- 为实现更高储存密度，NAND Flash的堆栈层数不断增加，单一晶胞内能储存的信息也越来越多。 目前NAND Flash芯片已经进入64层TLC时代，展望2019年，三星(Samsung)、东芝(Toshiba)等业者都将进一步推出96层QLC颗粒。 为了因应即将量产的新一代NAND Flash规格特性，控制器业者群联已备妥对应的解决方案。 群联电子发言人于绍庭表示，3D NAND Flash技术不断推进，目前64层TLC已经是相当稳定的产品。 而为了进一步提升储存密度，NAND Flash供货商正
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NAND，芯片
- 存储芯片三巨头此次遭中国反垄断机构调查，最终结果究竟如何，人们拭目以待。
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存储 NAND
- 随物联网时代来临，数据中心、高速传输的5G受重视，研调单位指出，协助运算处理的DRAM与资讯储存的NAND Flash等需求也持续增温，南亚科(2408)日前表示，今年DRAM市场仍供不应求，带动存储器族群行情向上，旺宏(2337)在权证市场同受关注，昨(29)日登上成交金额之首。 南亚科昨日股价虽然收小黑，小跌0.4%，收在98.9元(新台币，后同)，但获外资逆势敲进逾2,000张，颇有逢低承接意味。 南亚科今年首季每股盈余(EPS)达2.39元，随着DRAM市场仍持续供不应求，对今年整体营运表
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DRAM NAND
- 美光科技有限公司推出的业界首款基于革命性四层单元(QLC)NAND 技术的固态硬盘现已开始供货。美光® 5210 ION 固态硬盘在美光 2018年分析师和投资者大会上首次亮相，面向之前由硬盘驱动器 (HDD) 提供服务的细分市场，可提供高出三层单元 (TLC) NAND 33%的位密度。新型 QLC固态硬盘的推出，奠定了美光在实现更高容量和更低成本方面的领导者地位，可以满足人工智能、大数据、商业智能、内容传输和数据库系统对读取密集型且性能敏感的云存储的需求。 随着工作负载的演变以满足对于实时数据的
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美光 NAND
- 当前，不论DRAM还是NAND Flash等存储器，中国市场基本上100%依赖进口，这使得产业发展需求也最为迫切。因此，现阶段在政府的支持下，除了紫光集团旗下的长江存储已经在武汉建设NAND Flash工厂，预计2018年下半年量产之外，其他包括安徽合肥、福建晋江也有团队在进行DRAM研发，这使得未来几年，中国生产存储就会逐渐进入市场。
对此，韩国企业也开始关注中国竞争对手的加入。韩国预测，在2022年时会因为中国竞争的影响，韩国企业将减少78亿美元的存储器的销售金额。
根据韩国媒体《et
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存储器 NAND
- 根据Gartner的报告显示，在过去的2017年中，三星已经成功取代英特尔，抢下了全球最大芯片制造商的宝座。要知道，英特尔从1992年就一直占据着这一宝座，如今被三星超越实在是无奈，因为没有人能预料到这两年内存市场会如此强劲。
也许大家都快忘记了，两年前8GB的内存条价格还不到200元，然后8GB内存条的价格一路上涨到300多、500多、700多，甚至一度要突破千元大关，用了几年的二手内存条都还能大赚一笔。内存价格的飙升也带动了整个半导体产业的增长，其中三星获益匪浅，
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NAND DRAM
- IHS Markit研究指出，2017年全球半导体市场营收达到4291亿美元，与2016年相较成长了21.7%，年成长率创下近14年新高。 而三星也借着53.6%的年成长率，取代蝉连25年的英特尔成为2017年全球最大半导体厂商。
在前20大半导体厂商中，SK海力士(SK Hynix)的营收成长幅度最大，较2016年成长81.2%;美光科技(Micron)居次，营收较2016年成长了79.7%。 对此，IHS Markit半导体供应链分析师Teevens表示，强劲的需求以及价格上涨，是企业营收大
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三星 NAND
- 位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台11日正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，我国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产，从而填补我国主流存储器领域空白。
目前，我国通用存储器基本全部依赖进口，国家存储器基地于2017年成功研发我国首颗32层三维NAND闪存芯片。这颗耗资10亿美元、由1000人的团队历时2年自主研发的芯片，是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片，有望使我国进入全球存储芯片第
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NAND 存储器
- DRAM工艺尺寸的缩减正在面临基本的物理限制，目前还有没有明确的解决方案，由于印刷需求的推动，DRAM的清洗复杂度也在增加。
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DRAM NAND
- 近年来，全球信息技术创新进入密集发生期，呈现多方向、宽前沿、集群式等特征，有望引发产业格局重大调整。这有助于我国电子信息产业打破因核心关键技术缺失带来的低端锁定，加快迈向全球价值链中高端，迎来从跟跑到并跑乃至领跑的历史契机。
工业和信息化部副部长罗文8日在深圳举行的全国电子信息行业工作座谈会上透露，2017年我国规模以上电子信息产业整体规模达18.5万亿元，手机、计算机和彩电产量稳居全球第一，在通信设备、互联网等领域涌现了一批具有全球竞争力的龙头企业。
据前瞻产业研究院《电子信息制造业发展
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AMOLED NAND
- 全球半导体行业在2017年创下了10年以来的最好成绩，年收入比2016年增长了22%，达到4291亿美元。
这是根据英国分析公司IHS Markit的新统计数据得出的，HIS认为市场对内存芯片处理能力需求的大幅增加归因于新兴应用如大数据、物联网和机器学习。
这一需求的增长使得三星电子作为全球领先芯片制造商占据第一位置，领先于竞争对手英特尔，而英特尔已经占据第一的位置有25年之久。2017年，三星的收入增长了54%。
IHS表示，动态随机存取存储器芯片的销售总额增长了77%，而闪存芯片
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内存 NAND
- 中国已经提出,提高从美国进口半导体芯片的比例,取代来自韩国和中国台湾的产品。
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DRAM NAND
- 在当前NandFlash存储器仍旧供不应求，市场价格依旧居高不下的情况下，日前全球NandFlash存储器龙头企业的韩国三星，日前宣布将在本月底正式动工的中国西安NandFlash存储器厂的扩建计划，28日正式动工，预计将在2019年完工启用。
据了解，该项总金额高达70亿美元，工程期间达到3年的扩厂计划，是三星在2017年的8月间所宣布。目前三星西安厂的第一期产线是在2014年所建置，月产能为12万片。如今，新的产线动工建置，未来完成之后将可再为三星增加每月20万片的产能。
只是，该新的
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三星 NAND
- 美光科技嵌入式产品事业部市场副总裁Kris Baxter在2018年“慕尼黑上海电子展”期间，介绍了美光及多家行业分析师对存储器尤其是嵌入式存储器市场的预测，重点是DRAM和NAND在汽车和工业领域的趋势。
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存储器 DRAM NAND 汽车 摄像头 201804
- 美光科技有限公司今日宣布推出三种全新 64 层第二代 3D NAND 存储产品，这三种产品均支持高速通用闪存存储 (UFS) 2.1 标准。全新美光移动 3D NAND 产品提供 256GB、128GB 和 64GB 三种容量选择。 该全新移动解决方案基于美光业界领先的三级单元 (TLC) 3D NAND 技术，
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美光 NAND
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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