BI-FET资讯-电子产品世界网

瑞萨电子通过下一代功率FET将GaN推向千瓦级

几十年来，硅一直是电力电子领域无可争议的领导者。但随着硅达到其性能极限，氮化镓（GaN）功率器件正在取得进展。凭借更快的开关速度和更高的效率，氮化镓已经在消费类快速充电器中发挥了重大作用，与硅相比，实现了系统级成本、...

瑞萨电子功率 2025-08-06

基于TI GaN FET的10kW单相串式逆变器的设计注意事项

鉴于对能源可持续性和能源安全的担忧，当前对储能系统的需求不断加速增长，尤其是在住宅太阳能装置领域。市面上有一些功率高达 2kW 且带有集成式储能系统的微型逆变器。当系统需要更高功率时，也可以选用连接了储能系统的串式逆变器...

德州仪器 GaN FET 2025-07-12

瑞萨电子推出用于AI数据中心、工业及电源系统的全新GaN FET

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和...

瑞萨电子 AI数据中心 2025-07-08

瑞萨推出全新GaN FET，增强高密度功率转换能力

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和服务器电源（包括新型...

瑞萨 GaN FET 2025-07-02

GaN FET支持更高电压的卫星电源

EPC Space 推出了 EPC7030MSH，这是一款 300 V 抗辐射 GaN FET。该解决方案提供高功率电流额定值，为卫星电源和推进应用树立了新的基准。EPC7030MSH随着卫星制造商过渡到更高电压的电源总...

GaN FET 卫星电源 2025-07-01

探索TI GaN FET在类人机器人中的应用

类人机器人集成了许多子系统，包括伺服控制系统、电池管理系统 (BMS)、传感器系统、AI 系统控制等。如果要将这些系统集成到等同人类的体积内，同时保持此复杂系统平稳运行，会很难满足尺寸和散热要求。类人机器人内空间受限最大...

TI GaN 2025-06-15

GaN FET在人形机器人中的应用

引言人形机器人集成了许多子系统，包括伺服控制系统、电池管理系统 (BMS)、传感器系统、AI 系统控制等。如果要将这些系统集成到等同人类的体积内，同时保持此复杂系统平稳运行，会很难满足尺寸和散热要求。人形机器人内空间受限...

GaN FET 人形机器人 2025-04-29

SiC 市场的下一个爆点：共源共栅（cascode）结构详解

安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共栅场效应晶体管）在硬开关和软开关应用中有诸多优势，SiC JFET cascode应用指南讲解了共源共栅（cascode）结构、关键参数、独特功能和设计支持。...

cascode FET 2025-03-26

Nexperia扩展GaN FET产品组合，现可支持更多低压和高压应用中的功率需求

Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET产品组合新增12款新器件。本次产品发布旨在满足市场对更高效、更紧凑系统日益增长的需求。这些新型低压和高压E-mode GaN FET适用于多个市场，包括消费电子、工业...

Nexperia GaN FET 2025-03-19

缓冲反激式转换器

本期，我们将聚焦于缓冲反激式转换器，探讨如何在反激式转换器中缓冲 FET 关断电压为大家提供全新的解决思路！上一期，我们介绍了如何在正向转换器导通时缓冲输出整流器的电压。现在，我们看一下如何在反激式转换器中缓冲 FET ...

FET 反激式转换器 2024-12-10

用Python自动化双脉冲测试

电力电子设备中使用的半导体材料正从硅过渡到宽禁带（WBG）半导体，比如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等半导体在更高功率水平下具有卓越的性能，被广泛应用于汽车和工业领域中。由于工作电压高，SiC技术正被应用于电动汽车动...

202411 宽禁带 2024-10-18

碳化硅模块在太阳能逆变器中的应用

碳化硅场效应晶体管(SiC FET)接近于理想的开关，具有低损耗、宽带隙技术和易于集成设计等优势。Qorvo的SiC FET技术如今以高效模块化产品的形式呈现;本文探讨了这种产品形态如何使SiC FET成为太阳能逆变器应...

202407 太阳能 2024-07-15

GaN FET让您实现高性能D类音频放大器

D类音频放大器参考设计(EPC9192)让模块化设计具有高功率和高效，从而可实现全定制、高性能的电路设计。宜普电源转换公司(EPC)宣布近日推出EPC9192参考设计，可实现优越、紧凑型和高效的D类音频放大器，于接地参考...

GaN FET D类音频放大器 2024-04-10

测试共源共栅氮化镓 FET

Cascode GaN FET 动态测试面临的挑战　　Cascode GaN FET 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场，因为它可以提供常关操作并具有更宽的栅极驱动电压范围。然而，电路设计人员发现该器件在实际电路...

氮化镓 FET 2024-04-09

EPC推出首款具有最低1mΩ导通电阻的GaN FET

全球增强型氮化镓(GaN)功率 FET 和 IC领域的领导者宜普电源转换公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。这是市场上具有最低导通电阻的GaN FET，与EPC的上...

EPC 1mΩ 2024-03-05

适用于自主驾驶车辆LiDAR的GaN FET快速指南

激光探测及测距 (LiDAR) 的应用包括自主驾驶车辆、无人机、仓库自动化和精准农业。在这些应用中，大多都有人类参与其中，因此人们担心 LiDAR 激光可能会对眼睛造成伤害。为防止此类伤害，汽车 LiDAR 系统必须符合...

自主驾驶 LiDAR 2024-02-27

Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能

中国北京，2024 年 1 月 30 日——全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品；在紧凑型 ...

Qorvo SiC FET 2024-01-30

EPC GaN FET可在数纳秒内驱动激光二极管，实现75~231A脉冲电流

宜普电源转换公司（EPC）推出三款激光驱动器电路板，这些板采用了符合AEC-Q101认证标准、快速转换的GaN FET以实现具备卓越性能的激光雷达系统。EPC推出三款评估板，分别是EPC9179、EPC9181...

EPC GaN FET 激光二极管 2024-01-18

Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，该器件采用新一代高压GaN HEMT技术和专有铜夹片CCPAK表面贴装封装，为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。经过二十多年...

Nexperia SMD 2023-12-11

FET 生物传感器的直流I-V 特性研究

由于半导体生物传感器的低成本、迅速反应、检测准确等优点，对于此类传感器的研究和开发进行了大量投入。特别是基于场效应晶体管 (FET) 的生物传感器或生物场效应管，它们被广泛用于各种应用：如生物研究，即时诊断，环境应用，以...

泰克科技 FET 2023-11-21

EPC新推100 V GaN FET助力实现更小的电机驱动器,用于电动自行车、机器人和无人机

基于氮化镓器件的EPC9194逆变器参考设计显着提高了电机驱动系统的效率、扭矩而同时使得单位重量功率（比功率）增加了一倍以上。该逆变器非常微型，可集成到电机外壳中，从而实现最低的电磁干扰、最高的密度和最輕的重量。&nbs...

EPC GaN FET 2023-11-08

更小、更快、更节能，半导体芯片迎大突破

最先进的电子硬件在大数据革命面前都显得有些“捉襟见肘”，这迫使工程师重新思考微芯片的几乎每一个方面。随着数据集的存储、搜索和分析越来越复杂，这些设备就必须变得更小、更快、更节能，以跟上数据创新的步伐。铁电场效应晶体管（F...

半导体芯片 FE-FET 2023-07-17

Transphorm推出SuperGaN FET低成本驱动器方案

加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代电力系统的未来, 氮化镓（GaN）功率转换产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）发布了一款高性能、低成本的驱动器解...

Transphorm SuperGaN FET 2023-06-16

使用开尔文连接提高 SiC FET 的开关效率

碳化硅 (SiC) 等宽带隙器件可实现能够保持高功率密度的晶体管，但需要使用低热阻封装，比如 TO-247。然而，此类封装的连接往往会导致较高的电感。阅读本博文，了解如何谨慎使用开尔文连接技术以解决电感问题。这篇博客文章...

Qorvo 开尔文 2023-05-31

EPC新推基于GaN FET的150 ARMS电机驱动器参考设计

基于氮化镓器件的EPC9186逆变器参考设计增强了高功率应用的电机系统性能、精度、扭矩和可实现更长的续航里程。宜普电源转换公司(EPC)新推EPC9186，这是一款采用EPC2302 eGaN®FET的三相BLDC电机驱...

EPC GaN FET 2023-05-11

Nexperia推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET

奈梅亨，2023年5月10日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其级...

Nexperia E-mode GAN FET 2023-05-10

栅极长度缩放超出硅的 FET 对短沟道效应具有鲁棒性

当今行业中发现的大多数 FET 都是由硅制成的，因为它具有出色且可重现的电子特性。根据摩尔定律，硅受到薄通道厚度下迁移率下降的困扰，这为高度缩放的设备保持强静电。过渡金属二硫化物 (TMD) 等二维沟道材料可用于 FET...

栅极 FET 2023-04-10

连接与电源：新Qorvo为行业提供更全面的解决方案

３月下旬，全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo® 在京召开了以“连接与电源——新主题、新Qorvo”的媒体活动。通过此次活动，Qorvo旨在向业内介绍Qorvo在自身移动产品和基础设施应用上的射频领导地位进面向...

Qorvo Matter 2023-03-28

贸泽开售采用D2PAK-7L 封装的工业用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

2022年9月23日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的...

贸泽 D2PAK-7L 2022-09-23

UnitedSiC（现已被 Qorvo收购）为功率设计扩展高性能且高效的750V SiC FET产品组合

移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表贴 D2PAK-7L 封装的 750V 碳化硅 (SiC) FET。凭借该...

UnitedSiC Qorvo 2022-08-04

UnitedSiC（现为 Qorvo）针对电源设计扩展更高性能和效率的750V SiC FET 产品组合

Qorvo®今天宣布推出采用表面贴装 D2PAK-7L 封装的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封装选项，Qorvo 的 SiC FET可为车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电（快速 DC 和...

UnitedSiC Qorvo 2022-07-27

GaN是否具有可靠性？或者说我们能否如此提问？

鉴于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 能够提高效率并缩小电源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投资这项技术之前，您可能仍然会好奇GaN是否具有可靠性。令我惊讶的是，没有人询问硅是否具有可靠性。毕竟仍然有新的硅产...

GaN FET 2022-07-15

贸泽备货UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET，为各类电源应用提供更好的支持

提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销UnitedSiC（现已被Qorvo®收购）的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 ...

SiC FET 2022-06-09

UnitedSiC(现已被Qorvo收购)宣布推出行业先进的高性能1200V第四代SiC FET

移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列，该系列具有出色的导通电阻特性。全新 UF4C/SC 系...

Mentor P Qorvo 2022-05-18

UnitedSiC(现已被 Qorvo收购)宣布推出行业先进的高性能 1200 V第四代SiC FET

SiC FET 2022-05-17

采用SiC FET尽可能提升图腾柱PFC级的能效

图腾柱PFC电路能显著改善交流输入转换器的效率，但是主流半导体开关技术的局限性使其不能发挥全部潜力。不过，SiC FET能突破这些局限性。本文介绍了如何在数千瓦电压下实现99.3%以上的效率。正文交流输入电源的设计师必须...

SiC FET PFC 2021-05-31

揭秘3nm/2nm工艺的新一代晶体管结构

GAA FET将取代FinFET，但过渡的过程将是困难且昂贵的。...

3nm FinFET GAA FET 2021-05-26

TI为何把首款GaN FET定位于汽车和工业应用

GaN（氮化镓）作为新一代半导体材料，正有越来越广泛的应用。近日，德州仪器（TI）宣布其首款带集成驱动器、内部保护和有源电源管理的GaN FET，分别面向车用充电器和工业电源，可以实现2倍的功率密度和高达99%的效率。T...

GaN FET 2020-11-17

5A、3.3V和5V电源符合严格的EMI辐射标准

严苛的汽车和工业环境中的噪声敏感型应用需要适用于狭小空间的低噪声、高效率降压稳压器。通常会选择内置MOSFET功率开关的单片式降压稳压器，与传统控制器IC和外部MOSFET相比，这种整体解决方案的尺寸相对较小。可在高频率...

EMI FET 2020-08-05

电源管理设计小贴士#94：倒置降压器如何提供非隔离反激器的拓扑选择

离线电源是最常见的电源之一，也称为交流电源。随着旨在集成典型家用功能的产品数量的增加，对所需输出能力小于1瓦的低功率离线转换器的需求也越来越大。对于这些应用程序，最重要的设计方面是效率、集成和低成本。在决定拓扑结构时，反...

BOM FET 2020-06-08