美光弗吉尼亚工厂扩产本土 DDR4，量产 1α 工艺 DRAM

美光已于弗吉尼亚州马纳萨斯晶圆厂启动1α 制程 DRAM量产，企业称这是美国本土目前工艺最先进的存储芯片。本次扩产聚焦长生命周期 DDR4、LPDDR4 存储本土化生产，产品定向车用、航空航天、国防、工业组网、医疗设备等领域。

当下各国政府与半导体厂商持续推进关键芯片本土建厂、强化供应链抗风险能力，本项落地也印证：存储芯片产能布局正深度绑定产业政策、车载电子与战略性基建市场。

美国本土存储产能大幅扩容

美光表示，依托整体约 2000 亿美元的美国本土化投资规划，本次弗吉尼亚厂区升级完成后，马纳萨斯工厂 DDR4 晶圆出货量将提升至原先四倍。该厂区现有制造及配套岗位超 3100 个，项目落地依托超 20 亿美元企业投资与联邦、州、地方多级补贴扶持。

工厂 1α DRAM 预计 2026 年底实现稳定量产达标。美光将该工艺定义为全球领先的 DDR4 制程，专为长生命周期设备设计，适配对供货持续性、可靠性要求严苛的行业。

美光董事长、总裁兼 CEO 桑杰・梅赫罗特拉：“本次量产落地是公司 2000 亿美元美国存储制造与研发扩产计划的关键里程碑，体现美光持续深耕长生命周期存储核心行业、服务终端客户的长期承诺。”

投产仪式落地马纳萨斯厂区，美国商务部长霍华德・卢特尼克、联邦参议员马克・沃纳与蒂姆・凯恩、美国贸易代表杰米森・格里尔等联邦及弗吉尼亚州高官出席活动。

卢特尼克表态：“美国终于实现高端存储芯片自主制造，美光全美国 2000 亿美元巨额投资，将使美国工业、汽车、军工航天领域存储芯片产能翻四倍。”

AI 热潮助推存储本土化布局

美光将本次扩产和 AI 爆发带动的数据中心、车载、工业设备存储刚需挂钩。公司产品布局形成差异化：弗吉尼亚工厂主打长生命周期成熟存储，爱达荷州、纽约州在建厂区主攻前沿新一代存储工艺。

美光纽约大型存储制造基地已破土动工，爱达荷首座晶圆厂稳步建设，预计 2027 年年中投产；两大项目合计将创造约 9 万个就业岗位。

除建厂投产外，美光累计投入超 3.25 亿美元，在弗吉尼亚、爱达荷、纽约落地人才培育项目，包含半导体专业课程、学徒培养、校企合作，补齐美国本土芯片人才缺口。

在弗吉尼亚，企业与北弗吉尼亚社区学院、退役军人就业扶持项目深度合作，厂区员工中约十分之一为退伍军人。

本次扩产也凸显成熟制程、长生命周期存储的产业价值：即便行业逐步迭代新一代存储架构，DDR4 仍在车载与工业电子领域保持大规模装机需求。