮化镓(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高带隙器件的兴趣日益浓厚。GaN器件凭借显著降低的电荷特性，能够在较高开关频率下实现高功率密度，而MOSFET在相同条件下运行时会产生巨大的热损耗...

ADI LTspice 2025-10-23

GaN成AI服务器电源芯片竞争焦点，未来应用潜力巨大

据相关报道，随着NVIDIA宣布AI服务器进入800V高电压供电时代，功率半导体领域迎来了新的技术竞争。氮化镓（GaN）作为宽能隙半导体的重要代表，正成为市场关注的核心。近年来，多家企业积极投入GaN技术的研发，使其应用...

GaN AI服务器 2025-10-21

Power Integrations发布新技术白皮书，深度解读适用于下一代800VDC AI 数据中心的1250V和1700V PowiGaN技术

深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations近日发布一份新的技术白皮书，详解其PowiGaN™氮化镓技术能为下一代AI数据中心带来的显著优势。这份白皮书发布于圣何塞举行的2025年开...

Power Integrations 数据中心 2025-10-15

Imec推出300mm GaN计划以驱动下一代功率器件

Imec 启动了一项新的开放式创新计划，专注于用于低压和高压电力电子的 300mm GaN 技术。该计划旨在提高氮化镓器件性能，同时降低制造成本，标志着功率半导体行业向前迈出了重要一步。对于...

Imec 300mm 2025-10-11

纳芯微携手联合电子与英诺赛科，共创新能源汽车功率电子新格局

2025年9月29日，苏州纳芯微电子股份有限公司（以下简称：纳芯微）、联合汽车电子有限公司（以下简称：联合电子）与英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称：英诺赛科）共同签署战略合作协议。三方将聚焦新能源汽车功率电子系...

纳芯微联合电子 2025-09-30

技术干货 | 采用 GaN 的 Cyclo 转换器如何帮助优化微型逆变器和便携式电源设计

摘要微型逆变器和便携式电源的普及度持续增长，部分原因是人们对更具可持续性且灵活的电源解决方案的需求不断增加。随着最近推出阳台型逆变器（该产品将微型逆变器与小型电池储能系统结合在一起），这两种技术的普及率可能会进一步提升。...

202509 德州仪器 2025-09-16

SiC和GaN技术重塑电力电子行业前景

电力电子行业将进入增长的最后阶段，预计到 2025 年评估市场价值将达到 517.3 亿美元，到 2030 年将达到 674.2 亿美元。5.4% 的稳定复合年增长率源于对能源效率、可再生能源集成和半导体先进技术的需求稳...

SiC GaN 2025-09-15

无需钳位电路实现动态导通电阻RDS(on)的测量技术

_____动态导通电阻（RDS(on)）是电源转换器设计人员理解电荷俘获效应影响的重要参数。然而，关于其测量技术的知识体系仍相对较新。传统的动态RDS(on)测量技术依赖于二极管钳位电路，使示波器能够以足够的分辨率测量漏...

动态导通电阻 RDS(on)测量 2025-09-10

GaN市场，蓄势待发

GaN 是近日半导体市场的热点词汇之一。...

GaN 2025-09-10

采用GaN的Cyclo转换器如何帮助优化微型逆变器和便携式电源设计

1.简介微型逆变器中的功率转换系统通常采用两级式设计，如图 1-1 所示。图1-1 微型逆变器两级拓扑在这种方案中，首先是一个直流/直流级（反激式或推挽式升压级），然后是另一个交流/直流级（自换向交流/直流或图腾柱 PF...

2202509 GaN 2025-08-20

单片集成 GaN 功率 IC 如何提高功率密度并减少元件数量？

与传统硅芯片相比，单片集成 GaN 功率 IC 具有显着优势，包括卓越的效率、更小的尺寸、更高的速度和更低的成本。GaN 的特别之处在于其天然特性，例如更高的临界电场、更低的导通电阻和更小的寄生电容。半导体工程师现在正在...

GaN 功率IC 2025-08-08

瑞萨电子通过下一代功率FET将GaN推向千瓦级

几十年来，硅一直是电力电子领域无可争议的领导者。但随着硅达到其性能极限，氮化镓（GaN）功率器件正在取得进展。凭借更快的开关速度和更高的效率，氮化镓已经在消费类快速充电器中发挥了重大作用，与硅相比，实现了系统级成本、...

瑞萨电子功率 2025-08-06

从IGBT到GaN：10kW串式逆变器设计的关键要点与性能优势解析

随着全球对能源可持续性与安全性的关注升温，住宅太阳能储能系统需求持续攀升。当前市场上，2kW级微型逆变器已实现集成储能功能，而更高功率场景则需依赖串式逆变器或混合串式逆变器。本文聚焦基于TI GaN FET的10kW单相...

TI IGBT 2025-07-29

GaN如何让光伏充电控制器更高效更小巧？TI给出答案

在光伏系统中，充电控制器的效率与体积直接影响太阳能利用率和安装成本。传统设计多采用MOSFET方案，而德州仪器（TI）推出的中压GaN器件LMG2100，通过集成驱动与电源环路优化，为光伏充电控制器带来了效率、尺寸与成本...

TI GaN 2025-07-29

第三代半导体洗牌GaN跃居主角

拓墣产业研究院最新报告指出，第三代半导体产业竞争日益激烈，氮化镓（GaN）功率元件凭借其高频、高功率特性，在5G/6G基地台、航空航天、AI运算等应用领域快速崛起。拓墣预估，2025年全球GaN功率半导体市场规模将达7....

第三代半导体 GaN 2025-07-28

GaN如何改进光伏充电控制器

本应用简报介绍TI GaN器件如何改进光伏充电控制器。与MOSFET相比，使用TI GaN器件可提高效率并减小PCB尺寸，而且不会增加BOM成本。...

GaN 光伏充电控制器 2025-07-25

基于TI GaN FET的10kW单相串式逆变器的设计注意事项

鉴于对能源可持续性和能源安全的担忧，当前对储能系统的需求不断加速增长，尤其是在住宅太阳能装置领域。市面上有一些功率高达 2kW 且带有集成式储能系统的微型逆变器。当系统需要更高功率时，也可以选用连接了储能系统的串式逆变器...

德州仪器 GaN FET 2025-07-12

英飞凌300毫米GaN制造路线图的进展

随着对 GaN 半导体的需求持续增长，Infineon Technologies AG 已准备好利用这一趋势，巩固其作为 GaN 市场领先集成器件制造商（IDM）的地位。今天，该公司宣布其在 300 毫米晶圆上的可扩...

英飞凌 300毫米 2025-07-11

GaN代工模型是否面临问题？Innoscience参与台积电2027退出

虽然台积电计划到 2027 年退出氮化镓（GaN）晶圆代工业务，但行业巨头英飞凌正在加大努力，这标志着 GaN 领域的重大转变。哪些因素可能推动了这些不同的策略？根据《科创板日报》的报道，中国英诺赛科董事会主席罗伟伟...

GaN 代工模型 2025-07-11

瑞萨电子推出用于AI数据中心、工业及电源系统的全新GaN FET

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和...

瑞萨电子 AI数据中心 2025-07-08

台积电退出后英飞凌加快GaN推进今年四季度将提供300毫米晶圆样品

虽然台积电计划到 2027 年退出氮化镓（GaN）晶圆代工业务，但行业巨头英飞凌正在加大努力。根据其新闻稿，英飞凌利用其强大的 IDM 模型，正在推进其 300 毫米晶圆的可扩展 GaN 生产，首批客户样品计划于 2...

台积电英飞凌 2025-07-08

650V GaN器件在高功率应用中对SiC构成挑战

瑞萨电子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平台，该平台具有适用于高功率应用的 650 V、30 毫欧姆氮化镓器件。此次发布代表了该公司在收购 Transphorm 并与其控制器和驱动器 IC 产品线集成后对 ...

650V GaN 2025-07-04

台积电无预警退出GaN市场纳微有望接手美国订单

国际功率半导体厂纳微半导体于提交美国证券交易委员会（SEC）消息指出，台积电将于2027年7月31日结束氮化镓（GaN）晶圆代工业务，拟向力积电寻求产能支持。对此，台积电回应表示，经过完整评估后，决定在未来两年内逐步退...

台积电纳微半导体 2025-07-04

瑞萨推出全新GaN FET，增强高密度功率转换能力

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和服务器电源（包括新型...

瑞萨 GaN FET 2025-07-02

GaN FET支持更高电压的卫星电源

EPC Space 推出了 EPC7030MSH，这是一款 300 V 抗辐射 GaN FET。该解决方案提供高功率电流额定值，为卫星电源和推进应用树立了新的基准。EPC7030MSH随着卫星制造商过渡到更高电压的电源总...

GaN FET 卫星电源 2025-07-01

Wise计划将GaN和数字控制器封装在一起

法国电力初创公司 Wise Integration 正计划推出一种带有氮化镓（GaN）晶体管的联合封装数字控制器，以简化工业和数据中心 AI 电源系统的设计。与此同时，该公司推出了用于基于 GaN 的图腾柱功率因数校...

Wise GaN 2025-06-30

采用3D芯片设计的更快、更节能的电子设备

麻省理工学院和其他地方的研究人员开发了一种新的制造工艺，将高性能 GaN 晶体管集成到标准硅 CMOS 芯片上来自麻省理工学院网站：他们的方法包括在 GaN 芯片表面构建许多微小的晶体管，切出每个单独的晶体管，然后使用低...

3D芯片电子设备 2025-06-19

探索TI GaN FET在类人机器人中的应用

类人机器人集成了许多子系统，包括伺服控制系统、电池管理系统 (BMS)、传感器系统、AI 系统控制等。如果要将这些系统集成到等同人类的体积内，同时保持此复杂系统平稳运行，会很难满足尺寸和散热要求。类人机器人内空间受限最大...

TI GaN 2025-06-15

如何在开关模式电源中运用氮化镓技术

本文阐释了在开关模式电源中使用氮化镓(GaN)开关所涉及的独特考量因素和面临的挑战。文中提出了一种以专用GaN驱动器为形式的解决方案，可提供必要的功能，打造稳固可靠的设计。此外，本文还建议将LTspice®作为合适的工具...

开关电源 SMPS 2025-06-09

纳芯微高压半桥驱动NSD2622N：为E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案

纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力，可以显著简化GaN驱动电路设计，提升系统可靠性并降低系统成本。应用背景近年来...

纳芯微高压半桥驱动 2025-06-03