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  • SiC-SBD资讯

Vishay推出适用于GaN和SiC开关应用EMI滤波的新型航天级共模扼流圈

Vishay GaN 2026-04-16

SiC MOSFET 短路行为解析与英飞凌保护方案探讨

英飞凌 SiC 2026-04-09

英飞凌第二代SiC MOSFET性能解析及设计要点

英飞凌 SiC 2026-04-09

第三代半导体的战略意义：SiC和GaN如何突破硅基芯片的战场局限

第三代半导体 SiC 2026-03-31

Vishay采用行业标准SOT-227封装的1200V SiC MOSFET功率模块提升功率效率

Vishay SOT-227 2026-03-17

为800V应用选择合适的半导体技术

800V 半导体技术 2026-03-06
  • SiC-SBD专栏

是德示波器如何精准测量第三代半导体SiC的动态特性

是德示波器 精准测量 2025-04-21

自有SiC Mos已批量应用于主驱，产能达9000片/月

SiC Mos 2024-08-21

盘点国内SiC碳化硅衬底公司

SiC 2023-10-28

英飞凌确认：两家中国SiC供应商获车规认证并大规模出货

SiC 2023-09-08

【资讯】全球SiC晶圆竞争，进入白热化

SiC 2023-08-09

ROHM 1200V IGBT成功导入SEMIKRON-Danfoss功率模块

ROHM SEMIKRON 2023-05-09
查看更多>> SiC-SBD电路方案

防止误触发的 IGBT/SiC-FET 驱动器设计技巧

用于保护交流和直流电源电路的 SiC

用SIC JFET革命性的电路保护

1200V 450A全SiC半桥功率模块问世

电源设计说明：线性方案中的 SiC MOSFET

电源设计说明：面向高性能应用的新型 SiC 和 GaN FET 器件分析

动态测试证实了 SiC 开关频率的准确性

如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET：良好驱动器的重要性

SiC-SBD论坛
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