本教程聚焦SiC JFET 在固态断路器中的应用，核心内容包括三大板块，阐释 SiC JFET 的关键特性、系统说明 SiC JFET 如何推动电路保护系统取得重大进步、通过评估和测试结果展示产品性能。我们已介绍过
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安森美 功率电路 SiC JFET 热插拔控制
本教程聚焦SiC JFET 在固态断路器中的应用，核心内容包括三大板块，阐释 SiC JFET 的关键特性、系统说明 SiC JFET 如何推动电路保护系统取得重大进步、通过评估和测试结果展示产品性能。我们已介绍过浪涌电流、应对不断攀升的电力需求、为什么要使用固态断路器。本文为系列教程的第二部分，将介绍SSCB 采用 SiC JFET 的四个理由。断路器制造商首要关注的是发热问题。 所有半导体在电流流过其中时都会产生热量。 这种热量可以用导通电阻来衡量， 其表示符号为 RDS(on) 。当然，
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安森美 功率电路 固态断路器 SiC JFET
输配电系统与各类灵敏用电设备的安全运行，离不开对长时间过载与瞬态短路故障的妥善防护。这些风险若未及时管控，轻则导致设备损坏，重则引发系统瘫痪。随着电力系统电压等级持续提升、电动汽车高压化趋势加剧，电路中可能出现的最大故障电流已达到前所未有的水平，对保护装置的响应速度与耐受能力提出了更严苛的要求，超快速交流/直流断路器由此成为关键需求。在过去很长一段时间里，机械断路器（EMB）始终是这类保护场景的主流选择。但随着用电场景对可靠性、响应速度的要求不断升级，传统机械断路器的局限性逐渐凸显，而固态断路器（SSCB
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安森美 固态断路器 SiC JFET
全球微电子工程公司Melexis近日宣布，其创新的MLX91299硅基RC缓冲器已被全球先进的功率半导体模块制造商利普思（Leapers）选用，将其集成于新一代功率模块中。此次合作标志着双方在技术创新与系统优化上的深度融合，共同致力于推动汽车与工业能源管理领域的发展。利普思的功率模块凭借卓越的性能和可靠性，广泛应用于电动汽车、充电基础设施、可再生能源系统及工业功率转换等高要求场景。随着市场对高效率、功率密度及可靠性需求的不断提升，利普思正积极探索能在更高开关频率与电压下稳定运行的碳化硅（SiC）功率器件。
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Melexis 迈来芯 RC缓冲器 利普思 SiC
Power SiC市场持续转型。继2019年至2024年间前所未有的投资浪潮后，Yole Group表示，行业现正进入调整周期。汽车市场放缓导致硅碳需求下降，硅碳供应链发生了转变。 利用率下降、产能过剩和投资减少的循环引发了行业参与者的担忧。尽管放缓，SiC仍是电气化路线图的核心，预计到2030年设备收入将接近100亿美元。行业首个重大投资周期由2019-2024年资本支出热潮推动，造成了显著的上游产能过剩。设备资本支出在2023年达到约30亿美元的峰值，导致上游硅碳价值链出现显著产能过剩。20
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SiC yole
截至2025年11月，碳化硅（SiC）市场正处于价值重新评估和结构分歧的关键阶段。在价格方面，低端散装硅碳材料因成本失控而价格上涨，而主流6英寸硅碳基材在供应过剩下持续暴跌。然而，在应用方面，SiC卓越的导热率使其成为英伟达Rubin平台和台积电先进封装中AI芯片散热的战略材料，预示着由高性能计算应用驱动的高价值增长第二波浪潮。硅基价格趋势：原材料上涨压力，高端基材价格大幅降幅SiC市场在定价动态上展现出明显的差异。一方面，散装SiC材料的价格——如黑色和绿色SiC粉末及颗粒——一直在上涨。根据包括CIP
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硅质原材料 6英寸 SiC
安森美(onsemi) 宣布已与奥拉半导体（Aura Semiconductor）完成Vcore电源技术及相关知识产权（IP）的授权交易。此项战略交易增强了安森美的电源管理产品组合与路线图，加速实现公司在人工智能（AI）数据中心应用中覆盖从电网到核心的完整电源树的愿景。安森美在硅及碳化硅（SiC）技术领域拥有数十年的创新积累，为固态变压器、电源、800 V直流配电以及核心供电等应用提供行业领先的解决方案。通过整合这些技术，安森美将成为少数几家能够以可扩展、实用的设计，满足现代AI基础设施严苛电力需求的公司
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安森美 奥拉 Vcore 碳化硅 SiC
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，已开始量产TOLL（TO-LeadLess）封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品（TO-263-7L）相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS（储能系统）以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。与以往封装产品相比，新产品的体积更小更薄，器件面积削减了约26%，厚度减半，仅为2.3mm。另外，很多TOLL封装的普通产品的
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ROHM SiC MOSFET
● 英飞凌与罗姆签署谅解备忘录，约定互为采用特定碳化硅（SiC）半导体产品的客户提供第二供应商支持● 未来，客户可在英飞凌与罗姆各自的对应产品间轻松切换，从而提升设计与采购的灵活性● 此类产品能提高汽车车载充电器、可再生能源及AI数据中心等应用场景中的功率密度英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁Peter Wawer（左）罗姆董事兼常务执行官伊野和英（右）全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（总部位于德国诺伊比贝格，以
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英飞凌 罗姆 ROHM SiC功率器件 SiC
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）近日宣布，与英飞凌科技股份公司（总部位于德国诺伊比贝格，以下简称“英飞凌”）就建立SiC功率器件封装合作机制签署了备忘录。双方旨在对应用于车载充电器、太阳能发电、储能系统及AI数据中心等领域的SiC功率器件封装展开合作，推动彼此成为SiC功率器件特定封装的第二供应商。未来，用户可同时从罗姆与英飞凌采购兼容封装的产品，既能灵活满足客户的各类应用需求，亦可轻松实现产品切换。此次合作将显著提升用户在设计与采购环节的便利性。英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter
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罗姆 英飞凌 SiC
断路器是一种用于保护电路免受过流、过载及短路损害的装置。它不用于保护人员免受电击，而用于防范此类电击的装置被称为剩余电流装置（RCD） 或接地故障断路器（GFCI） 。该装置可检测泄漏电流并切断电路。机电式断路器的设计可追溯至 20 世纪 20 年代，如今仍被广泛应用。与早期的熔断器设计相比，断路器具有显著优势 ——可重复使用，而早期的熔断器使用一次后就必须更换。如今，随着宽禁带半导体技术的发展，固态断路器正占据更大的市场份额。与硅基半导体相比，宽禁带半导体开关在正常运行期间具有更低的通态损耗和更高的效率
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安森美 SiC JFET 固态断路器
随着电动汽车(EV)逐渐成为主流，人们对电动汽车的性能、充电时间和续航里程的期望持续攀升。要满足这些需求，不仅需要在用户界面层面进行创新，更要深入动力系统架构展开革新。而推动这一演进的关键趋势之一，便是电池系统从400V向800V（乃至1200V）的升级。这种转变能实现充电提速、功率提升与能源高效利用，但同时也带来了新的设计挑战。安森美(onsemi)正处于这一变革的前沿。安森美提供一系列碳化硅(SiC) 解决方案，包括650V 和1200V M3S EliteSiC MOSFET和汽车功率模块(APM)
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安森美 SiC 电动汽车 800V
电力电子行业将进入增长的最后阶段，预计到 2025 年评估市场价值将达到 517.3 亿美元，到 2030 年将达到 674.2 亿美元。5.4% 的稳定复合年增长率源于对能源效率、可再生能源集成和半导体先进技术的需求稳步增长。增长动力：市场的积极势头源于相互关联的现象：清洁能源势在必行随着世界试图实现碳中和，包括太阳能光伏和风电场在内的可再生能源系统将成为主流。因此，电力电子设备被用于这些系统，以实现高效的能源转换、电网集成和实时管理。交通电气化随着电动汽车和混合动力汽车不再被视为小众市场，现在对高性能
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SiC GaN 电力电子
中国上海，2025年8月28日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款产品配备其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面贴装TOLL封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。三款器件于今日开始支持批量出货。 三款新产品是东芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面贴装TOLL封装，与TO-247和TO-247-4L(X)
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东芝 SiC MOSFET
据“天岳先进”官方微信公众号消息，8月22日，东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称“东芝电子元件”）与山东天岳先进科技股份有限公司（以下简称“天岳先进”）就SiC功率半导体用衬底达成基本合作协议。双方将在技术协作与商业合作两方面展开深入合作，具体包括提升SiC功率半导体特性和品质，以及扩大高品质稳定衬底供应。未来，双方将围绕合作细节展开进一步磋商。东芝电子元件凭借在铁路用SiC功率半导体领域的开发与制造经验，正加速推进服务器电源用和车载用SiC器件的研发。未来，东芝电子元件计划进一步降低SiC功率半导
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东芝 天岳先进 SiC 功率半导体衬底
sic介绍
SiC是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或β－SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目；另一类是六角型或菱形结构的大周期结构，其中典型的有6H、4H、15R等，统称为α－SiC。与Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境，并具有极好的抗辐射性能.
Si [
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