SemiQ 推出面向数据中心制冷与工业驱动的半桥系列产品，集成 1mΩ 导通电阻 SiC MOSFET 与并联碳化硅二极管，实现高功率转换效率。来源：Anattawut | Dreamstime.comSemiQ 公司开发的 QSiC Dual3 系列 1200V 半桥 MOSFET 模块，主要面向数据中心制冷系统中的电机驱动、储能系统电网变流器以及工业驱动设备。该系列共六款产品，其中两款的导通电阻 RDS (on) 仅 1mΩ，在 62mm×152mm 封装内实现 240W/in³ 的功率密度。QSiC
关键字：
SiC AI数据中心 液冷
SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制,常见的单管额定电流多在几十到两百安培,而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景,往往需要千安级的电流输出,单管无法满足。因此,SiC MOSFET的并联应用的场景越来越普遍。不管是SiC MOSFET还是IGBT,并联的目标都是实现电流的均匀分布,且消除芯片间的振荡。为了达到这一目标,我们需要做到三点:1.并联芯片参数尽可能一致2.功率回路、驱动回路与散热结构布局一致3.门极驱动电路的优化设计作为高速开关器件,SiC MOSFE
关键字：
英飞凌 SiC MOSFET 并联设计
对于我国的电力电子界来说,固态变压器(SST)并非是一个全新的话题,在轨道交通、电网合环运行、大型超充站项目里都有过试点实践。受限于高成本、功率器件参数选择少、高频变压器散热瓶颈,SST曾经的商业化之路面对的挑战大于机遇。智算中心800V高压直流供电系统概念的普及,和未来智能电网的电力潮流双向流动,让SST的商业价值获得了前所未有的想象力。随着AI算力向MW级机架演进,传统数据中心供电架构已经不堪重负,难以承载极端功率密度与能效要求。智算中心正从“算力堆砌”迈入“算电协同”的关键阶段。在这一背景下,SST
关键字：
英飞凌 沟槽栅 SiC MOSFET SST高频高压
碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性,在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发,剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经介绍了碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源。三种替代 Si 和 SiC MOSFET的方案。SiC Cascode JFET的动态特性、SiC Combo JFET的应用灵活性。本文将介绍利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET以及开关电源应用。1、利用 SiC CJFET替代
关键字：
安森美 碳化硅 SiC CJFET，MOSFET
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2026年4月15日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款新型航天级表面贴装共模扼流圈---SGCM05339，适用于严苛航空航天应用电磁干扰（EMI）滤波和噪声抑制。 Vishay定制磁芯SGCM05339是GaN和SiC开关应用的理想选择，这类应用的波形会出现锐边，导致电磁辐射干扰。共模扼流圈还可用于低电流立式电源、分布式电源系统DC/DC转换器，以及太阳能电池
关键字：
Vishay GaN SiC 开关 EMI滤波 航天级 共模扼流圈
在设计常见的DCDC或DCAC等电路时，我们经常遇到需要桥臂直通保护的要求。IGBT通常具有5~10us的短路耐受时间，足以应付大部分短路工况。然而，对于SiC MOSFET器件来说，问题变得复杂了。因为在相同的电流等级下，SiC MOSFET的短路耐受时间通常比IGBT小很多。这主要是因为SiC MOSFET的芯片尺寸比传统的硅基器件小很多，同时非常薄的外延层使得发热位置更加集中（详细原因阐述见谈谈SiC MOSFET的短路能力）。这给短路保护设计带来了巨大的挑战，即使是微小的系统设计差异也会显著影响S
关键字：
英飞凌 SiC MOSFET 短路行为
在新能源革命与工业数字化的浪潮中，功率半导体作为核心“能量管家”，直接决定着电力转换系统的效率、密度与可靠性。英飞凌作为全球功率器件的领军者，凭借其深耕碳化硅（SiC）领域的技术积淀，推出了CoolSiC™ MOSFET G2系列产品，以全方位的性能突破，重新定义了SiC MOSFET的行业标准，为光伏、储能、电动汽车充电等关键领域注入强劲动力。相比于G1单管器件仅有650V/1200V两档电压等级，G2系列电压等级更加全面，涵盖400V/650V/750V/1200V/1400V，以及丰富多样的封装形式
关键字：
英飞凌 SiC MOSFET
很多人想不明白为何美国以军事用途为由列举出海量的半导体禁运名单中，其中绝大部分并不是最先进的处理器，而是很多看似工艺并不先进的模拟类芯片。半导体作为现代信息技术的基石，其技术迭代直接推动国防装备的性能跃升。从第一代硅（Si）半导体到第二代砷化镓（GaAs）半导体，再到以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的第三代宽禁带半导体，每一次材料体系的革新，都为国防军事装备带来革命性变化。与前两代半导体相比，第三代半导体具备高饱和电子迁移速率、高击穿电压、高热导率、抗辐射等核心优势，完美适配高温、高压、高频、大
关键字：
第三代半导体 SiC GaN 硅基芯片 202603
2026年3月17日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模块---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120，其目标在于提升汽车、能源、工业及通信系统中高频应用的功率效率。Vishay VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS
关键字：
Vishay SOT-227 1200V SiC MOSFET 功率模块
随着AI数据中心向更高功率密度和更高效能源分配演进，高压中间母线转换器（HV IBC）正逐渐成为下一代云计算供电架构中的关键器件。本文针对横向GaN HEMT、碳化硅MOSFET及SiC Cascode JFET（CJFET）三类宽禁带功率器件，在近1 MHz高频开关条件下用于高压母线转换器的性能展开对比分析。重点评估了导通损耗、开关特性、栅极电荷损耗及缓冲电路需求等关键指标。同时，本文亦探讨了三种谐振转换器拓扑——堆叠式LLC、单相LLC与三相LLC——对其系统效率与元件数量的影响。仿真结果表明，尽管三
关键字：
800V 半导体技术 AI数据中心 SiC 安森美
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，在官网发布了搭载EcoSiC™品牌SiC塑封型模块“HSDIP20”、“DOT-247”、“TRCDRIVE pack™”的三相逆变器电路参考设计“REF68005”、“REF68006”及“REF68004”。设计者可利用此次发布的参考设计数据制作驱动电路板，与ROHM的SiC模块组合使用，可缩减实际设备评估的设计周期。在以大功率工作的功率转换电路中，SiC功率元器件虽有助于提高效率和可靠性，但外围电路设计和热设计所需的工时往往会增加。ROHM
关键字：
ROHM SiC 模块 三相逆变器 参考设计
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，其新型SiC模块“TRCDRIVE pack™”、“HSDIP20”及“DOT-247”已开始网售。近年来，全球电力紧缺危机加剧，节能的重要性日益凸显，这促使更多的应用产品通过采用SiC产品来实现高效率的功率转换。这些产品通过Ameya360、Oneyac等电商平台均可购买。详见罗姆官方网站。样品价格型号TRCDRIVE pack™75,000日元/个（不含税）1200V A type (Small) (BST400D12P4A101
关键字：
ROHM SiC塑封型模块 SiC
2031 年，化合物半导体衬底与开放式外延片市场规模合计预计将接近 52 亿美元，年复合增长率约为 14%。汽车电动化推动碳化硅（SiC）衬底市场发展，射频领域仍由砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）主导，磷化铟（InP）助力光子学技术加速发展，发光二极管（LED）与微发光二极管（MicroLED）则依托氮化镓、砷化镓、蓝宝石及硅基平台发展。化合物半导体供应链正围绕头部企业整合：碳化硅晶圆领域有沃尔夫速（Wolfspeed）、相干公司（Coherent），功率器件领域为英飞凌科技（Infineon Tec
关键字：
化合物半导体 衬底 年复合增长率 碳化硅 SiC
英飞凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在简化从传统基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率级的迁移。据官方新闻稿介绍，新型 EiceDRIVER™ 1ED301xMC12I 系列器件在引脚上与现有的光耦仿真器和光耦合器兼容。对于《eeNews Europe》的读者——尤其是从事工业与能源系统设计的工程师而言，这一产品意义重大：它提供了一条无需彻底重新设计控制板即可快速升级至更高效率SiC方案的路径。同时，这也凸显了当前栅极驱动器性能正不断演
关键字：
英飞凌 IC SiC
汽车零部件供应商舍弗勒已启动新款高压逆变器功率模块的量产工作。该模块采用罗姆的碳化硅功率场效应晶体管裸片，是双方战略合作的重要成果。这款逆变器组件也被称为功率模块（brick），是电动汽车牵引逆变器的核心功率单元，其功能是通过逻辑信号控制驱动电机，并生成驱动电机运转所需的高频电流。牵引逆变器作为电动汽车高压电池与驱动电机之间的桥梁，核心作用是将电池输出的直流电转换为交流电，进而精准调控电机的转速、扭矩等关键运行参数。目前，市面上的电动汽车大多搭载 400V 电压平台的电池包。为实现更快的充电速度与更高的系
关键字：
SiC 电动汽车 高压 逆变器 功率模块
sic介绍
SiC是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或β－SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目；另一类是六角型或菱形结构的大周期结构，其中典型的有6H、4H、15R等，统称为α－SiC。与Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境，并具有极好的抗辐射性能.
Si [
查看详细 ]
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473